吴泽明
- 作品数：6 被引量：11H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学金属学及工艺更多>>
- 连续波CO_2激光辅助AuGeNi-InP合金
- 2002年
- 利用激光辅助合金的方法 ,生成InP表面AuGeNi InP合金 ,并形成良好的欧姆接触 ,上下表面面间电阻为5 .8Ω。研究了合金工艺参量 (如合金时间、合金温度、镀膜厚度等 )
- 叶玉堂吴云峰吴泽明杨先明范超秦宇伟方勇文郑华李莹波
- 关键词：欧姆接触半导体化合物微细加工连续CO2激光器
- 激光微细加工中微小曝光区域的计算机温度测量系统被引量：10
- 2004年
- 在半导体的激光微细加工技术里 ,微小曝光区域的温度分布是关键的工艺参数 ,必须得到精确的测量。而为了使温度测量不影响曝光区的温度分布 ,需采用不接触测量方法。研制了计算机温度测量系统 ,实现了微小激光曝光区温度的实时不接触测量。系统中 ,InGaAs/InP光探测器将微小高温区的温度信号转换为光电流 ,再经信号放大及模 /数转换后输入计算机。结合温度定标实验 ,对测得的温度数据进行插值运算 ,在实验中可以实时显示出曝光区的温度值。系统的温度分辨率可达到 0 .2℃ ,测量区域的最小直径可达到 18μm。同时设计了搜索算法 ,使温度数据采集和精密位移平台的移动相配合 。
- 吴云峰叶玉堂吴泽明杨先明秦宇伟
- 关键词：激光微细加工半导体
- (HgCd)Te探测器Franz-Keldysh效应有效强度的一种表征方法被引量：1
- 2001年
- 提出一种表征 ( Hg Cd) Te探测器 Franz- Keldysh效应有效强度的简易方法 ,即用 ( Hg Cd) Te探测器在反偏压及零偏压时的输出电压比来表征其 Franz- Keldysh效应有效强度的强弱 ,实验结果证实了这种方法有效、可行 .
- 李正东叶玉堂吴云峰舒海洪何琳玲李德智吴泽明
- 关键词：FRANZ-KELDYSH效应
- InGaAs//InP PIN光探测器的激光微细加工制作
- 用激光诱导扩散和激光辅助合金的方法，制成InGaAs//InP探测器，
响应度达到0.21A//W。据我们所知，国内还未见关于用激光微细加工技
术制作1.3～1.55μm PI...
- 吴泽明
- 文献传递
- InP基片在连续波CO_2激光局域加热时的温度上升特性被引量：1
- 2004年
- 采用聚焦连续波 CO2 激光束对 n型 In P基片进行局域加热 ,并利用专用的温度测量系统对 In P基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量 .结果表明 ,在基片初始温度为室温时 ,难以得到满足加工所要求的温度上升 .增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求 ,但温度的稳定性较差 .采用研制的温度控制系统 。
- 吴云峰叶玉堂吴泽明杨先明秦宇伟
- 关键词：INP激光微细加工
- 半导体基片在10.6μm激光局域加热时的温度上升
- 2004年
- 在激光诱导扩散等激光微细加工技术中 ,需要用聚焦激光束照射基片表面 ,以形成局部高温区。为使局部高温区的温度分布满足实验要求 ,对 10 6 μm聚焦连续波CO2 激光束照射下半导体基片的温度上升进行了数值计算。计算中考虑了基片材料对 10 6 μm激光的吸收系数随温度的变化。计算得到了温度上升与基片预热温度、入射激光束功率及曝光面积等参数的关系。结果表明 ,基片初始温度为室温及激光焦斑直径小于 10 0 μm时 ,激光照射形成稳定高温区的最高温度不超过 6 0 0K。增加基片初始温度 ,可以在建立满足要求的温度上升的同时 ,减小基片上高温区分布的面积。在同一初始温度下 ,在基片高温区分布的面积符合实验要求的前提下 ,应尽量使用较大的光斑尺寸和激光功率 ,从而使基片表面热斑的温度分布更易控制。
- 吴云峰叶玉堂吴泽明杨先明秦宇伟
- 关键词：激光技术激光微细加工半导体温度上升
