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钟雷

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：化学工程电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇有源
  • 3篇瞬态
  • 3篇瞬态电压
  • 3篇瞬态电压抑制...
  • 2篇导电类型
  • 2篇鲁棒
  • 2篇场限环
  • 1篇动力学
  • 1篇阳极
  • 1篇乙烯
  • 1篇阴极
  • 1篇数学模型
  • 1篇四氟
  • 1篇四氟乙烯
  • 1篇气液传质
  • 1篇金属线
  • 1篇化工动力学
  • 1篇分散聚合
  • 1篇氟乙烯
  • 1篇传质

机构

  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇钟雷
  • 3篇吴健
  • 3篇董树荣
  • 3篇曾杰
  • 2篇韩雁
  • 1篇戴一思

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇1981
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
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四氟乙烯分散聚合的气液传质研究和化工动力学数学模型
钟雷
一种瞬态电压抑制器及其应用
本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括P衬底；P衬底上嵌设有N阱、第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；N阱上嵌设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；P衬底与N阱的交界处嵌设有第三N+有源注入区；第一N+有源注入区...
董树荣曾杰吴健钟雷戴一思
文献传递
一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器
本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括：P衬底层；P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱；N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；由N阱和P阱构...
董树荣曾杰吴健钟雷韩雁
一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器
本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括：P衬底层；P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱；N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；由N阱和P阱构...
董树荣曾杰吴健钟雷韩雁
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