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杨大江

作品数:5 被引量:51H指数:3
供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇IGCT
  • 2篇新型功率器件
  • 2篇透明阳极
  • 2篇晶闸管
  • 2篇功率器件
  • 2篇半导体
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子器件
  • 1篇电子器件
  • 1篇设计技术
  • 1篇数值模拟
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇门极
  • 1篇门极换流晶闸...
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇纳米管
  • 1篇缓冲层
  • 1篇换流

机构

  • 5篇西安交通大学
  • 3篇西安电力电子...

作者

  • 5篇杨大江
  • 4篇朱长纯
  • 3篇白继彬
  • 3篇姚振华
  • 2篇张昌利
  • 1篇刘卫华
  • 1篇张声良
  • 1篇王琪琨
  • 1篇吴春瑜
  • 1篇刘伟
  • 1篇窦菊英

传媒

  • 2篇电力电子技术
  • 2篇西安交通大学...

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 2篇1999
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
IGCT器件的计算机模拟被引量:4
2001年
对IGCT器件的主体GCT部分进行了工艺模拟 ,包括一维模拟与二维模拟 ,对工艺流程进行了优化设计 ,最后得到了理想的纵向杂质分布及网格划分 。
杨大江姚振华朱长纯白继彬
关键词:计算机模拟半导体器件
新型功率器件集成门极换流晶闸管(IGCT)的研究
杨大江
关键词:透明阳极缓冲层集成门极换流晶闸管
新型功率器件(IGCT)的工作原理及其设计技术被引量:34
1999年
阐述了新型功率半导体器件———集成门极换向型晶闸管IGCT(Integrated Gate Com mutated Thyristor) 的基本工作原理和关键设计技术。IGCT在GTO 技术的基础上,采用硬驱动技术,集成其门极驱动电路和反并联二极管,省去了吸收电路,兼具GTO 导通损耗低和IGBT 关断均匀的特点。由于其开关频率高,易于串联,故适合在中电压大功率领域使用。
杨大江姚振华朱长纯白继彬张昌利
关键词:功率器件晶闸管电力电子器件
场发射用碳纳米管的研究被引量:13
1999年
用直流电弧法制备出了可用于场发射的碳纳米管,其长度在0.5~1μm之间,管径约20~30nm,且大多数具有多层结构.研究发现,经超声分离的样品中有大量便于移植的一端封口的碳管.详细讨论了生长的工艺条件对碳管形貌的影响,给出了生长场发射用碳纳米管的优化工艺条件.
朱长纯王琪琨但亚平刘卫华杨大江窦菊英张声良
关键词:碳纳米管场致发射FED纳米材料
集成门极换向型晶闸管透明阳极的数值模拟
2001年
分析了集成门极换向型晶闸管 (IGCT)的透明阳极相对于传统阳极的特点 ,并进行了数值模拟 .利用有限差分法求解电子电流密度方程、空穴电流密度方程、载流子连续性方程和泊松方程的联立方程组 ,得到了透明阳极的发射效率随电子电流密度增大而增大的变化关系 .透明阳极的这种特点使得IGCT在大电流关断时能够迅速地排出过剩的载流子 ,保证了关断时的均匀性 ,简化甚至消除了吸收电路 ,使得IGCT在中电压、大功率场合具有广泛的用途 .
姚振华朱长纯刘伟吴春瑜杨大江白继彬张昌利
关键词:透明阳极功率半导体数值模拟IGCT
共1页<1>
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