李建平
- 作品数：79 被引量：71H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能
- 2007年
- 用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56＇,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.
- 马志勇王晓亮胡国新肖红领王翠梅冉军学李建平
- 关键词：ALGAN/ALN/GAN金属有机物化学气相沉积高电子迁移率晶体管
- SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制被引量：1
- 2007年
- 用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁移率和浓度分别为2215cm2/(V·s)和1.044×1013cm-2;50mm外延片平均方块电阻不高于253.7Ω/□,方块电阻不均匀性小于2.02%;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有较高的晶体质量和表面质量.用以上材料研制出了1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT功率器件,8GHz连续波输入下器件的输出功率密度为8.25W/mm,功率附加效率为39.4%;对研制的器件进行了可靠性测试,器件连续工作半小时后,输出功率只下降了0.1dBm,表明所研制的器件具备了一定的可靠性.
- 王晓亮王翠梅胡国新马志勇肖红领冉军学罗卫军唐健李建平李晋闽王占国
- 关键词：ALGAN/GANMOCVD功率器件碳化硅衬底
- GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
- 本文将介绍采用气固源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术,以获得理想掺杂分布的HBT材料的结果.
- 黄大定刘超李建平高斐孙殿照朱世荣孔梅影
- 关键词：分子束外延生长SIGE/SI原位掺杂控制技术半导体材料
- 文献传递
- 生长氮化铟单晶薄膜的方法
- 本发明一种生长氮化铟单晶薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：采用金属有机物化学气相沉积技术在衬底上生长一层成核层，该成核层可增加衬底表面的成核密度；步骤3：采用金属有机物化学气相沉积技术在成...
- 王晓亮肖红领胡国新杨翠柏冉学军王翠梅张小宾李建平李晋闽
- 文献传递
- Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究被引量：4
- 2003年
- 利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C SiC/p Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C SiC/SiGe/p Si异质结构的I V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下Al电极3C SiC/p Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1 95。
- 孙国胜孙艳玲王雷赵万顺罗木昌李建平曾一平林兰英
- 关键词：硅衬底扫描电子显微镜SEM
- 柔性衬底上GaN生长研究
- 使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO<,2>-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层.研究了GaN外延层中的应力和光学性质,光致发光测试结...
- 王军喜王晓亮刘宏新胡国新李建平李晋闽曾一平
- 关键词：分子束外延GAN柔性衬底光致发光
- 文献传递
- 高速电路用GeSi/Si外延材料
- 黄大定李建平孙殿照刘学锋刘金平林燕霞高斐邹吕凡朱世荣李灵宵孔梅影林兰英
- 该项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限...
- 关键词：
- 关键词：HBT
- 化合物半导体材料关键技术研究
- 李晋闽王晓亮曾一平闫发旺王国宏赵有文胡国新肖红领董志远王翠梅伊晓燕冉军学李建平
- “十一五”期间，中科院半导体研究所承担了多项化合物半导体材料研究的国家科研任务，包括“直径6英寸半绝缘GaAs单晶生长技术”，“新型衬底氮化镓基材料的外延技术”， “氧化锌”。上述项目，均属于化合物半导体材料研究领域，应...
- 关键词：
- 关键词：化合物半导体材料
- 一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法
- 本发明涉及III－氮化物半导体材料技术领域，特别是一种可以减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法。采用提前关闭Cp<Sub>2</Sub>Mg源并低温生长覆盖层的方法，有效减小Mg在pn结结面的记忆效应，其主要特征是...
- 冉军学王晓亮李建平胡国新王军喜王翠梅曾一平
- 文献传递
- Si(111)衬底GaN外延生长研究
- 本文研究了高温AlN缓冲层厚度对 Si(111)衬底上GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量的影响，实验采用MOCVD方法在Si(111)衬底上外延生长A、B、C、D、E五个样品，其中高温AlN缓冲层的厚度依次是50、100...
- 魏萌李建平刘宏新王翠梅肖红领王晓亮李晋闽王占国
- 关键词：表面形貌晶体质量缓冲层
- 文献传递
