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张景基

作品数:7 被引量:4H指数:1
供职机构:南昌大学理学院物理系更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金江西省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇铁电
  • 6篇铁电薄膜
  • 6篇溅射
  • 5篇PZT铁电薄...
  • 4篇射频磁控
  • 4篇射频磁控溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 2篇射频磁控溅射...
  • 2篇射频溅射
  • 2篇溅射制备
  • 2篇磁控溅射制备
  • 1篇电极
  • 1篇电极对
  • 1篇电学性能
  • 1篇原位生长
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇脉冲宽度调制
  • 1篇功率

机构

  • 7篇南昌大学
  • 3篇中国科学院

作者

  • 7篇张景基
  • 5篇赖珍荃
  • 4篇王震东
  • 3篇范定寰
  • 2篇钟双英
  • 2篇黄志明
  • 1篇王根水
  • 1篇黄奇辉
  • 1篇盛广沪
  • 1篇李新曦
  • 1篇范定环
  • 1篇褚君浩
  • 1篇孙瑾兰

传媒

  • 3篇江西科学
  • 2篇南昌大学学报...
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
界面对PZT铁电薄膜性能的影响
ABO3系钙钛矿结构铁电薄膜是一类强介电材料,其介电常数可高达102~106,由于具有优良的铁电、压电、热释电、电光、声光及非线性光学特性,具有其它材料不可比拟的优越性能,使得它在红外探测器、非挥发存储器、电光器件、机电...
张景基
关键词:钙钛矿结构铁电薄膜射频磁控溅射
文献传递
LNO薄膜的射频磁控溅射制备及其电学性能与红外吸收性能
2005年
用磁控溅射法在S i(111)基片上以不同溅射功率沉积LaN iO3(LNO)薄膜,基片温度370℃,对沉积的薄膜样品进行快速热退火处理(500℃,10 m in)。使用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)精确测量不同溅射功率沉积的LNO薄膜退火前后的组分情况。分析发现:LNO薄膜经退火处理后,其中的N i/La的比值随着溅射功率增大而越接近理想比1:1,其导电性能也越好。另外,我们以相同工艺制备了不同厚度的LNO薄膜顶电极,四探针电阻测试仪和红外椭圆偏振光谱仪测试其电学与红外吸收性能,实验发现:(1)LNO薄膜的电阻率随膜厚的增加而降低,在大约300 nm厚时略又有增加趋势;(2)LNO薄膜的红外吸收系数随其厚度的增加而增加,且随红外波长的增大而减小。
王震东赖珍荃范定环张景基黄志明
关键词:铁电薄膜射频磁控溅射红外吸收
高择优取向(100)PZT铁电薄膜的磁控溅射生长被引量:1
2005年
以射频(RF)磁控溅射法分别在S i(111)和Pt(111)/Ti/S iO2/S i基底上溅射沉积LaN iO3(LNO)薄膜电极,沉积过程中基底温度为370℃,然后对沉积的LNO薄膜样品进行快速热退火处理(500℃/10 m in)。X射线衍射(XRD)分析表明:S i(111)基底上LNO电极表现出高度的(100)取向,而Pt(111)/Ti/S iO2/S i基底上LNO电极则表现较强的(111)择优取向。然后在(100)LNO薄膜电极上生长PZT铁电薄膜,通过合适溅射工艺参数的选择,成功地制备了高度(100)取向的PZT铁电薄膜。
王震东赖珍荃张景基
关键词:PZT铁电薄膜射频溅射
PZT铁电薄膜的射频磁控溅射制备及其性能被引量:2
2005年
实验采用射频磁控溅射工艺,在较低的衬底温度(370℃)、纯Ar气氛中和在(111)Pt/Ti/S iO2/S i衬底上用陶瓷靶Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)制备具有完全钙钛矿结构的多晶PZT(52/48)铁电薄膜,沉积过程中基片架作15°摇摆以提高膜厚的均匀性,然后在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理。用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)和Auger电子能谱(AES)测量其组分,X射线衍射仪(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,RT66A标准铁电测试系统分析Pt/PZT/Pt/Ti/S iO2/S i电容器的电学特性。结果表明:PZT铁电薄膜具有较高的剩余极化(Pr=44.9μC/cm2)和低的漏电流(10-8A量级)。
张景基赖珍荃王震东钟双英王根水孙瑾兰褚君浩
关键词:PZT铁电薄膜射频磁控溅射退火温度
PZT铁电薄膜的低温原位生长
2008年
在溅射法预制备的LaNiO3/Si基片上,用射频溅射法在较低的衬底温度(235-310℃)和纯Ar气氛中原位生长Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜.通过优化溅射功率、基片温度等工艺,最后在260℃的较低基片温度上成功制备出具有良好铁电性的PZT薄膜.使用X射线衍射(XRD)测试样品的结构,原子力显微镜观察其表面形貌,TD-88A标准铁电测试系统测试样品(Ag/PZT/LNO结构)的铁电性能.结果表明:(1)溅射功率110W,基片温度260℃时,原位沉积的PZT呈(111)、(200)取向;(2)上述工艺制备的PZT薄膜展现良好的铁电性,在5V测试电压时,其剩余极化为23.1uc/cm^2,漏电流密度为1.34×10^-4A/cm^2.
王震东赖珍荃范定寰张景基黄奇辉
关键词:铁电薄膜原位生长射频溅射钙钛矿相
电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响被引量:1
2007年
采用射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering)工艺在Si片上分别制备Pt/Ti和LaNiO3(LNO)底电极,然后在不同的底电极上沉积PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)铁电薄膜,在大气环境中对沉积的PZT薄膜进行快速热退火处理(RTA)。用X射线衍射(XRD)分析PZT薄膜的相结构和结晶取向,原子力显微镜(AFM)分析薄膜的表面形貌和微结构。再沉积LNO作为顶电极制成"三明治"结构的LNO/PZT/Pt和LNO/PZT/LNO样品,用RT66A标准铁电测试系统分析样品的电学特性,傅立叶红外光谱仪分别测得样品的反射谱和透射谱。分析了不同电极对PZT铁电薄膜的铁电和光学性能的影响。
张景基赖珍荃王震东李新曦钟双英范定寰黄志明
关键词:射频磁控溅射PZT铁电薄膜
大功率开关电源的并联运行
2005年
主要讨论开关稳压电源的并联设计与制作,此电源具有功耗小,效率高,输出电流稳定以及输出功率大等优点,是大功率电器的理想电源。设计的是半桥式稳压电源,采用TL494集成块作为控制器,先用TL494集成块脉宽调制控制主电路的输出电路的输出电压保持不变,然后对主从电路输出进行采样,同时输入给高精度比较器,再用另一个TL494集成块脉宽调制控制这个比较器的输出结果,来调节从电路的输出电压,使主从电路的输出电压相等,产生80V、200W的输出。然后将两个这样的电源通过比较控制后关联起来,得到大功率(400W)的稳压电源。
范定寰张景基盛广沪
关键词:高功率脉冲宽度调制
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