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秦宇伟

作品数:14 被引量:15H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金四川省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术机械工程金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 11篇激光
  • 8篇微细
  • 8篇微细加工
  • 6篇激光微细加工
  • 4篇激光诱导
  • 4篇激光诱导扩散
  • 4篇半导体
  • 3篇温度
  • 3篇温度测量
  • 3篇光学
  • 2篇底片
  • 2篇对比度
  • 2篇仪器
  • 2篇扫描式
  • 2篇摄影
  • 2篇摄影机
  • 2篇温度上升
  • 2篇污点
  • 2篇连续波
  • 2篇脉冲

机构

  • 14篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 14篇秦宇伟
  • 13篇杨先明
  • 13篇吴云峰
  • 13篇叶玉堂
  • 5篇范超
  • 5篇张雪琴
  • 4篇吴泽明
  • 4篇余学才
  • 4篇郑华
  • 4篇李莹波
  • 4篇方勇文
  • 2篇焦世龙
  • 1篇谢兴盛
  • 1篇王兵学

传媒

  • 4篇中国激光
  • 2篇光学学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇计量与测试技...
  • 1篇光电工程

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2005
  • 7篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种光学仪器内部光学元件状况的检测方法
本发明提供了一种检测光学仪器内部元件的方法,它采用了激光光源,利用激光良好的会聚性,减少了镜面之间信号的相互干扰;通过观测激光在被检测光学表面的反射光,利用反射光在有损伤时呈现出的高对比度,能够容易地检测出的损伤。本发明...
叶玉堂范超吴云峰张雪琴余学才杨先明方勇文郑华李莹波秦宇伟
文献传递
激光微细加工中微小曝光区域的计算机温度测量系统被引量:10
2004年
在半导体的激光微细加工技术里 ,微小曝光区域的温度分布是关键的工艺参数 ,必须得到精确的测量。而为了使温度测量不影响曝光区的温度分布 ,需采用不接触测量方法。研制了计算机温度测量系统 ,实现了微小激光曝光区温度的实时不接触测量。系统中 ,InGaAs/InP光探测器将微小高温区的温度信号转换为光电流 ,再经信号放大及模 /数转换后输入计算机。结合温度定标实验 ,对测得的温度数据进行插值运算 ,在实验中可以实时显示出曝光区的温度值。系统的温度分辨率可达到 0 .2℃ ,测量区域的最小直径可达到 18μm。同时设计了搜索算法 ,使温度数据采集和精密位移平台的移动相配合 。
吴云峰叶玉堂吴泽明杨先明秦宇伟
关键词:激光微细加工半导体
激光微细加工中微小曝光区温度测量系统的改进
2003年
在半导体的激光微细加工技术里 ,需要对微小曝光区域的温度分布进行不接触测量。文献 [6]报道的温度测量系统基本满足这一要求 ,但在实际使用过程中还存在一些需要克服的困难。首先是温度分辨率和温度测量范围不能同时满足使用要求 ,其次是不能进行温度分布的准确测量和最高温度点的准确定位。本文提出了对原有系统的改进方法 ,改进后的计算机温度测量系统较好的解决了原系统存在的这些问题。
谢兴盛吴云峰叶玉堂杨先明秦宇伟
关键词:激光微细加工半导体
激光微细加工中微小高温面元温度实时测控系统的研究
在激光微细加工中,激光曝光区的温度对激光诱导扩散生成p-n结的结深、杂质浓度的分布和激光辅助合金生成欧姆接触的接触电阻等具有决定性影响,必须准确测定.此外,由于Si、InP等半导体基片对10.6μm波长激光的吸收系数随温...
秦宇伟
关键词:激光微细加工激光诱导扩散温度测量温度控制
