淮永进
- 作品数：8 被引量：32H指数：2
- 供职机构：北京东方电子集团股份有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 金属涂敷硅锥阴极的工艺研究
- 淮永进朱长纯
- 关键词：场致发射阴极微电子技术金属电子元件
- 金属涂敷硅锥阴极的工艺研究被引量：1
- 1994年
- 本文比较了金属和硅两种场发射阴极的优缺点，研究了将两者优点结合在一起的金属涂敷硅阴极的制造工艺，比较了电镀法和溅射法制备的金属涂层对硅的附着力；采用先溅射后电镀的两步工艺制作出了较为理想的包全硅尖阵列。
- 淮永进朱长纯吴春瑜李毓民
- 关键词：场致发射阴极溅射
- 真空微电子平板显示器工艺研究被引量：4
- 1996年
- 本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。
- 皇甫鲁江朱长纯淮永进铁执玲单建安郭彩林
- 关键词：场致发射平板显示器真空微电子器件
- 两步法腐蚀硅锥阴极阵列的工艺研究被引量：1
- 1994年
- 详细研究了利用硅的各向异性腐蚀、各向同性腐蚀制备硅锥阴极阵列的工艺。采用快速腐蚀与缓蚀削尖两步工艺，制备出了均匀、尖锐的硅锥阵列。其阵列密度可达106／cm2，硅锥曲率半径可做到20nm。
- 朱长纯淮永进李毓民
- 关键词：各向异性各向同性两步法集成电路
- FED制作工艺研究被引量：1
- 1996年
- 本文介绍我们开发的FED工艺，包括：硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持、栅控特性及荧光的均匀性还存在问题，文章最后分析了其原因。
- 皇甫鲁江朱长纯淮永进宋利建
- 关键词：场致发射平板显示器FED
- 掺杂浓度对硅锥阴极特性的影响被引量：1
- 2002年
- 基于漂移 扩散模型和量子理论中的WKB方法 ,用数值模拟方法分析了材料掺杂浓度对硅锥阴极场致发射特性及工作状态的影响 ,结果表明 ,硅锥阴极单纯的场致发射Iemit E特性受硅材料掺杂浓度的影响很小 .但低掺杂硅锥阴极顶端的电位随发射电流增大而明显上升 .锥体上电位变化可以等效为一个与锥体形状与掺杂相关的串联电阻的作用 ,这一电阻对单尖发射电流有负反馈作用 .另外 ,在常规的工作状态下 ,硅锥阴级的温升并不严重 .这些结果可以作为硅锥阴极设计的参考 .
- 皇甫鲁江朱长纯淮永进
- 关键词：场致发射硅材料电子发射电位分布
- 真空微电子荧光数码管的工艺研究
- 淮永进
- 碳纳米管阴极场发射平板显示器的真空封装被引量：26
- 2000年
- 通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同材料的阴极进行组装 ,形成二极管结构的场发射平板显示器 .弹性装配技术还具有通过拼接得到大面积阴极的潜力 .采用这套技术 ,已经研制出碳纳米管阴极场发射显示器样品 .
- 朱长纯皇甫鲁江淮永进康海波
- 关键词：碳纳米管场发射平板显示器真空封装阴极
