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杜春霞

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 2篇探测器
  • 2篇红外
  • 2篇红外探测
  • 2篇红外探测器
  • 2篇GAALAS
  • 2篇GAAS/G...
  • 1篇数值模拟
  • 1篇硅锗
  • 1篇暗电流
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇SI/SIG...
  • 1篇SIGE/S...
  • 1篇硅
  • 1篇HBT工艺
  • 1篇值模拟

机构

  • 3篇北京工业大学

作者

  • 3篇沈光地
  • 3篇杜春霞
  • 2篇尹洁
  • 2篇李群
  • 2篇孔锐
  • 2篇邓军
  • 1篇赵玉琴
  • 1篇袁颖
  • 1篇陈建新
  • 1篇张时明
  • 1篇王东凤

传媒

  • 3篇北京工业大学...

年份

  • 3篇1996
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种新型GaAs／GaAlAs红外探测器的研究
1996年
首次应用一种新的物理构想和工作机制设计了新型的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器，并进行了理论计算、器件研制和测试分析。结果表明，这种新型探测器与常规ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器相比，具有一些新的特点。理论计算和实验结果得到了很好的一致性。给出了这种新型器件电流输运的计算方法；得到较低的暗电流，较宽的光吸收谱（５～１０μｍ）；得到了新型器件的红外辐射下的光电流响应；初步给出了新型器件工作点的选取方法；模拟计算表明，增加周期个数，将会得到更大的光电流响应。
杜春霞邓军李群孔锐王东凤沈光地尹洁
关键词：红外探测器砷化镓GAALAS
Si／SiGe腐蚀停止技术的研究及其在SiGe／SiHBT工艺中的应用
1996年
对ＳｉＧｅ／Ｓｉ腐蚀停止技术进行了大量的实验研究，分析了腐蚀的化学机理，并在一定的腐蚀液浓度和温度下，获得了Ｓｉ和ＳｉＧｅ的腐蚀速率比大于３０的结果。该技术极宜在ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ制作中应用。
陈建新袁颖杜春霞张时明赵玉琴沈光地
关键词：硅硅锗半导体工艺
新型8～14μm　GaAs／GaAlAs红外探测器数值模拟和分析被引量：1
1996年
简要介绍了红外探测器的历史和现状。在提出的一种新型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ红外探测器的构想及已有工作的基础上，建立了一个物理模型，并进行了模拟计算，着重分析了各个器件参数对器件性能的影响，为今后设计器件打下了理论基础，在此基础上特别指出了该构想的一个新用途：外加偏压调制波长红外探测器。
李群杜春霞邓军孔锐沈光地尹洁
关键词：红外探测器数值模拟砷化镓GAALAS
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