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杨锡震

作品数：45 被引量：75H指数：5
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合作作者

文献类型

  • 40篇期刊文章
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领域

  • 24篇电子电信
  • 24篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇GAP
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  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 4篇离子注入
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  • 3篇砷化铟
  • 3篇凝聚态
  • 3篇晶体
  • 3篇EBIC
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  • 2篇单晶
  • 2篇导体
  • 2篇低维体系

机构

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作者

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  • 1篇汪辉

传媒

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年份

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  • 2篇2002
  • 7篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 2篇1998
  • 4篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 2篇1989
  • 1篇1988
  • 9篇1986
  • 1篇1985
  • 2篇1981
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响
1997年
ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间...
李桂英杨锡震孙寅官王亚非
关键词：位错磷化镓单晶
半导体低维体系简介被引量：9
2001年
介绍了量子阱、量子线、量子点、半导体超晶格。
田强杨锡震
关键词：低维体系量子点超晶格凝聚态物理二维电子气光电性质
GaP单晶中的背景深能级（详细摘要）
林振金杨锡震王世润
关键词：单晶能级光致发光发光中心磷化镓
国产ZnSe背景深能级的光电容谱
级的存在是引起ZnSe中自补偿效应的主要原因。深能级还可引起非辐射复合或长波光辐射，有损于材料的兰色发光。该文主要介绍了用国产末掺杂的ZnSe进行了光电容测量情况。样品系由长春物理所用汽相升华法生长的n型ZnSe。测量方...
杨锡震潘维喀蔚波
关键词：发光材料能级半导体工艺硒化锌
InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质被引量：2
1998年
我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级相对于ＧａＡｓ的导带底分别为１００ｍｅＶ和２１０ｍｅＶ，量子点电子基态的俘获势垒分别为０．４８ｅＶ和０．３０ｅＶ．
陈枫封松林杨锡震王志明赵谦赵谦
关键词：砷化铟自组织生长量子点
InGaAsSb四元固溶体的团簇效应被引量：1
1994年
在Ｏｎａｂｅ工作的基础上，使用对相互作用模型对于Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓ１－ｙＳｂｙ四元固溶体中的团簇效应对在适用于光电通讯材料的若干组分值（ｘ，ｙ）进行了计算．结果表明团簇效应在该系统中严重存在．计算了对分布几率随组分值和温度的变化．对于该效应对固溶隙计算的影响作了讨论．
童玉珍杨锡震王占国周伯骏
关键词：半导体材料INGAASSB固溶体
半导体低维体系简介(续)
2001年
田强杨锡震
关键词：半导体低维体系扫描隧道显微镜原子力显微镜
GaP:N绿色LEDn_2层载流子浓度的优化
2002年
在已报道的ｐ－ｎ２－ｎ１结的势垒分布计算的基础上，对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形，计入了ｎ２区产生的压降。考虑到ＧａＰ：ＮＬＥＤ发光区主要在ｐ区，注入效率γ＝ｊｎ/（ｊｎ＋ｊｐ），ｊｎ和ｊｐ分别为电子电流和空穴电流。ｐ区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散；ｎ２区内外加正向偏压时电场不能忽略，空穴又被ｎ２－ｎ１结势垒阻挡（设被完全阻挡），则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程，由边界条件求出空穴扩散电流。将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ。对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论。分析表明：当ｎ２值在１０１５～１０１６ｃｍ－３范围内时，注入效率较高，与实验结果基本相符。
赵普琴杨锡震薛洪涛
关键词：结构参数载流子发光二极管
用结电容技术研究有光—热激发行为的深中心
杨锡震J.W.Alle
关键词：半导体物理激发态发光中心
GaP中重掺N研究
吴柳林振金杨锡震
关键词：半导体物理离子注入光致发光X射线衍射分析磷化镓
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