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林楠: 作品数：24 被引量：18H指数：3; 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程化学工程更多>>

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带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管被引量：4: 2022年; 为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析。首先,对于带有非吸收窗口的二极管,在其谐振腔上方前后腔面附近的窗口区域覆盖50 nm Si/100 nm SiO_(2)组合介质层,在远离腔面的增益区域覆盖50 nm Si/100 nm TiO_(2)组合介质层,并采用875℃/90 s快速热处理工艺促进Si杂质扩散诱导量子阱混杂并去除非辐射复合中心。然后,基于相同外延结构、相同流片工艺制备了无非吸收窗口的激光二极管作对照组。测试结果显示,带有非吸收窗口的新型激光二极管平均峰值输出功率提升约33.6%,平均峰值输出电流提升约50.4%,腔面光学灾变损伤的发生概率和破坏程度均明显降低,且其阈值电流、斜率效率及半高全宽等特性也无任何退化。该研究证明,采用Si杂质诱导量子阱混杂技术制备的非吸收窗口,对近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管腔面光学灾变损伤有明显的抑制效果。; 刘翠翠林楠马骁宇马骁宇刘素平; 关键词：半导体激光二极管量子阱混杂

高性能半导体激光器与探测器材料外延技术的研究与应用: 马骁宇熊聪刘素平仲莉林楠孔金霞李伟祁琼王翠鸾朱凌妮井红旗张海艳李秀芳罗泓倪羽; MOCVD外延生长技术是半导体激光器和探测器最核心、最关键的技术，外延材料生长的质量和器件的外延结构会直接影响到器件各项光电参数性能。如何能有效的降低材料生长过程中产生的缺陷，提高材料的均匀性，获得晶体质量完美的零缺陷材...; 关键词：; 关键词：半导体激光器探测器

SESAM锁模全保偏皮秒脉冲光纤激光器输出特性: 2024年; 搭建了基于半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模的全保偏皮秒脉冲光纤激光器,对比分析了以多量子阱和体材料作为可饱和吸收层的SESAM对锁模激光器输出特性的影响。实验结果表明,多量子阱和体材料SESAM均可实现稳定的自启动锁模。随着量子阱周期数的增加,SESAM调制深度增大,激光器输出脉冲宽度变窄,具有更高的输出功率和更大的锁模区间。但量子阱周期数过高的SESAM具有较大非饱和损耗,使得相同泵浦功率下输出功率降低。在相同调制深度下,体材料SESAM的非饱和损耗偏大,降低了输出功率和光光转化效率,但对脉冲的窄化作用更显著。SESAM对输出脉冲的波长和光谱宽度无显著影响,主要受光纤布拉格光栅(FBG)控制。本文对SESAM的设计与选型具有一定指导意义。; 王帅坤仲莉林楠刘素平马骁宇; 关键词：光纤激光器半导体可饱和吸收镜超短脉冲

975 nm量子阱激光二极管的质子位移损伤: 2023年; 针对典型卫星轨道辐射环境下激光二极管(LD)的可靠性评估问题,对自研的975 nm GaAs基量子阱(QW)LD开展了10 MeV质子、3×10^(8)~3×10^(11)cm^(-2)注量的地面模拟辐照实验。结合蒙特卡罗软件仿真模拟和数学分析方法,全面研究了器件位移损伤退化规律,以及不同注量、不同辐照缺陷对器件功率特性、电压特性和波长特性等关键参数的影响。结果显示,质子辐照会引入非辐射复合中心等缺陷并破坏界面结构,导致载流子浓度降低、光电限制能力下降,宏观上体现为器件阈值电流增加、输出功率下降、波长红移和单色性受损。同时,3×10^(10)cm^(-2)以上注量的10 MeV质子等效位移损伤剂量辐照会对975 nm QW LD性能产生较大影响。; 刘翠翠井红旗林楠郭刚郭刚; 关键词：量子光学质子

带AGC的CCD成像系统研究: 近年来，中科院半导体所神经网络实验室从神经计算软硬件结合角度，利用我们提出的仿生模式识别技术，研究探索了一整套数学化表示、关键特征抽提和高维欧氏特征空间拟合逼近的方法，并将此方法成功运用于人脸模式识别领域，取得了一系列优...; 林楠; 关键词：自动增益

一种低位错原位刻蚀MOCVD二次外延生长方法: 一种低位错原位刻蚀MOCVD二次外延生长方法，该方法包括：对二次外延之前的一次外延片做原位刻蚀处理；以及在原位刻蚀后的一次外延片上进行InGaAsP、InAlGaAs、AlGaAs或AlGaInP材料的二次外延生长。本发...; 马骁宇赵碧瑶熊聪林楠刘素平; 文献传递

隧道级联多有源区半导体激光器及其制备方法: 本公开提供一种隧道级联多有源区半导体激光器的制备方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长第一发光区；在所述第一发光区上生长第一反偏的PN结构；在所述的第一反偏的PN结构上生长第二发光区；在所述第二发光区上生长第...; 熊聪祁琼林楠常津源刘素平马骁宇

一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法: 本发明公开了一种AlGaAs/AlGaInP混合材料的外延生长方法，包括：在衬底表面生长AlGaAs材料；在衬底表面生长AlGaAs材料的过程中进行生长停顿，将反应腔室内As原子耗尽；以及生长停顿结束后在AlGaAs材料...; 马骁宇赵碧瑶熊聪林楠刘素平仲莉; 文献传递

多变量Si杂质诱导InGaAs/AlGaAs量子阱混杂研究: 2023年; 腔面光学灾变损伤是导致高功率量子阱半导体激光器阈值输出功率受限制的关键因素。通过量子阱混杂技术调整半导体激光器腔面局部区域处有源区材料的带隙宽度,形成对输出光透明的非吸收窗口,可提高激光器输出功率。本文基于InGaAs/AlGaAs高功率量子阱半导体激光器初级外延片,以外延Si单晶层作为扩散源,结合快速热退火方法开展了杂质诱导量子阱混杂研究。探索了介质层生长温度、介质层厚度、热处理温度、热处理时间等条件对混杂效果的影响。结果表明,50 nm的650℃低温外延Si介质层并结合875℃/90 s快速热退火处理可在保证光致发光谱的同时获得约57 nm的波长蓝移量。能谱测试发现,Si杂质扩散到初级外延片上的波导层是导致量子阱混杂效果显著的关键。; 刘翠翠林楠马骁宇马骁宇刘素平; 关键词：半导体激光器量子阱混杂快速热退火光致发光谱

一种具有电流阻挡层的激光器: 本发明公开了一种具有电流阻挡层的激光器，包括：激光器结构，所述激光器结构包括：衬底，自衬底至上依次包括缓冲层、N型下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、P型上限制层和欧姆接触层；腐蚀截至层，设置于所述欧姆接触层上；电流...; 马骁宇常津源刘素平熊聪仲莉林楠