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胡芸菲

作品数:13 被引量:45H指数:4
供职机构:中山大学物理科学与工程技术学院太阳能系统研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:电气工程动力工程及工程热物理电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电气工程
  • 4篇动力工程及工...
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 9篇硅薄膜
  • 8篇电池
  • 8篇多晶
  • 8篇多晶硅
  • 8篇多晶硅薄膜
  • 8篇太阳电池
  • 5篇颗粒硅带
  • 3篇多晶硅薄膜太...
  • 3篇硅薄膜太阳电...
  • 3篇薄膜太阳电池
  • 2篇形貌
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化钨
  • 2篇气相沉积
  • 2篇晶体
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇二氧化硅
  • 2篇SIO
  • 2篇WO

机构

  • 9篇华南理工大学
  • 8篇中国科学院
  • 6篇中山大学

作者

  • 13篇胡芸菲
  • 11篇沈辉
  • 6篇梁宗存
  • 5篇刘正义
  • 4篇班群
  • 2篇王晓晶
  • 2篇邹嬉武
  • 2篇郭志球
  • 2篇艾斌
  • 2篇徐雪青
  • 2篇徐雪青
  • 1篇李军勇
  • 1篇李明华
  • 1篇柳锡运
  • 1篇闻立时
  • 1篇林杨欢
  • 1篇徐刚
  • 1篇王磊
  • 1篇陈达明
  • 1篇邹禧武

传媒

  • 3篇华南理工大学...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇能源工程
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇中国第七届光...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 2篇2001
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量被引量:2
2005年
以颗粒硅带为衬底,通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层.为了改善硅带衬底的质量,引入区熔再结晶的方法,期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高,进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量.借助台阶仪、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段对颗粒硅带及多晶硅薄膜进行了表面轮廓、结晶质量和微观形貌的表征.结果表明:区熔后的颗粒硅带表面平整度得到了较好的改善;表面具有[311]择优方向的硅带区熔后都倾向[111]择优;在区熔硅带衬底上沉积的多晶硅薄膜晶粒尺寸在100μm以上,但暂无明显证据证明区熔对薄膜结晶质量有显著提高.
胡芸菲沈辉王磊邹禧武班群梁宗存刘正义闻立时
关键词:区熔颗粒硅带多晶硅薄膜平整度
二氧化钛纳米染料敏化电池研究动态被引量:10
2006年
本文对二氧化钛染料敏化太阳电池的工作原理、性能特点及工艺作了详细评述。着重对国内外染料电池的最新研究成果、研究趋势进行了剖析,特别是对电池工艺的技术特点、主要优势作了深入的探讨。并就染料电池尚存在的问题及进一步发展态势提出一定的看法。
胡芸菲徐刚梁宗存
关键词:二氧化钛纳米晶染料敏化太阳电池
掺铂WO_3-SiO_2复合薄膜结构表征和气致变色性能研究被引量:5
2001年
采用溶胶 凝胶法制备WO3 SiO2 复合薄膜 ,对不同温度热处理的复合薄膜及单一组分薄膜的结构和气致变色性能进行了对比分析 .XRD分析结果表明 ,复合薄膜的晶化温度提高、晶化程度降低 ,存在一定的晶格畸变 ;IR分析结果表明 ,在热处理过程中复合薄膜氧化钨分子间不易缩合 ,分子结构对称性低、变形多 .性能测试结果表明 ,在复合薄膜中 ,WO3 与SiO2 之间的相界等结构缺陷为氢气提供扩散通道 。
徐雪青沈辉胡芸菲
关键词:气致变色氧化钨二氧化硅
利用电子束蒸发法制备硅薄膜的研究
利用电子束沉积法在普通玻璃衬底上沉积了a-Si/Al双层薄膜,然后在有氮气保护的不同退火温度条件下制备出多晶硅薄膜。利用拉曼光谱、XRD、SEM对薄膜进行了测试分析。实验结果表明,在铝金属诱导下,a-Si薄膜在450℃和...
李明华李军勇陈达明林杨欢胡芸菲沈辉
关键词:硅薄膜铝诱导晶化电子束蒸发
文献传递
RTCVD制备多晶硅薄膜的性能参数研究
研究了RTCVD设备参数如:温度、反应气体流量、沉积时间对多晶硅薄膜的性能的影响,通过扫描电镜(SEM)、X射线(XRD)、霍尔测试及电池模拟软件PC1D描述了薄膜性质随各参数的变化规律性,提出改进薄膜性能的思路。
王磊沈辉胡芸菲班群
关键词:多晶硅薄膜太阳电池
温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响被引量:3
2007年
多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.
胡芸菲沈辉柳锡运郭志球刘正义
关键词:多晶硅沉积温度晶体生长晶体取向太阳电池
晶体硅太阳电池制备工艺进展被引量:4
2005年
晶体硅太阳电池是目前应用最广、技术最为成熟的太阳电池,以晶体硅太阳电池生产流程为基础,主要从降低生产成本和提高电池转换效率方面出发,介绍了太阳电池制备工艺的最新进展,并对各种制备工艺作出了评价和展望。
郭志球胡芸菲沈辉刘正义
关键词:晶体硅太阳电池
多晶硅薄膜的制备与表征
以多晶硅片为衬底,在快热化学气相沉积(RTCVD)设备上,通过外延生长的方式制得多晶硅薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等测试手段对薄膜的形貌结构及成分进行分析.
胡芸菲沈辉梁宗存刘正义
关键词:多晶硅薄膜化学气相沉积颗粒硅带形貌结构
文献传递
新型多晶硅薄膜太阳电池
沈辉梁宗存艾斌胡芸菲班群徐雪青王晓晶邹嬉武
在建立具有国际先进水平的颗粒硅带和多晶硅薄膜沉积设备的基础上,开展了以廉价颗粒硅带为衬底的多晶硅薄膜电池的应用基础研究。采用不同纯度、粒度的硅粉为原料利用SSP硅带晶化生长技术制备了不同厚度、宽度及长度的颗粒硅带;并对颗...
关键词:
关键词:颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池
高性能价格比多晶硅薄膜太阳电池的研究
沈辉梁宗存艾斌胡芸菲班群徐雪青王晓晶邹嬉武
该项目在国内首先建立了具有国际先进水平的颗粒硅带和多晶硅薄膜沉积设备的试验体系,成功地制备了质量良好的颗粒硅带,并以颗粒硅带为衬底外延生长了优质的多晶硅薄膜。在此基础上,制备的颗粒硅带多晶硅薄膜电池的转换效率可达8.25...
关键词:
关键词:颗粒硅带多晶硅薄膜太阳电池
共2页<12>
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