王莉
- 作品数：24 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 柔性发光器件及其制备方法、发光装置
- 本发明公开了一种柔性发光器件及其制备方法、发光装置，一种柔性发光器件，包括：上透明导电薄膜、下透明导电薄膜、以及多个发光单元，所述发光单元夹设并电性连接于所述上透明导电薄膜和下透明导电薄膜之间，所述发光单元包括两个正反向...
- 綦成林伊晓燕刘志强王莉詹腾马俊王钦金
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- 提高八毫米PIN开关保护器隔离度的实验研究
- 1991年
- 一、前言 1989年,我们研制成功全平面结构的PIN鳍线开关保护器。典型特性为下:频率f=33～35GHz时,正向插损I_+<1.0dB,反向隔离I_->20dB,驻波系数S<1.2,开关时间τ<80ns,承受功率P_(C～I),并具有良好的一致性和可靠性。隔离度是开关保护器的主要指标。保持鳍线开关保护器正向插损基本不变的情况下,如何进一步提高它的隔离度,是我们的研究课题之一。初步实验,我们已得到17dB的隔离度改善的好结果,即从35dB提高到52dB,插损基本上保持不变。
- 周春方雨方浦明王良臣王莉郑东
- 关键词：毫米波PIN管隔离度
- 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法
- 一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法，其中氮化镓基发光器件，包括：一透明衬底；一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层...
- 郭金霞王良臣梁萌王莉黄亚军伊晓燕刘志强
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- GaN基发光二极管的制备方法
- 一种GaN基发光二极管的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上依序生长缓冲层和n型GaN层；步骤2：采用光刻的方法，在n型GaN层上制备选择性生长掩膜；步骤3：在去掉选择性生长掩膜的n型GaN层的上面依序生长多量子阱...
- 黄亚军王莉樊中朝刘志强伊晓燕
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- 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法
- 一种抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法，包括：在一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上表面的P型氮化镓层上沉积SiO<Sub>2</Sub>层并制作图形；在图形上制作一单层微纳米球，形成基片；将基片加热，使得微纳米球坍...
- 刘娜孙雪娇孔庆峰梁萌王莉魏同波刘志强伊晓燕王军喜李晋闽
- 一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法
- 本发明公开了一种模块化阵列式高压LED芯片及其制造方法，芯片由至少一个单元模块组成，该单元模块包含至少一个LED微晶粒；各LED微晶粒之间互相绝缘隔离集成于衬底上，且各单元模块中的LED微晶粒之间以及单元模块之间通过互联...
- 詹腾郭金霞田婷伊晓燕王莉李璟王国宏
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- 1.3微米低阈值DC—PBH激光器
- 报导了低阈值DC—PBH激光器的研制结果，条宽作到1．5微米左右，最低阈值为12．6亮安，线性输出功率10～15毫瓦，单横模，并测量了平行于p-n结方向的发光相位均匀性，得到在一定功率输出水平下相位均匀的光束。（本刊录）
- 彭怀德汪孝杰王莉
- 关键词：半导体激光器性能分析
- 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法
- 一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法，包括如下步骤：步骤1：取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片，将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀，形成台面，该台面是LED的发光区域；步骤2：在台...
- 郭恩卿刘志强汪炼成伊晓燕王莉王国宏
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- 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法
- 本发明公开了一种测量氮化物LED内量子效率的方法，包括如下步骤：制作多个氮化物LED测试样品，使之自下至上依次为衬底、n型层、有源区、p型层和ITO层；从各测试样品表面到n型层刻蚀出一个台面，在该台面上蒸镀上n电极，在I...
- 魏学成赵丽霞王莉孔庆峰卢鹏志王军喜曾一平李晋闽
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- 一种晶圆级基板微通孔电镀方法
- 本发明公开了一种晶圆级基板微通孔电镀方法，包括：化学清洗并高温酸洗带微通孔的基板；其中基板上带有通孔，高温酸洗后过PI和无水乙醇；晶圆级基板一面蒸镀金属引导层；金属引导层表面粘贴绝缘层；外电源阳极与金属引导层相连接后，将...
- 王莉谢海忠刘志强伊晓燕郭恩卿王军喜李晋闽
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