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李志刚
作品数:
85
被引量:35
H指数:4
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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合作作者
陈大鹏
中国科学院微电子研究所
陈岚
中国科学院微电子研究所
叶甜春
中国科学院微电子研究所
刘明
中国科学院微电子研究所纳米加工...
阮文彪
中国科学院微电子研究所
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1篇
2004
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一种集成电路版图结构及其制造方法
本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计技术领域的一种集成电路版图结构及其制造方法。为了解决现有技术中化学机械研磨后集成电路版图细线区铜金属残留的问题,本发明提供一种集成电路版图结构及其制备方法,通过增加细线区线间距,使细线...
阮文彪
陈岚
李志刚
文献传递
张应力LPCVD SiO<Sub>2</Sub>膜的制造方法
本发明公开了一种张应力LPCVD?SiO<Sub>2</Sub>膜的制造方法,包括:在衬底上采用LPCVD沉积应力为F1的压应力SiO<Sub>2</Sub>膜,F1<0;对压应力SiO<Sub>2</Sub>膜注入掺杂...
尚海平
焦斌斌
刘瑞文
陈大鹏
李志刚
卢迪克
文献传递
一种单粒子效应试验芯片的开孔方法
本发明提供了一种单粒子效应试验芯片的开孔方法,包括步骤:将芯片的封装壳开封,以暴露芯片的基底;利用胶带在芯片的基底上形成掩膜层;进行气相刻蚀;去除掩膜层。利用胶带在基底上形成掩膜层,从而进行刻蚀,以去除基底对器件区域的覆...
李志刚
卢狄克
欧毅
欧文
刘刚
陈大鹏
文献传递
在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法
本发明涉及MEMS设计及加工技术领域,公开了一种在碱性腐蚀液中保护易腐蚀MEMS器件的方法,包括:将封蜡溶于有机溶剂中,制备封蜡的饱和溶液;对待腐蚀MEMS器件正面需要保护的区域进行滴液,将制备的封蜡饱和溶液滴到待腐蚀M...
杨楷
陈大鹏
景玉鹏
焦斌斌
李志刚
文献传递
金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证(英文)
2005年
在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I V特性曲线与实验结果吻合较好,从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性.此外,通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别,得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因,即求解含有时间的主方程将增加模拟精度;而且,指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素,明显偏离理论模拟的线性增加趋势.
张立辉
李志刚
康晓辉
谢常青
刘明
关键词:
单电子晶体管
库仑阻塞
量子隧穿
双材料悬臂梁应力匹配方法
本发明提供了一种双材料悬臂梁的应力匹配方法,包括:在衬底上形成第一下层薄膜,具有第一应力和第一厚度;在第一下层上形成第二下层薄膜,具有第二应力和第二厚度,其中第一下层和第二下层为不同方法形成的同种材料;在第二下层上形成上...
刘瑞文
焦斌斌
李志刚
陈大鹏
文献传递
采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法
一种采用KOH溶液的硅基MEMS器件湿法释放方法,硅基MEMS器件具有硅衬底,硅衬底的上表面有已经制备完成的电路结构层,该方法包括以下步骤:对硅衬底的下表面进行机械抛光,在硅衬底的下表面形成有机械损伤层;先采用光刻胶覆盖...
尚海平
焦斌斌
卢迪克
李志刚
刘瑞文
陈大鹏
文献传递
一种宽频振动能量采集器结构及其制造方法
本发明提供了一种振动能量采集器的制造方法,包括以下步骤:提供上框架和下框架,并分别在上框架的下表面和下框架的上表面形成金属层;提供压电薄膜,并在其表面形成金属层;利用下框架和上框架将压电薄膜固定在中间,形成三明治结构;在...
李志刚
欧毅
欧文
陈大鹏
叶甜春
文献传递
光谱式MEMS/CMOS兼容气敏传感器
2008年
光谱技术是化学分析的终极手段.将光谱技术与MEMS(micro-electro-mechanical systems)和CMOS技术结合是解决当前气敏传感器灵敏度低、选择性差、体积大、功耗高、不便于阵列化和高度集成以至于无梯度立体矢量探测能力等问题的有效手段.本文介绍了一种制作于(110)硅片上的集成光谱式MEMS/CMOS兼容气敏传感器,详述了该气敏传感器的工作原理、传感器结构和制造工艺.
高超群
焦斌斌
刘茂哲
李全宝
杨锴
石莎莉
李志刚
欧毅
景玉鹏
陈大鹏
关键词:
MEMS
气敏传感器
光谱分析
一种填充冗余金属的方法
本发明提出一种半导体制造工艺的填充冗余金属的方法,通过结合模拟平坦性和提取金属线间电容,以对冗余金属填充进行评估和调整,并且通过多次迭代过程消除电路版图的所有平坦性热点和电容热点,从而既能够确保CMP后的电路版图厚度的一...
马天宇
陈岚
阮文彪
李志刚
叶甜春
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