郭亮良
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划西安应用材料创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究被引量：2
- 2007年
- 基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.
- 刘杰郝跃冯倩王冲张进城郭亮良
- 关键词：氮化镓肖特基二极管
- β-Ga_(2)O_(3)SBD器件的解析模型与仿真研究
- 2023年
- 本文设计了不同电场调节策略的Ga_(2)O_(3)SBD器件,通过研究器件结构、钝化层方案下器件电学特性,分析不同终端结构(场板结构FP、边缘终端结构ET、沟槽型Trench、高K钝化)下Ga_(2)O_(3)SBD的结构设计.此外本文结合理论分析和实验数据拟合,完善了Ga_(2)O_(3)材料和器件模型,通过对比实验数据验证了模型的正确性.研究发现:(1)高K钝化(κ>100)结合场板结构可有效舒缓表面电场并提升结终端效率,2μm Ga_(2)O_(3)SBD采用BaTiO_(3)钝化场板可实现终端效率91.4%,V_(br)=1.43 kV,巴利加优值BFOM=1.62 GW/cm^(2),七倍于Al2O_(3)FP SBD;(2)采用BaTiO_(3)钝化的FP&ET复合终端可实现终端效率93.6%,V_(br)=1.46 kV,BFOM=0.41 GW/cm^(2);(3)相较FP设计,SiO_(2),Al2O_(3),HfO_(2)钝化的FP&Trench SBD更适于改善SBD导通电阻Ron,sp,V_(br)及BFOMs.上述研究为优化Ga_(2)O_(3)功率器件性能提供了理论依据和参考.
- 张弘鹏郭亮良陈铖颖贾仁需元磊彭博张玉明栾苏珍张宏怡张义门
- 关键词：氧化镓SBD功率器件
- 钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响被引量：1
- 2007年
- 由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaNHEMT的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应.
- 马香柏张进城郭亮良冯倩郝跃
- 关键词：电流崩塌钝化场板结构
- AlGaN/GaN FP-HEMTs的制造与研究
- GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件已经表现出了出色的微波功率性能，A1GaN/GaNHEMT器件被认为是1—50GHz频率范围内理想的微波功率器件。但是，仍然存在两个问题严重阻碍了其在微波大信号领域的发展，一个电流...
- 郭亮良
- 关键词：微波功率器件场板结构击穿电压电流崩塌
- 文献传递
- 垂直增强型氧化镓MOSFET器件自热效应研究被引量：1
- 2022年
- 本文设计了垂直增强型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件,针对氧化镓材料的热导率低,通过研究不同晶向材料、不同热阻和不同温度下器件的输出特性,分析器件的温度分布特点,对Ga_(2)O_(3)MOSFET的热学特性进行分析.热导率模型通过研究氧化镓不同晶向时对器件的输出特性及温度分布的影响,得到[010]晶向的热导率最好,T=300 K时,比其他晶向的热导率高约0.1 W/cm K,相同电压下对应的输出饱和电流最大(V_(gs)=3 V时,I_(dsat)>400 A/cm^(2)).进一步研究了不同晶向Ga_(2)O_(3)MOSFET在不同环境温度时的输出特性曲线,随着热阻降低,器件边界散热能力提高,自热效应的影响被抑制,源漏饱和电流增大,边界热阻在0.01–0.005 cm^(2)K/W时可确保器件的正常工作.这些都为日后优化器件性能提供了可靠的方法和参考价值.
- 郭亮良栾苏珍张弘鹏乔润迪余建刚张玉明贾仁需
- 关键词：氧化镓功率器件
- 氮化镓干法刻蚀研究进展被引量：1
- 2006年
- 对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌。在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于80°且刻蚀表面均方根粗糙度小于3nm。对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法。
- 王冲郝跃冯倩郭亮良
- 关键词：氮化镓等离子体刻蚀损伤
- 高击穿电压的AlGaN/GaN FP-HEMT研究与分析被引量：3
- 2007年
- 就蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52V提高到了142V.在此基础上利用Sivaco软件对两种器件进行模拟仿真,深入分析了FP对器件击穿电压的影响.
- 郭亮良冯倩郝跃杨燕
- 关键词：ALGAN/GANHEMT场板击穿电压
- GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系被引量：3
- 2007年
- 研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.
- 郭亮良冯倩马香柏郝跃刘杰
- 关键词：GAN场板击穿电压电流崩塌
