钱洪强
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：江南大学理学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- InP/GaP异质界面电特性研究及其计算机模拟
- InP在太阳电池、光探测器、HBT等器件上有重要应用,本文利用软件ADEPT对晶格失配达8%的p-InP/n-GaP系统进行模拟,并取得相关性能参数,寻求一种使得由于使用晶格不匹配的衬底时在外延晶体中所产生的缺陷对器件的...
- 钱洪强赵斐李果华
- 关键词：电特性计算机模拟
- 背处理对背钝化晶体硅太阳电池性能的影响被引量：2
- 2014年
- 通过模拟计算,较高的背面反射率对太阳电池电性能的改善很有帮助,短路电流密度的提升是主要贡献。文中对晶体硅应用不同的背面处理方式得到不同形貌结构。考虑到工艺的复杂程度等方面因素,最终确定使用酸处理背面较为理想。同时也确定了背面酸处理的程度。在此基础上,正面使用SiNx作为减反膜、背面使用AlOx/SiNx叠层钝化膜制备的电池,背处理后电池转换效率绝对值可提高0.1%以上。
- 钱洪强席曦乔琦陈丽萍葛剑吴文娟陈如龙杨健朱景兵施正荣李果华
- 关键词：太阳电池
- n型铝背结太阳电池的前面场优化研究
- 2014年
- 主要研究了n型铝背结太阳电池前面场对电池效率的影响,前面场浓度与扩散深度的优化明显提高了n型电池的短波响应,在实验中采用了低成本工艺路线,采用PECVD沉积SiN x替代高温热氧化形成的SiO2与PECVD沉积SiN x叠层膜作为钝化减反射层。文中通过PC1D模拟与实验结合的方法得到前表面场的最佳掺杂浓度与掺杂深度,研究发现n型电池前面场与p型电池背面场有明显差异,p型电池背面场掺杂浓度越高得到的效率就越高,而n型电池前面场掺杂浓度在合适范围内才能有效提高电池效率。最终经过优化得到的电池效率达到19.25%,开路电压为641 mV,短路电流为8.91 A,填充因子为80.53%。
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- 背处理对晶体硅钝化效果的影响
- 本文对晶体硅应用不同的背面处理方式来得到不同的形貌结构,然后在此基础上沉积对应的不同钝化层来实现降低复合和提高背反,通过实验结果的对比来确定产业化的背处理和背钝化层沉积的方式.
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- 关键词：晶体硅产品质量光学特性
- 文献传递
- PERL结构单晶硅太阳电池的研究被引量：2
- 2013年
- 通过采用SiO2/SiNx叠层膜作为背钝化介质层,PECVD沉积掺硼氧化硅结合激光掺杂形成局部背场,依次经过背面溅射铝、低温烧结形成背面电极,电镀形成正面电极制备PERL结构单晶硅太阳电池。对比不同清洗条件对表面钝化的影响,背面电极不同烧结条件对单晶PERL电池电性能的影响,优化后单晶电池转换效率可达20.36%。
- 陈丽萍王永谦钱洪强陆红艳陈如龙杨健李果华朱景兵施正荣
- 关键词：单晶硅太阳电池
- 双梯度掺杂漂移机制InP太阳电池及其计算机模拟
- InP在太阳电池、光探测器、HBT等器件上有重要应用,本文利用软件ADEP7对双梯度掺杂太阳能电池设计方案进行模拟,并取得相关性能参数,从而为在强辐射带轨道运行的航天器用太阳电池提供了很好的设计修改依据。
- 赵斐钱洪强李果华
- 关键词：磷化铟太阳电池
