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冯向明

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学微电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇VLSI
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机模拟
  • 1篇光刻
  • 1篇反应离子

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇冯向明
  • 2篇阮刚

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇应用科学学报

年份

  • 1篇1990
  • 1篇1989
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
适用于VLSI的光刻模型及模拟的若干研究
1989年
本文讨论了光刻模拟的有关模型,提出了一种适用于VLSI光刻工艺模拟的程序FUPLIS,给出了用FUPLIS对若干光刻工艺进行模拟的结果,模拟结果对光刻工艺的理解和指导有重要作用.
冯向明阮刚
关键词：计算机模拟
一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型
1990年
本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。
冯向明阮刚
关键词：VLSI离子刻蚀
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共1页<1>
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