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孙亮

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院微电子学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇低介电常数
  • 2篇低介电常数介...
  • 2篇密度泛函
  • 2篇密度泛函理论
  • 2篇泛函
  • 2篇泛函理论
  • 2篇SIOC
  • 1篇互连
  • 1篇互连线

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇丁士进
  • 2篇朱莲
  • 2篇张卫
  • 2篇孙亮
  • 2篇薛原

传媒

  • 1篇上海交通大学...
  • 1篇2006上海...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究被引量：1
2007年
利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiO2低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现—CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分子吸附于Si-CH3反应位情况下的吸水反应.当SiOC薄膜表面吸附多个水分子,并且水分子以二聚物形式存在时,吸水反应的势垒明显降低.
孙亮朱莲薛原丁士进张卫
关键词：SIOC密度泛函理论
SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究
利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiOz低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现-CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分...
孙亮朱莲薛原丁士进张卫
关键词：密度泛函理论互连线
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