程珊华
- 作品数：53 被引量：286H指数：12
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）江苏省薄膜材料重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省高校省级重点实验室开放课题更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 对电子束蒸发沉积的ZnO:Al膜电学性能的研究被引量：2
- 1998年
- 使用电子束蒸发法沉积了铝掺杂的氧化锌透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及XRD、SEM测试分析,详细研究了沉积时的基片温度对膜的电学性能的影响。结果表明:基片温度影响膜的载流子浓度、迁移率以及膜的结晶程度,在基片温度为200℃附近沉积的膜具有较低的电阻率和较高的透光率。
- 葛水兵程珊华宁兆元
- 关键词：氧化锌铝电学性能
- 基片温度对含氢非晶碳膜电学特性的影响被引量：1
- 2000年
- 用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜 (α C :H) ,对样品进行了伏安特性测试 考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影响 ,并结合Raman谱探索α C
- 马春兰程珊华宁兆元
- 关键词：非晶碳膜基片温度电学特性
- 流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响被引量：3
- 2003年
- 使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a-C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a-C:F薄膜中含有更高的C-F键成分。可见在a-C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3+C6H6)流量比是重要的控制参量。
- 杜伟程珊华宁兆元叶超辛煜黄松
- 关键词：化学气相沉积氟化非晶碳薄膜发射光谱
- 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积a-CF_x薄膜的化学键结构被引量：18
- 2001年
- 使用CHF3 和C6H6混合气体做气源 ,在一个电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积装置中制备了氟化非晶碳 (a CFx)薄膜 .利用发射光谱研究了等离子体中形成的各种碳 氟、碳 氢基团随放电宏观参量的变化规律 ,对薄膜做了傅里叶变换红外光谱和X射线光电子能谱分析 ,证实等离子体中的CF2 ,CF和CH基团是控制薄膜生长、碳
- 宁兆元程珊华叶超
- 关键词：氟化非晶碳薄膜沉积速率
- 氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性被引量：1
- 2002年
- 用苯 (C6H6)和三氟甲烷 (CHF3 )混合气体作源气体 ,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)技术 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系 ;伏安特性的测量表明a C∶F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性 。
- 黄峰康健杨慎东叶超程珊华宁兆元甘肇强
- 关键词：光学带隙伏安特性超大规模集成电路
- 用脉冲电化学法在低HF浓度下制备多孔硅的研究被引量：3
- 2002年
- 用脉冲电化学阳极氧化的方法在 5 %的低HF浓度下获得多孔硅。多孔硅的形成和脉冲电场的施加、去除过程中与电解液 硅半导体体系中物理化学过程的变化有关。在施加电场的间隙 ,由于Si/电解液界面处HF的补充 ,SiO2 的溶解增强 ,使得在低HF浓度下Si的溶解速率比其氧化速率高 ,从而导致多孔硅的形成。同时 ,在高电场作用下 ,由于产生了高浓度的空穴 ,使得氧化层变厚 ,导致在低HF浓度或大电流密度下多孔硅的平均孔径增大。
- 叶超宁兆元程珊华
- 关键词：多孔硅发光材料
- ECR等离子体沉积系统中等离子体特性的模拟被引量：3
- 1996年
- 本文建立了一个物理模型，编写了数值程序，模拟了微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体流的特性。假定等离子体中的电子服从玻尔兹曼关系，离子在从共振区流向衬底的过程中与中性气体发生电荷交换和弹性碰撞。根据等离子体区应满足的电荷准中性条件，采用蒙特卡罗方法可计算出自恰的等离子体电位及离子密度分布。从而分析了磁场形态和气压对等离子体密度空间分布，入射到衬底上的离子通量和平均能量的影响，结果表明：磁场形态和气压都可用来独立控制等离子体流的性能，这对于使用该种等离子体源进行薄膜沉积和刻蚀有一定的理论指导意义。
- 宁兆元郭射宇程珊华
- 关键词：ECR等离子体数值模拟刻蚀
- 不同沉积气体对多弧法制备TiC膜的影响被引量：7
- 2000年
- 采用两种不同的沉积气体CH4 和C2 H2 分别在SUS3 0 4不锈钢基片上用多弧离子法沉积TiC硬质膜。XPS结果表明 ,用C2 H2 作为沉积气体制备TiC膜中的sp2 杂化的碳多于用CH4 作为沉积气体制备的TiC膜。XRD表明 ,用CH4 气体沉积TiC膜的 ( 111)峰为择优取向 ,但用C2 H2 气体沉积的TiC膜却朝着 ( 111)和 ( 2 2 0 )取向竞争生长。TiC薄膜的高硬度某种程度上取决于TiC( 2 2 0 )峰的丰度。
- 辛煜程珊华宁兆元沈明荣许杞安
- CHF_3/C_6H_6等离子体中的基团分析
- 2003年
- 在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了CHF3、C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主要基团的分布及其产生的途径,研究了放电功率和流量对主要基团密度的影响,以及它们与氟化非晶碳薄膜沉积速率和键结构之间的关联。结果表明,提高微波功率会增加CHx、CFx等成膜基团的密度,有利于加大沉积速率;而增加CHF3的进气量则会加大F原子基团的密度,这是由于它控制了薄膜的氟化程度。
- 程珊华宁兆元李戈扬叶超杜伟辛煜
- 关键词：氟化非晶碳薄膜发射光谱CHF3C6H6基团
- 沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响被引量：5
- 2000年
- 用苯作为源气体 ,使用微波电子回旋共振 (ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含氢非晶碳薄膜 ,研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响 ,发现它们与沉积速率密切相关 .测量了薄膜的含氢量与Raman谱 。
- 程珊华宁兆元康健马春兰叶超
- 关键词：直流电阻沉积温度电学性质
