侯立峰
- 作品数：15 被引量：22H指数：4
- 供职机构：中国人民解放军装甲兵技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 无线电技术的无线通信系统抗干扰技术研究
- 2014年
- 各种干扰信号的存在使得无线电通信的环境日益恶劣，在分析现代无线电通信系统中常见的抗干扰技术的基础上，提出了基于软件无线电技术的无线电通信系统抗干扰技术，阐明了无线电通信系统软件无线电抗干扰的关键技术，采用软件无线电的通信抗干扰技术具有良好的前景。
- 侯立峰杨永庄
- 关键词：抗干扰技术软件无线电
- 垂直腔面发射激光器的湿法氧化速率规律被引量：4
- 2009年
- 为实现垂直腔面发射激光器(VCSEL)氧化孔径的精确控制,对垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的氧化速率规律进行了实验研究。在不同的温度下对垂直腔面发射激光器样品进行湿法氧化,氧化后采用扫描电镜(SEM)对氧化层不同氧化深度处生成物组成进行了微区分析。结果表明在不同氧化深度处氧化生成物各元素的组分含量不同,尤其氧元素的组分含量差别较大。分析和讨论了氧化不同阶段的反应类型和反应生成物,并建立了氧化速率随时间变化的数学模型,推导出在湿法氧化过程中,氧化速率随时间按指数规律变化,指出在一定的温度下,氧化时间越长,氧化速率越趋于稳定;适当降低氧化温度,延长氧化时间可提高氧化工艺的可控性与准确性。
- 侯立峰钟景昌赵英杰郝永芹冯源谢浩锐姜晓光
- 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器湿法氧化氧化速率
- 基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器被引量：1
- 2011年
- 高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力;采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AlN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件;对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AlN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW。AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能。
- 钟钢侯立峰王晓曼
- 关键词：激光器垂直腔面发射激光器钝化层
- 高功率垂直腔面发射半导体激光器热理论与制备工艺研究
- 由于高功率垂直腔面半导体激光器(VCSEL)与传统的大功率边发射半导体激光器相比具有很多独特的优点,近年来,高功率VCSEL的研制已经成为国内外众多科学工作者的研究热点。但由于VCSEL存在严重的自生热,自生热引起温度升...
- 侯立峰
- 关键词：垂直腔面发射激光器高功率热特性
- 文献传递
- 运用仿真技术实现LC振荡电路设计与实验
- 2014年
- 依据LC振荡电路的振荡原理，阐述了EWB仿真软件的特点及功能，并运用该软件对LC振荡电路的起振和平衡过程进行了仿真。结果表明，与理论分析结果一致，该仿真实验弥补了理论教学资源的不足，成为现行教学的一种有益的补充。
- 瞿建新杨永庄侯立峰
- 关键词：EWBLC振荡电路
- 用无线通信模块实现计算机之间的数据传送
- 2009年
- 本文介绍了利用无线通信模块实现计算机与计算机之间的通信，其通信手段采用计算机串行口控制无线通信模块实现数据的传送，本文给出了数据传送的原理和应用实例。
- 杨永庄侯立峰许玉昆
- 关键词：串行口通信无线通信模块VB
- 垂直腔面发射激光器中氧化速率规律的研究被引量：1
- 2008年
- 本文在不同条件下进行了选择性氧化实验,从中获得被氧化样品的微观结构图片和不同氧化深度处的各组分含量.由于氧化速率主要受扩散控制的影响,因而本研究运用扩散动力学方法对实验结果进行分析.所推导出氧化规律的数学拟合曲线与实验所得数据基本吻合,从而得出垂直腔面发射激光器氧化剂浓度随氧化深度的增加呈现指数衰减的规律.
- 冯源钟景昌郝永芹赵英杰侯立峰么艳萍
- 关键词：垂直腔面发射激光器氧化速率
- 一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器
- 一种双内腔接触式n侧出光框架支撑结构面发射半导体激光器及其制作方法，属于半导体激光器制造技术领域。相关的现有技术采用p型与n型电极均为内腔接触式的，但其电极只在p侧引入，以减少双侧DBR电阻。该技术存在的主要问题是，p型...
- 侯立峰刘学东万灵敏张建家赵英杰晏长岭冯源郝永芹李占国李特赵博戈红丽赵宇斯刘羽金国烈许鹏王勇
- 文献传递
- 新型结构垂直腔面发射激光器的研制被引量：7
- 2009年
- 为改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高其光电性能,研制了新型辐射桥结构的VCSEL,即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻,改善器件的模式特性。在同一外延片上,采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件,并对两种器件的光电性能进行了对比测试。结果表明,辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25%,输出功率提高到1.6倍;辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性,80℃时仍能正常激射,60℃时最大输出功率可达17 mW,器件的热阻可达1.95 ℃/mW;器件单模工作,其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件。
- 赵英杰郝永芹李广军冯源侯立峰
- 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器热阻
- 垂直腔面发射激光器湿法氧化工艺的实验研究被引量：2
- 2009年
- 为实现对垂直腔面发射半导体激光器氧化孔径的精确控制,提高其光电特性,对湿法氧化工艺进行了实验研究.在不同的氧化温度下,对相同结构的垂直腔面发射半导体激光器模拟片进行湿法氧化.采用X射线能谱分析仪,对氧化后模拟片的氧化层按不同的氧化深度对其氧化生成物进行检测.依据氧化生成物中氧元素组分浓度的变化,对氧化过程进行了分析与讨论,推导出在一定的温度下,氧化速率随时间变化的一般规律.提出了在垂直腔面发射半导体激光器的湿法氧化工艺过程中,适当降低氧化温度,延长氧化时间,可减小氧化限制孔径的控制误差,提高氧化工艺的准确性与稳定性.
- 侯立峰冯源钟景昌杨永庄赵英杰郝永芹
- 关键词：垂直腔面发射激光器湿法氧化
