杨学林
- 作品数：75 被引量：23H指数：3
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>
- 用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)被引量：1
- 2006年
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。
- 苏月永陈志涛徐科郭立平潘尧波杨学林杨志坚张国义
- 关键词：氮化镓X射线衍射
- 一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法
- 本发明公开了一种Si衬底上高质量AlN薄膜材料的制备方法，以Si(111)为衬底，先在其表面形成一层氧化铝层；然后对氧化铝层进行高温处理，形成α‑氧化铝过渡层或者AlON/α‑氧化铝复合过渡层；再在α‑氧化铝过渡层或者A...
- 杨学林沈波陈正昊吴俊慷蔡子东杨鸿才郭富强
- 一种可控阵列纳米线及其场效应晶体管的制备方法
- 本发明公开了一种可控阵列纳米线的制备方法及其场效应晶体管的制备方法。本发明通过选择外延生长中生长材料沿不同晶向的生长速率各向异性的材料作为衬底，从而实现纳米线的生长；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的...
- 王新强王平沈波杨学林郑显通荣新盛博文
- 检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法
- 本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重‑轻‑重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利...
- 杨学林沈波黄华洋吴珊沈剑飞许福军唐宁王新强
- 一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法
- 本发明公开了一种在多晶或非晶衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：将单晶石墨烯转移至多晶或非晶衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长氮化镓单晶薄膜。本发明利用可转移的单晶石墨烯为氮化物...
- 杨学林沈波冯玉霞张智宏刘开辉张洁许福军王新强唐宁
- 文献传递
- 一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物的方法
- 本发明公开了一种在陶瓷衬底上生长单晶III族氮化物的方法。先在陶瓷衬底表面沉积填充材料并研磨抛光获得光滑表面，和/或，在表面形成Al‑O化合物层或二维材料层；然后依次在表面形成氮化物层和二维材料层，再生长单晶III族氮化...
- 杨学林沈波吴俊慷陈正昊杨鸿才郭富强
- 增强型Cascode结构GaN HEMT器件中子辐照效应研究
- 2024年
- 为探究增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件的中子辐照效应及机理,首先利用归一化能量为1 MeV、注量为1×10^(14) n/cm^(2)的中子源开展辐照效应试验,并对辐照前/后器件的电学特性进行测试,结果表明,经过中子辐照后,器件的阈值电压发生明显的负向漂移,且跨导峰值减小。后续又分别对器件中级联的增强型Si MOSFET和耗尽型GaN HEMT开展Geant4能量沉积仿真和TCAD辐照损伤仿真,结果表明,增强型Si MOSFET的能损和电学性能退化较为严重。其原因是:中子辐照对器件造成位移损伤,且产生的次级重核对器件造成电离损伤,引起Si/SiO_(2)交界处电场强度上升及内部载流子浓度降低,从而导致阈值电压负漂及饱和漏极电流下降。研究结果可为增强型Cascode结构GaN HEMT器件在辐射环境下的应用提供理论参考。
- 周炜翔曹荣幸胡迪科王义元许灏炀杨学林陆雨鑫王玉才薛玉雄
- 关键词：中子辐照电学性能
- 一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构
- 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1‑3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极...
- 唐宁沈波张晓玥杨流云管鸿明刘星辰王新强杨学林许福军
- 文献传递
- GaMnN稀磁半导体的MOCVD生长及性质研究
- 具有室温铁磁性的GaMnN稀磁半导体是自旋电子学领域中的一种重要材料，也是在GaN基材料和器件中实现基于自旋和电荷双重属性的量子调控的理想体系之一。探索和研究GaMnN稀磁半导体材料的各种物理性质，实现基于自旋和电荷的双...
- 杨学林
- 关键词：MOCVD生长GAMNN稀磁半导体材料室温铁磁性自旋电子学
- 超晶格作势垒的高等效铝组份AlGaN/GaN异质结构磁输运性质
- 对于传统的三元合金AlGaN/GaN异质结构,在保持高二维电子气(2DEG)迁移率的前提下要 尽可能提高其浓度,这就需要提高Al的组分.但在常规混晶AlGaN的情况下,铝组分超过一定值时晶体质量大幅下降,导致迁移率大幅下...
- 刘思东M.Shimizu葛惟昆沈波唐宁沈旭强段俊熙卢芳超杨学林许福军王新强T.Ide
