李果华
- 作品数：83 被引量：185H指数：8
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- 相关领域：电气工程电子电信理学动力工程及工程热物理更多>>
- 有机光电导电材料PEDOT-PSS薄膜制备工艺研究被引量：3
- 2007年
- PEDOT（聚乙撑二氧噻吩）是一种新型的有机导电材料，具有高电导率、好的环境稳定性、在掺杂状态是透明的等优点，这些优点使其在制备有机电致显示、有机太阳能电池等有机光电器件中得到广泛应用。研究了用旋涂方法制备PEDOT-PSS的工艺，考察了所得薄膜厚度、均匀性与溶液的浓度、基片旋转速度之间的关系，另外退火温度和时间对薄膜的均匀性也有很大影响，通过最小二乘法对数据进行拟合，得出PEDOT-PSS在1．3％（质量分数）的情况下薄膜厚度随转速的变化曲线和经验公式，利用AFM、椭偏仪等仪器研究旋涂工艺对PEDOT-PSS导电膜的厚度、粗糙度等性盾的影响。
- 王振交杨辉席曦乔琦季静佳李果华
- 关键词：旋涂退火AFM最小二乘法
- Origin8.0在太阳能电池伏安特性测试中的应用
- 2014年
- 本文介绍了用Origin8.0软件对太阳能电池伏安特性测试数据进行绘图,计算平均数和标准方差的方法,说明在大学物理实验教学中引入Origin8.0软件处理数据能大大提高教学效果.
- 郭颖刘桂林朱华新严慧敏朱冰洁李帅李果华
- 关键词：大学物理实验太阳能电池数据处理
- 有机太阳电池ITO电极质量衡量方法被引量：4
- 2009年
- 通过测量不同光刻条件下制作的ITO电极的方块电阻,提供了一种利用方块电阻测量值来衡量有机太阳电池ITO电极质量的方法。对于笔者所使用的ITO电极图案和ITO玻璃的规格,在指定点上测得方块电阻为7.0Ω/□时,电极质量较好。相比利用显微镜观察ITO电极质量的方法,该方法既简便又准确,可以提供一个对ITO电极质量的量化衡量标准。
- 席曦王振交杨辉乔琦季静佳李果华
- 关键词：ITO电极光刻方块电阻四探针
- 阳极光电性能对聚合物太阳电池性能的影响被引量：1
- 2013年
- 为验证ITO的光电性能,以不同类型ITO作为光电阳极,采用旋涂与真空蒸镀的方法制备本体异质结聚合物太阳电池ITO/PEDOT∶PSS/P3HT∶PCBM/Al,研究了ITO表面形貌及光场分布对太阳电池光电性能的影响。结果表明,合适的ITO厚度及表面形貌能够在有效收集空穴的同时,提高光子透过率,保证有源层对光子的吸收。合适的ITO阳极厚度及表面形貌能够有效提高聚合物太阳电池的光伏性能,使得聚合物电池的效率从0.07%提升至1.30%。
- 郭颖刘桂林朱华新严慧敏朱冰洁李帅于海民李果华
- 关键词：ITO电极透过率光伏特性表面形貌
- 强抗辐射漂移机制InP太阳电池的研究
- 为了能够覆盖整个地球表面，通信卫星通常采用两种方式布置：一种是用三颗地球同步轨道卫星(35,700公里)，另一种是需要几十至几百颗的低轨道(700公里)卫星。前者的缺点是由于距离较远因而要求较大的信号功率以及存在较长的信...
