李旭
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华南理工大学理学院更多>>
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- 利用背面Ar^+轰击改善n-MOSFET饱和区特性
- 2005年
- 用550eV的低能量Ar+离子束轰击n MOSFET(n沟金属-氧化物-半导体场效 应晶体)芯片的背面,以改善其饱和区的直流特性(如跨导、阈值电压和表面有效迁移率) 以及低频噪声等.结果表明,随着轰击时间的增加,跨导和沟道表面有效迁移率先增大后 减小,阈值电压先减小后增大,而低频噪声在轰击后明显减小.实验证明,上述参数的变化 是硅—二氧化硅界面的陷阱密度和二氧化硅中固定电荷密度在轰击后变化的结果.
- 陈平黄美浅李旭李观启
- 关键词：金属-氧化物-半导体场效应晶体管跨导阈值电压噪声
- 利用背面Ar^+轰击改善n沟MOSFET线性区的特性被引量：1
- 2003年
- 研究了利用背面Ar+轰击改善n沟金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管 (n_MOSFET)线性区的特性 .用低能量 (5 5 0eV)的Ar+轰击n MOSFET芯片的背面 ,能有效地改善其线性区的直流特性 ,如跨导、沟道电导、阈值电压、表面有效迁移率以及低频噪声等 .实验结果表明 ,随着轰击时间的增加 ,跨导、沟道电导和表面有效迁移率先增大 ,然后减小 ;阈值电压先减小 ,随后变大 ;而低频噪声在轰击后明显减小 .实验证明 ,上述参数的变化是硅
- 黄美浅陈平李旭李观启
- 关键词：MOS场效应晶体管跨导迁移率直流特性
- 低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性
- 2003年
- 在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后 ,采用低能量氩离子束轰击芯片背面 ,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数 .实验结果表明 ,晶体管低频噪声系数的下降与硅—二氧化硅界面的界面态密度的减小有关 。
- 李旭黄美浅陈平李观启
- 关键词：氩离子轰击噪声晶体管
