李智
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- N在GaP及P在GaN中的溶解极限的计算被引量：1
- 1994年
- 本文根据化学反应的吉布斯自由能及ＶａｎＶｅｃｈｔｅｎ等人的介电理论计算了Ｎ在ＧａＰ中的溶解度及Ｐ在ＧａＮ中的溶解度．计算结果表明，Ｎ在ＧａＰ中有一个相当好的溶解度，在这个溶解度下，ＧａＰ（１－ｘ）Ｎｘ合金的能带可以发生有意义的变化，我们的计算结果可以很好地说明最近一些作者所作的有关实验报道．
- 吴小山杨锡震林振金李智
- 关键词：溶解度磷化镓氮化镓
- Ni^＋注入n—GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别
- 1996年
- 在不同条件下退火的Ｎｉ＋注入ｎ－ＧａＰＤＬＴＳ谱中观测到表观激活能在０．６０～０．７０ｅＶ范围内的多个多子峰和少子峰．对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ｎｉ杂质各荷电状态浓度空间分布在ＤＬＴＳ测量的零偏－反偏过程中的变化进行了计算．结合分析实测各能级热发射率数据，对其中起源于ＮｉＧａ中心的ＤＬＴＳ峰作出了判断．
- 杨锡震陈晓白李智田强
- 关键词：磷化镓DLTS镍掺杂
- GaP:Fe的M(?)ssbauer效应和EPR谱研究被引量：2
- 1996年
- 众所周知,GaP为宽禁带间接型半导体,是制作绿色发光二极管的主要材料之一;但在生长GaP单晶过程中很难避免杂质Fe的存在,这就使得用GaP制成的发光器件的效率难以提高。显然研究Fe在GaP中的行为,进而了解其对以GaP为基础制成的发光器件发光效率影响的机制,无疑在应用上有重要的意义。近年来对Fe及其它过渡元素在半导体中行为的研究,无论从实验或理论方面均取得重要进展;如Fe杂质在GaP中取代Ga晶位,处于由4个近邻P原子形成的正四面体中心,具有四方对称性旧,通过EPR(电子顺磁共振)谱和其它实验证实了Fe在GaP中的电荷态分别为3d^5,3d^7和3d^6。我们应用M(?)ssbauer谱和EPR谱方法,研究Fe注入GaP后,在GaP中的行为和相应的物理机制;观测了不同退火条件下注入样品表面杂质Fe超精细相互作用参数的变化,并与Fe扩散入GaP的情况相对比,取得一些有趣的结果。
- 曾贻伟杨锡震李智林振全邱菊
- 关键词：EPR谱磷化镓穆斯堡尔谱
