马香柏
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
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- AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的实验研究
- AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）由于击穿场强大、电子峰值速度高和电子面密度大等优点，在微波大功率应用方面，已经得到广泛的关注。尽管AlGaN/GaNHEMT表现出了优异的性能，仍然有一些问题需要研究...
- 马香柏
- 关键词：电流崩塌
- 文献传递
- 应力对GaN HEMT器件电流崩塌的影响
- 2007年
- 电流崩塌是目前GaN HEMT微波功率器件中最严重的问题之一,国内外都有研究,但尚无统一结论。通过实验,研究了GaN HEMT器件电流崩塌现象。研究表明,不同电应力条件下,导致漏电流崩塌和最大跨导下降的物理机制不同,在大电场应力下,主要物理机制是栅隧穿电子填充表面态;而在热电子应力下,是沟道热电子填充界面态。
- 马香柏张进城郝跃冯倩
- 关键词：GANHEMT电流崩塌
- 钝化与场板结构对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌的影响
- 2007年
- 由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起漏极电流的下降.文中采用应力测试方法,研究了未钝化、钝化以及场板三种结构的AlGaN/GaNHEMT的电流崩塌程度.实验结果表明,钝化隔断了电子从柵隧穿到AlGaN表面的通道,场板结构能够有效降低柵边缘电场,均减少了电子从柵隧穿到表面陷阱的几率,从而使虚柵的作用减弱,有效地抑制了电流崩塌效应.
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- 关键词：电流崩塌钝化场板结构
- 微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展
- 2006年
- 文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaNHEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向。
- 马香柏郝跃张进城
- 关键词：ALGAN/GAN微波功率
- GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系被引量：3
- 2007年
- 研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.
- 郭亮良冯倩马香柏郝跃刘杰
- 关键词：GAN场板击穿电压电流崩塌
