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曾杰

作品数：28 被引量：8H指数：2
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 25篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 17篇可控硅
  • 17篇可控硅器件
  • 17篇硅器件
  • 15篇触发
  • 12篇电极
  • 12篇金属
  • 12篇金属电极
  • 11篇击穿电压
  • 6篇电路
  • 5篇有源
  • 5篇瞬态
  • 5篇瞬态电压
  • 5篇瞬态电压抑制...
  • 5篇芯片
  • 4篇MOS管
  • 3篇微米工艺
  • 3篇集成电路
  • 3篇二极管
  • 2篇导电类型
  • 2篇导通

机构

  • 28篇浙江大学

作者

  • 28篇曾杰
  • 25篇董树荣
  • 24篇吴健
  • 22篇苗萌
  • 22篇马飞
  • 22篇郑剑锋
  • 20篇韩雁
  • 4篇黄丽
  • 3篇钟雷
  • 2篇韩成功
  • 2篇隋文泉
  • 1篇吴健
  • 1篇毕运波
  • 1篇戴一思

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2016
  • 8篇2014
  • 3篇2013
  • 12篇2012
  • 2篇2011
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件
本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，包括P-衬底层；P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱，N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区；N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P-阱上并排...
董树荣吴健黄丽苗萌曾杰马飞郑剑锋
文献传递
一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件
本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，通过优化可控硅与二极管的连接和布局，利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通，提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的...
苗萌董树荣吴健曾杰韩雁马飞郑剑锋
一种基于PNP型三极管辅助触发的双向可控硅器件
本发明公开了一种基于PNP型三极管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个PNP型三极管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设...
郑剑锋韩雁马飞董树荣吴健苗萌曾杰
文献传递
一种基于NPN型三极管辅助触发的双向可控硅器件
本发明公开了一种基于NPN型三极管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个NPN型三极管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设...
郑剑锋韩雁马飞董树荣吴健苗萌曾杰
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一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件
本发明公开了一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件，在第二P+注入区与第二N+注入区之间的P型衬底上，加入一块不接任何电位的第二N阱，可以有效地增加寄生NPN型三极管的纵向基区宽度。本发明利用内嵌P型MOS管的可控硅特...
苗萌董树荣吴健曾杰韩雁马飞郑剑锋
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一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件
本发明公开了一种基于NMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个NMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N...
郑剑锋韩雁马飞董树荣吴健苗萌曾杰
T700/7901复合材料螺栓单搭接结构低速冲击损伤及剩余拉伸性能研究
碳纤维增强聚合物(CFRP)复合材料是空天装备领域的重要工程材料,在常见的复合材料连接形式中,螺栓单搭接结构在飞机关键承载结构中广泛使用。冲击是实际服役过程中常见的载荷形式,由于复合材料的脆性特征,受到冲击可能导致性能下...
曾杰
关键词：低速冲击有限元模拟
一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器
本发明公开了一种基于场限环可控硅结构的瞬态电压抑制器，包括：P衬底层；P衬底层上设有并排相连的N阱和P阱；N阱上嵌有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P阱上嵌有第二P+有源注入区和第二N+有源注入区；由N阱和P阱构...
董树荣曾杰吴健钟雷韩雁
一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件
本发明公开了一种内嵌齐纳触发结构的可控硅器件，包括P-衬底层；P-衬底层上设有并排相连的N-阱和P-阱，N-阱与P-阱的接合处上设有第三N+有源注入区；N-阱上并排设有第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；P-阱上并排...
董树荣吴健黄丽苗萌曾杰马飞郑剑锋
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一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件
本发明公开了一种二极管辅助触发的具有二次导通路径的可控硅器件，通过优化可控硅与二极管的连接和布局，利用二极管串形成的寄生可控硅路径来实现二极管辅助触发的可控硅的二次导通，提高可控硅钳位电压时钳位点的电流值来避免闩锁效应的...
苗萌董树荣吴健曾杰韩雁马飞郑剑锋
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