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柳锡运

作品数：7 被引量：41H指数：3
供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：动力工程及工程热物理电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇动力工程及工...
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇电池
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 3篇多晶硅薄膜
  • 3篇太阳电池
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇多晶硅薄膜电...
  • 2篇绒面
  • 2篇颗粒硅带
  • 2篇隔离层
  • 2篇薄膜电池
  • 1篇多晶硅绒面
  • 1篇正交
  • 1篇正交试验
  • 1篇织构化
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇损伤层
  • 1篇太阳能

机构

  • 6篇中山大学
  • 4篇华南理工大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 7篇柳锡运
  • 5篇沈辉
  • 3篇郭志球
  • 2篇刘正义
  • 2篇梁宗存
  • 1篇郑广富
  • 1篇陶龙忠
  • 1篇胡芸菲
  • 1篇许欣翔

传媒

  • 2篇华南理工大学...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2004
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
太阳能电池单晶硅表面织构化正交试验被引量：14
2006年
在单晶硅太阳能电池的制备过程中,经常利用碱溶液对电池表面进行“织构”,以形成陷光,增强对光的吸收.在NaOH溶液中制备硅片时,由于各个晶面的腐蚀速率不同,在硅片表面会形成类“金字塔”形绒面.碱溶液浓度、添加剂用量、反应温度以及时间等都会影响到绒面的形成.文中通过正交试验方法,分析了各个因素对绒面形成的影响,得出了最佳的试验条件为:碱溶液浓度为2.5%;反应温度为95℃;添加剂用量为5%;腐蚀时间为30m in.
沈辉柳锡运
关键词：太阳能电池单晶硅正交试验织构化
太阳电池单晶硅绒面制备及应用
表面反射是太阳电池发电能量损失的一部分，绒面结构能降低表面的反射率，提高太阳光的利用率。各向异性腐蚀，即在不同的晶面上有不同的溶解速率，是在碱性溶液中硅腐蚀的一个典型的特征。[100]晶向的单晶硅片在碱性溶液中的异性腐蚀...
柳锡运
关键词：太阳电池单晶硅绒面损伤层硅片表面扫描电子显微镜
文献传递
温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响被引量：3
2007年
多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法（RTCVD）制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30～40μm,沉积速率达3～7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明：当沉积温度在900～1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.
胡芸菲沈辉柳锡运郭志球刘正义
关键词：多晶硅沉积温度晶体生长晶体取向太阳电池
晶体硅电池绒面工艺的研究及中试设备的设计
本文研究了溶液成分、配比、腐蚀温度、腐蚀时间等因素对太阳电池绒面的影响,优化适合于工业化生产、经济有效的单晶硅和多晶硅绒面制备技术.通过SEM和HitachiU-4100分光光度计测试,结果显示制备出的单晶硅和多晶硅太阳...
陶龙忠沈辉郑广富许欣翔郭志球柳锡运
关键词：晶体硅电池太阳电池
文献传递
各向同性腐蚀法制备多晶硅绒面被引量：24
2007年
本文介绍了一系列利用各向同性腐蚀法制备多晶硅绒面的试验,腐蚀液为硝酸和氢氟酸的混合溶液,添加了醋酸稀释液是为了降低反应速度。通过优化各种参数,获得了腐蚀速度平缓,适合工业生产的多晶硅绒面,绒面分布均匀。随着反应的进行,腐蚀坑由微裂纹状转变为气泡状,经反射率测定表明绒面达到了较好的减反效果。
郭志球柳锡运沈辉刘正义
关键词：多晶硅
开口隔离层上多晶硅薄膜制备
2006年
在SSP硅带衬底上制备开口SiO2隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜,并制备了多晶硅薄膜电池。研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果比较理想,晶粒尺寸增大到厘米级长、毫米级宽;经过晶硅薄膜沉积后,开口隔离层的孔洞未完全被多晶硅薄膜层覆盖住;制备的电池的光特性参数Voc、Isc、FF都比较低,电池的最高转换效率为3.83%;指出了改进的工艺措施。
梁宗存柳锡运沈辉
关键词：多晶硅薄膜电池颗粒硅带隔离层
开口隔离层上多晶硅薄膜制备
在SSP硅带衬底上制备开口SiO隔离层,在隔离层上沉积多晶硅薄膜籽晶层;然后以ZMR将制备的多晶硅薄膜区融、进行再结晶,制备了SSP隔离层上多晶硅薄膜,并制备了多晶硅薄膜电池。研究结果表明:ZMR对籽晶层的区融、结晶效果...
梁宗存柳锡运沈辉
关键词：多晶硅薄膜电池颗粒硅带隔离层
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