文献传递
连续波CO_2激光辅助AuGeNi-InP合金
2002年
利用激光辅助合金的方法 ,生成InP表面AuGeNi InP合金 ,并形成良好的欧姆接触 ,上下表面面间电阻为5 .8Ω。研究了合金工艺参量 (如合金时间、合金温度、镀膜厚度等 )
叶玉堂吴云峰吴泽明杨先明范超秦宇伟方勇文郑华李莹波
关键词:欧姆接触半导体化合物微细加工连续CO2激光器
10.6μm激光诱导扩散中热致破坏的抑制被引量:1
2004年
在半导体激光诱导扩散实验中,用连续波CO210.6μm激光聚焦后照射基片表面。为实现局部区域的选择扩散,激光光斑半径仅数十微米。要使曝光区温度达到扩散实验要求,必须使曝光区功率密度很高。另一方面,Si、InP等半导体材料对10.6μm波长激光的吸收系数随温度的升高而增大,这导致实验时容易产生热致破坏,损伤基片。在分析热致破坏的产生机理后,提出了在聚焦激光束照射下,曝光区温度的数值计算方法。计算结果表明,在半导体基片初始温度为室温时,以恒定功率的激光束照射基片,曝光区温度不能稳定在扩散试验需要的温度范围。在此基础上,提出了预热基片及对曝光区温度进行实时控制等抑制热致破坏的方法,有效地克服了这一困难。这对于用激光微细加工制作出高性能的单片光电集成电路(OEICs)器件有重要意义。
吴云峰叶玉堂杨先明秦宇伟焦世龙
关键词:激光光学激光微细加工激光诱导扩散
InP基片在连续波CO_2激光局域加热时的温度上升特性被引量:1
2004年
采用聚焦连续波 CO2 激光束对 n型 In P基片进行局域加热 ,并利用专用的温度测量系统对 In P基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量 .结果表明 ,在基片初始温度为室温时 ,难以得到满足加工所要求的温度上升 .增大曝光区面积和对基片预热可以使温度上升的幅度达到要求 ,但温度的稳定性较差 .采用研制的温度控制系统 。
吴云峰叶玉堂吴泽明杨先明秦宇伟
关键词:INP激光微细加工
激光诱导扩散区温度分布的均匀化被引量:2
2005年
用连续波激光诱导扩散制作单片集成光接收机中的探测器时,激光照射形成的高温区面积很小.当入射激光焦斑光强为高斯分布甚至平顶帽形"分布时,微小扩散区温度分布的均匀性都不能达到实验的要求.提出了用掩模对入射高斯光束进行空间调制的方法来实现扩散区温度的均匀化.该方法的关键是计算出实现均匀的温度分布所需要的焦斑光强分布参数.给出了计算方法和计算实例.结果表明,均匀化后,在扩散区平均温度上升值为500K时,扩散区内的最大温度差为3 9 K,并且高温区的温度分布接近平顶帽形".
吴云峰叶玉堂王兵学杨先明秦宇伟
关键词:激光技术激光诱导扩散温度分布均匀化
微小激光加工区辐射测温系统的调焦被引量:1
2005年
将红外辐射测温系统用于半导体基片表面温度测量时,系统的调焦状况将影响测温结果的准确性。对这种影响进行了理论计算。结果表明,当被测高温区面积较大时,可以允许较大的调焦范围。但在激光诱导扩散等激光微细加工工艺中,曝光区直径仅数十微米量级,对系统的调焦提出了较高的要求。计算了在可见光波段和近红外波段两种情况下系统成像物镜的焦距。当成像物镜在波长为0.546μm时的焦距为30mm,并固定像距为196mm时,得到在波长为1.335μm时的物距比波长为0.546μm时大1.33mm。利用这个结果,结合在不同物距时系统对被测高温区进行扫描得到的温度分布,提出了调焦的方法。利用该方法,系统物距可调节到最佳物距为中心±0.05mm的范围内,满足了微小面元温度测量的要求。
吴云峰叶玉堂杨先明秦宇伟张雪琴
关键词:表面温度测量微细加工工艺激光诱导扩散物距行扫描
一种测量扫描式转镜高速摄影机瞬时扫描速度的方法
本发明提供了一种测量扫描式转镜高速摄影机瞬时扫描速度的方法,它是通过激光脉冲序列在底片上曝光形成一列时标点,采用底片分析仪分析底片时,对应于有效记录过程中的不同时刻,根据相邻时标点间的距离L和时间间隔T,便可测得该时刻的...
叶玉堂吴云峰余学才杨先明范超秦宇伟方勇文郑华李莹波张雪琴
文献传递
共2页<12>
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