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周呈悦

作品数:5 被引量:4H指数:2
供职机构:上海大学更多>>
发文基金:上海市教育委员会创新基金上海市教育委员会重点学科基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇溶胶
  • 2篇溶胶-凝胶法...
  • 2篇凝胶法制备
  • 2篇光谱响应
  • 2篇I-V特性
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电池
  • 1篇电学性能
  • 1篇旋涂
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇溶胶-凝胶技...
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇退火
  • 1篇凝胶法
  • 1篇膜厚
  • 1篇高温退火

机构

  • 5篇上海大学
  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 5篇周呈悦
  • 4篇马忠权
  • 3篇张楠生
  • 3篇李凤
  • 2篇沈成
  • 2篇赵磊
  • 2篇沈玲
  • 2篇何波
  • 1篇徐静

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 2篇2010
  • 3篇2009
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究被引量:2
2009年
在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。
何波马忠权赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕吕鹏殷宴庭
关键词:氧化铟锡光谱响应
新型SINP硅蓝紫光电池的研究被引量:2
2010年
本研究中,采用以下主要步骤:先在p-型Si的绒面上,进行磷扩散形成同质p-n结,再低温热氧化生长超薄SiO2层,然后利用射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜,成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构蓝紫光电池.通过X-光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS),以及霍尔效应(Halleffect)测量方法,表征了高质量ITO薄膜的微结构、光学与电学特性.并重点对SINP结构光电池的光谱响应和I-V特性,进行了详细地计算和分析.结果表明,具有蓝紫光以及其它可见光波段的光谱响应和光电转换的增强效果,是该器件的主要特征.其较高的短路电流密度,适合于发展成为新型结构的硅基太阳能电池.
何波马忠权徐静赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕殷宴庭
关键词:ITO薄膜I-V特性光谱响应
厚度对溶胶-凝胶法制备锂掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量:1
2009年
采用溶胶–凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同厚度的ZnO:Li半导体薄膜。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的物相结构和形貌,用Hall效应测量仪常温下测量薄膜的电学性能。结果表明:该薄膜具有高度的c轴择优取向性,所有薄膜只有1个(002)衍射峰,并且衍射强度随着膜厚增加而加强。ZnO:Li薄膜晶粒呈柱状,晶粒直径不随膜厚改变,约为40nm。ZnO:Li薄膜为p型导电,薄膜越厚,其电学性能与晶体结晶越好,(002)方向择优取向生长越明显。电阻率随着膜厚增加而减小,最小的电阻率为1.32×102(Ω·cm)。载流子–空穴浓度为3.546×1016/cm3,迁移率为1.34cm2/(V·s)。ZnO:Li薄膜在可见光范围内的透过率达到90%,薄膜对紫外光的吸收与厚度有关。
周呈悦马忠权李凤张楠生
关键词:薄膜厚度电学性能
一种Li掺杂的P-型氧化锌薄膜的制备方法
本发明涉及一种Li掺杂的P-型氧化锌薄膜的制备方法,属半导体电功能薄膜制备工艺技术领域。本发明方法采用溶胶-凝胶法制备Li掺杂的P-型ZnO透明导电薄膜。本发明方法主要是采用含钾的有机化合物和含锌的有机化合物作为前驱体,...
马忠权周呈悦
文献传递
溶胶-凝胶法制备锂掺杂p-型ZnO及其性能的研究
周呈悦
关键词:溶胶-凝胶技术
共1页<1>
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