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李育峰

作品数：4 被引量：21H指数：2
供职机构：苏州大学更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇等离子体
  • 2篇氧化铟
  • 2篇氧化铟锡
  • 2篇ITO膜
  • 1篇等离子体辅助
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电膜
  • 1篇微波
  • 1篇基片
  • 1篇基片温度
  • 1篇ECR等离子...
  • 1篇ITO

机构

  • 4篇苏州大学

作者

  • 4篇程珊华
  • 4篇宁兆元
  • 4篇李育峰
  • 2篇薛青
  • 2篇金宗明
  • 1篇马廷海
  • 1篇高伟建

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇真空
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇苏州大学学报...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1995
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
微波ECR等离子体辅助反应蒸发沉积ITO膜被引量：12
1995年
发展了一种新型的微波电子回旋共振等离子体（ＥＣＲ）辅助反应蒸发沉积薄膜的方法，并且使用它成功地在低气压（１０￣（－２）Ｐａ）、低温基片（３０～１００℃）上，不作后处理，直接制备出了附着力强，透光率高于８５％，方阻低于１００Ω／□的ＩＴＯ膜。
程珊华宁兆元薛青金宗明高伟建李育峰
关键词：ITO膜微波ECR等离子体
在有机玻璃基底上制备ITO透明导电膜被引量：6
1996年
使用直流辉光和微波电子回旋共振两种等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备了透明导电ＩＴＯ膜。在实验中详细地研究了氧分压对膜的透光率和方阻的影响。由于等离子体对膜料的活化和对基片表面的轰击效应．降低了沉积温度。
程珊华李育峰宁兆元
在低基片温度下制备的 ITO 透明导电膜的性能被引量：2
1997年
发展了使用直流辉光放电等离子体辅助反应蒸发法在低温玻璃基片上制备ＩＴＯ膜的工艺，研究了主要的工艺参数，如Ｓｎ／Ｉｎ配比，氧分压，基片温度等对于膜的透光率和电阻的效应。
李育峰程珊华宁兆元薛青金宗明马廷海
关键词：ITO膜氧化铟锡
在塑料基底上低温沉积ITO透明导电膜被引量：1
1996年
本文叙述了使用等离子体辅助反应蒸发法在有机玻璃基底上制备透明导电ITO膜的研究结果。成功地在室温的条件下,制备出了高透明的、满足防静电要求的产品。
程珊华李育峰宁兆元
关键词：等离子体氧化铟锡
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共1页<1>
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