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宿世臣

作品数：66 被引量：48H指数：5
供职机构：华南师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 46篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 14篇电子电信
  • 11篇理学
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 13篇发光
  • 11篇量子
  • 11篇量子点
  • 10篇激光
  • 7篇光学
  • 6篇米线
  • 6篇空穴
  • 6篇光致
  • 6篇光致发光
  • 6篇衬底
  • 5篇锌粉
  • 5篇空穴传输
  • 4篇多层结构
  • 4篇敏化
  • 4篇金属阴极
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇管式
  • 4篇管式炉
  • 4篇封装

机构

  • 60篇华南师范大学
  • 6篇中国科学院长...
  • 4篇深圳大学
  • 3篇华南师大(清...
  • 2篇华清创智光电...
  • 1篇广东工业大学
  • 1篇东北石油大学
  • 1篇澳门大学
  • 1篇哈尔滨石油学...

作者

  • 65篇宿世臣
  • 15篇章勇
  • 8篇吕有明
  • 8篇郑树文
  • 8篇何苗
  • 5篇申德振
  • 5篇赵灵智
  • 4篇张振中
  • 4篇李炳辉
  • 3篇张红艳
  • 3篇裴磊磊
  • 2篇张力
  • 2篇张涛
  • 2篇范希武
  • 2篇姚斌
  • 2篇范广涵
  • 2篇张凤春
  • 2篇李述体
  • 2篇牛犇
  • 2篇张晗

传媒

  • 6篇发光学报
  • 2篇物理学报
  • 2篇广州化工
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇高师理科学刊
  • 1篇华南师范大学...
  • 1篇中国光学
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 8篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 6篇2020
  • 6篇2019
  • 8篇2018
  • 6篇2017
  • 4篇2016
  • 5篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 7篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
共 66 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
量子点On‑chip白光LED的二次气密性封装方法
本发明公开了量子点On‑chip白光LED的二次气密性封装方法。该方法将蓝光芯片固定在LED支架的底部后，通过包括等离子体增强化学气相沉积或原子层沉积的低温沉积技术在LED支架的底部以及内侧壁沉积隔水隔氧的透明薄膜层，再...
章勇蓝栩砚杨欣凌志聪宿世臣
文献传递
一种InAsSb/AlAsSb材料红外探测器件的腐蚀液及器件制作方法
本发明公开了一种InAsSb/AlAsSb材料红外探测器件的腐蚀液及器件制作方法；本发明的腐蚀液在20℃湿法腐蚀掉Si-InAs、Si-InAsSb、AlAs-AlSb合金的平均速度为27nm/s，腐蚀速度适当、腐蚀能力...
何苗杨旗郑树文宿世臣
文献传递
一种量子点LED封装结构及封装方法
本发明公开了一种量子点LED封装结构及封装方法，所述封装结构包括：蓝光LED芯片；用于固定所述蓝光LED芯片的条形基板；连接所述蓝光LED芯片和条形基板的电极；固化在所述蓝光LED芯片上表面的AB胶隔热层；固化在所述AB...
宿世臣王果杨欣章勇魏志鹏王晓华唐吉龙
文献传递
一种碳/二氧化钛/贵金属复合材料、光催化剂及其制备方法
本发明涉及一种碳/二氧化钛/贵金属复合材料、光催化剂及其制备方法，该复合材料具有包覆有二氧化钛壳体的贵金属纳米颗粒的核壳结构，该结构有效地避免了纳米贵金属颗粒的脱落，提高了材料的稳定性，且在该核壳结构的基础上，设置碳量子...
宿世臣王雪琴姚德山
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制备ZnMgO合金薄膜的方法
本发明涉及一种制备ZnMgO合金薄膜的方法，以金属Zn作为Zn源，以金属Mg作为Mg源，在通入氧气的等离子体辅助分子束外延设备中通过加热Zn源、Mg源，在蓝宝石衬底上沉积生长获得ZnMgO合金薄膜，固定Zn源和Mg源的温...
吕有明宿世臣张振中李炳辉申德振
文献传递
一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种Er掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：以Er占总粉末的摩尔百分比含量0.5％～4％为标准称取ZnO粉末和Er<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末，将称取的粉末添加酒精混合后...
宿世臣王果凌志聪
文献传递
Cu_(45)Zr_(42.55)Y_(3.45)Al_9非晶合金的晶化动力学行为
2015年
采用单辊旋淬法制备了Cu45Zr42.55Y3.45Al9非晶合金,差示扫描量热分析手段(DSC)研究了该非晶合金晶化动力学性能.采用Ozawa,Kissinger及Augis-Bennett方法计算了Cu45Zr42.55Y3.45Al9非晶合金晶化激活能,得到第一晶化峰值激活能1pE分别是385.8,393.5,396.0 k J·mol-1.发现Cu45Zr42.55Y3.45Al9合金具有很好的热稳定性.
牛犇高辉杨爽宿世臣
关键词：晶化激活能热稳定性
一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法
本发明公开了一种基于激光干涉光刻技术制备纳米图形的方法，包括以下步骤：将硅片超声清洗，然后用氮气枪吹干；烘烤去水分；利用光刻胶处理；烘烤去除多余的有机溶剂；曝光；显影；用去离子水冲洗，氮气枪吹干。本发明方法采用薄胶方法，...
何苗杨帆郑树文宿世臣
文献传递
发光二极管(LED)外延片材料和生长方法
范广涵李述体章勇郑树文张涛尹以安何苗宿世臣刘纪美易柱臻
技术创新要点和突破点：1.以超晶格作为p型电极接触层的GaN基LED外延结构研制方面达到国际先进水平。2.研制出以GaP做p型层的GaN基LED。3.普通结构尺寸芯片(300微米×300微米，常规芯片结构)：光功率达到1...
关键词：
关键词：发光二极管
第一性原理研究Te-N共掺p型ZnO被引量：1
2012年
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Te-N共掺杂ZnO体系的晶格结构、杂质态密度和电子结构进行了理论分析.研究表明,N掺杂引起晶格收缩,而Te的掺入引起晶格膨胀,从而减小晶格应力促进N的掺杂,并且Te由于电负性小于O而带正电,Te在ZnO中作为等电子施主而存在.研究发现,N掺杂体系中在费米能级附件形成窄的深受主能级,而Te-N共掺体系中,N杂质带变宽,空穴更加离域,同时,空穴有效质量变小,受主能级变浅,更有利于实现p型特性.因此,Te-N共掺有望成为一种更为有效的p型掺杂手段.
姚光锐范广涵郑树文马佳洪陈峻章勇李述体宿世臣张涛
关键词：P型掺杂第一性原理
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