- 李果华
- 文献传递
- PECVD沉积双层SiN_x对太阳电池性能的影响被引量：4
- 2012年
- 提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜的厚度、折射率及反射率,并用Semilab WT-2000测量少数载流子寿命,通过测量量子效率,对单、双层膜电池进行了比较。实验结果表明:相比单层减反射钝化膜,采用双层SiNx膜,少数载流子寿命可以得到更好的改善,开路电压可提高约2 mV,短路电流可提高约40 mA,电池效率能提高0.15%。
- 凡金星施正荣张光春杨健陈如龙李果华
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积减反射膜太阳电池少数载流子寿命
- 四甲基氢氧化铵应用于单晶硅高效制绒被引量：8
- 2011年
- 以十二烷基硫酸钠(sodium dodecyl sulfate,SDS)或Na2SiO3作为表面活性剂,用四甲基氢氧化铵(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)/异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)作为腐蚀剂代替传统的NaOH/IPA腐蚀剂制备单晶硅绒面。研究去除硅表面的切割损伤层、溶液中的TMAH含量、腐蚀时间和温度,以及加入SDS对绒面的影响。结果表明:制绒前对硅片的清洗和去损伤层不利于高效率制绒;硅片在含有2%(质量分数,下同)TMAH/5%IPA的腐蚀液,80℃恒温腐蚀10 min即可制备均匀的具有金字塔结构的减反射绒面;腐蚀液中加入硅酸钠和SDS可以减小金字塔尺寸,降低表面反射率,提高绒面的质量。
- 吴文娟张松张立元覃榆森季静佳顾晓峰李果华
- 关键词：四甲基氢氧化铵各向异性腐蚀太阳能电池
- PEDOT:PSS/ZnPc作为有机小分子太阳电池阳极修饰层的研究被引量：3
- 2010年
- 采用阳极修饰法构建了基于酞菁铜(CuPc)和碳60(C60)的有机小分子太阳电池,分别研究了酞菁锌(ZnPc)、聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)和PEDOT:PSS/ZnPc作为阳极修饰层对该有机太阳电池输出性能的影响,并对三种修饰层的相关机理进行了探讨。结果表明:加入ZnPc修饰层的电池开路电压(Voc)增大,从0.372提高到0.479V。旋涂PEDOT:PSS的电池短路电流(Jsc)提高,由1.943mA/cm2提高到3.752mA/cm2。而以PEDOT:PSS/ZnPc作为阳极修饰的电池Voc和Jsc均有较大的提高,Voc从0.372V提高到0.482V,Jsc从1.943mA/cm2提高到3.810mA/cm2,其转换效率可提高两倍以上。分析认为,ZnPc更有利于阳极空穴的输出,PEDOT:PSS能有效改善ITO表面的平整度的性质是提高太阳电池性能的主要原因。
- 孟庆蕾李方馨席曦钱维莹阙立志季静佳丁玉强李果华
- InP/GaP晶格失配界面的电特性(英文)
- 2007年
- 本文研究了InP/GaP晶格失配界面的电特性。HRTEM图象表明在界面存在90°位错缺陷的应变缓释。ECV表明界面存在高密度载流子层。AFM图象表明本研究中获得了粗糙度为2.48nm的良好InP异质外延层。并对于InP界面给出了一个基于费米能级钉扎的模型来解释观察到的电性质。
- 李果华孙艳宁Aristo YuliusChristine C.BroadbridgeJerry M.Woodall
- 关键词：晶格失配
- InGaN/GaN超晶格垒层用于InGaN发光二极管发光增强研究被引量：1
- 2014年
- 设计了InGaN/GaN超晶格垒层替代p-GaN和n-GaN附近传统GaN垒层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)发光二极管(LEDs)结构。通过数值方法模拟出两种LED结构的光功率-电压(L-V)曲线、电致发光(EL)谱、能带图、电子浓度分布和辐射复合速率。结果表明InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层的LED结构比替代p-GaN附近GaN垒层的LED显示出更高的发光强度。这种发光增强的原因是InGaN/GaN超晶格替代n-GaN附近GaN垒层可以提高电子注入效率和辐射复合速率。
- 杨国锋朱华新郭颖李果华高淑梅
- 关键词：INGANGAN发光二极管数值模拟
