周勋
- 作品数：31 被引量：64H指数：4
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：中国电子科技集团公司创新基金国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- GaN薄膜微结构与电学特性关系的X射线衍射表征与研究
- Ⅲ-V族氮化物GaN因其具有宽禁带半导体材料的典型优点而在光电器件、光探测器、新颖高性能微电子器件等领域得到广泛的应用,成为目前国际上半导体技术发展的热点。然而由于GaN材料性质特殊,高质量高性能GaN薄膜的获得存在困难...
- 周勋
- 关键词：GAN薄膜宽禁带半导体材料微结构电学性能
- 文献传递
- 压电石英亚表面损伤层分析
- 2008年
- 压电石英基片在加工过程中会带来表面/亚表面损伤,这种损伤会直接影响电子器件的性能、稳定性及寿命。该文采用扫描电镜(SEM)观测与X-射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,定量分析了36°AT切压电石英基片亚表面损伤层厚度,并探讨了亚表面损伤层的形成原因及对器件性能的影响。
- 李世岚包生祥马丽丽彭晶杜支波周勋
- 关键词：压电石英化学机械抛光
- 蓝宝石上AlN基板的MOCVD外延生长被引量：3
- 2010年
- 结合AlN成核缓冲层技术和NH3流量调制缓冲层方法,采用MOCVD在(0001)面蓝宝石衬底上生长了AlN基板,用扫描电镜、原子力显微镜及X射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基板无裂纹,其平均粗糙度为0.35nm,(0002)和(1012)回摆曲线FWHM分别为37″和712″。详细论述了AlN基板的生长模式、位错行为和应力释放途径。
- 李艳炯方亮赵红赵文伯周勇杨晓波周勋
- 关键词：ALN基板MOCVD原子力显微镜X射线衍射
- Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响被引量：1
- 2014年
- 对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与NiO氧化反应机理决定,Ni层与Au层之间的厚度比率对p型GaN欧姆接触特性的优劣有重要影响,在Ni、Au层厚度相当时可获得最佳的p型欧姆接触。
- 周勋罗木昌赵文伯黄烈云
- 关键词：P型GAN欧姆接触
- 短波红外InGaAs焦平面探测器的技术进展被引量：9
- 2015年
- InGaAs焦平面阵列探测器是短波红外(SWIR)窗口获取目标信息的主流成像器件,具有灵敏度高、可室温工作的典型技术特征,作为一类重要的军民两用技术,在军事装备、安全防范、工业检测和空天遥感等领域需求明确,应用前景广阔。文章简述了短波红外InGaAs焦平面探测器的技术进展与主要应用概况,并对该技术的发展前景进行了展望。
- 刘军华高新江周勋
- 关键词：INGAAS短波红外焦平面
- 六角相GaN外延膜的高分辨X射线衍射分析研究
- 通过实例介绍运用高分辨 X 射线衍射分析技术对 GaN 异质外延薄膜材料的微结构进行研究,希望能获得不同缓冲层生长与优化工艺以及结构模型对其结构特性参数影响方面的信息,为 GaN 材料和器件制备者提供有用的参考．
- 姬洪周勋邹泽亚左长明
- 关键词：高分辨X射线衍射GAN材料
- 文献传递
- ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响被引量：1
- 2013年
- 对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相互关系,并讨论了低温热退火对ICP刻蚀损伤的修复作用。XPS测试结果表明,与未经刻蚀的AlGaN表面相比,ICP刻蚀之后的AlGaN表面其表面氮空位VN明显增多,且Al2p、Ga3d等峰位均向高结合能方向漂移。分析讨论发现,ICP腔室压力过小或过大均不利于获得低损伤的刻蚀表面,此外,低温热退火(380℃-200s)对表面氮空位有一定的修复作用,但修复效果较为有限。
- 周勋田坤赵文伯龙维刚
- 关键词：ICP刻蚀XPS
- 日盲紫外焦平面探测器的抗辐射加固设计被引量：2
- 2019年
- 设计了一款320×256元抗辐射日盲紫外焦平面阵列探测器,重点针对探测器的读出电路版图、积分开关偏置点、探测器芯片外延结构及器件工艺开展了抗辐射加固设计。对加固样品开展了γ总剂量和中子辐照试验和测试,试验结果表明样品的抗电离辐照总剂量达到150krad(Si),抗中子辐照注量达到1×1013 n/cm2(等效1MeV中子),验证了抗辐射加固措施的有效性。
- 申志辉罗木昌叶嗣荣樊鹏周勋
- 关键词：读出电路抗辐射加固总剂量效应
- 基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备
- 2016年
- 对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍。通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器。
- 叶嗣荣周勋李艳炯申志辉
- 关键词：GAN背照式
- 失配异质结构InGaAs/InP的MOCVD生长
- 2012年
- 基于延展波长(截止波长2.2μm)InGaAs-PIN光电探测器进行了失配异质结构InxGa1-xAs(x=0.72)/InP的MOCVD外延生长研究。采用宽带隙组分梯度渐变的InAlAs作为缓冲层和顶层,通过生长优化,获得了满足器件要求的外延材料。
- 周勇赵志强周勋刘万清莫才平
- 关键词：INGAASMOCVD
