您的位置： 专家智库 > >

尹成功

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 7篇氮化镓
  • 7篇肖特基
  • 7篇肖特基接触
  • 7篇晶体管
  • 5篇异质结
  • 5篇异质结场效应...
  • 5篇欧姆接触
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇势垒
  • 4篇击穿电压
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 2篇电流增益
  • 2篇增益
  • 2篇铟镓氮
  • 2篇小信号
  • 2篇金属栅
  • 2篇毫米波
  • 2篇高电子迁移率

机构

  • 10篇电子科技大学
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 10篇尹成功
  • 8篇于奇
  • 8篇杜江锋
  • 7篇黄思霓
  • 7篇严慧
  • 7篇罗杰
  • 5篇罗谦
  • 5篇赵子奇
  • 2篇陈南庭
  • 2篇刘斌
  • 1篇严慧

传媒

  • 2篇2013‘全...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 6篇2013
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有p型氮化镓埋层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，p-GaN电流阻挡层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功黄思霓严慧罗谦于奇
文献传递
一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋严慧刘斌尹成功黄思霓罗杰白智元陈南庭于奇
一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功严慧黄思霓罗谦于奇
文献传递
一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>‑GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖...
杜江锋赵子奇尹成功罗杰黄思霓严慧罗谦于奇
文献传递
一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极；其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触，栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋严慧刘斌尹成功黄思霓罗杰白智元陈南庭于奇
文献传递
一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，n-GaN缓冲层，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极...
杜江锋赵子奇罗杰尹成功严慧黄思霓罗谦于奇
文献传递
毫米波GaN基HEMT小信号建模和参数提取
GaN所具有的独特的半导体特性和GaN HEMTs器件所展现出的巨大的应用前景使得毫米波GaN HEMT器件成为当下研究的热点。对于分析GaN HEMT器件性能和设计MMIC电路,合适的GaN HEMT小信号等效电路模型...
尹成功
关键词：毫米波GAN基HEMT小信号建模
文献传递
毫米波InAlN/GaN HEMT电学特性退化机制分析
在SiC衬底上制作了栅长200hm的InAlN/GaN HEMT器件,其最大源漏输出电流为500mA/mm,电流增益截止频率fT和功率增益截止频率fmax分别为66GHz和150GHz.并深入分析了欧姆接触和异质结界面粗...
严慧杜江锋尹成功黄思霓敦少博徐鹏冯志红于奇
关键词：HEMT电子迁移率
一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n<Sup>+</Sup>-GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖...
杜江锋赵子奇尹成功罗杰黄思霓严慧罗谦于奇
毫米波AlGaN/GaN HEMT小信号建模与参数提取
利用蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN异质结制备了90nm T型栅AlGaN/GaN HEMT，其最高特征频率fT和振荡频率fmax分别为86.0 GHz和142.8 GHz。通过对不同栅宽的AlGaN/GaN HEMT对...
尹成功杜江锋严慧白智元敦少博徐鹏冯志红于奇
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓毫米波小信号等效电路
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0