沈玲
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
- 供职机构：上海大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术理学更多>>
- 新型SINP硅蓝紫光电池的研究被引量：2
- 2010年
- 本研究中,采用以下主要步骤:先在p-型Si的绒面上,进行磷扩散形成同质p-n结,再低温热氧化生长超薄SiO2层,然后利用射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜,成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构蓝紫光电池.通过X-光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见光透射谱(UV-VIS),以及霍尔效应(Halleffect)测量方法,表征了高质量ITO薄膜的微结构、光学与电学特性.并重点对SINP结构光电池的光谱响应和I-V特性,进行了详细地计算和分析.结果表明,具有蓝紫光以及其它可见光波段的光谱响应和光电转换的增强效果,是该器件的主要特征.其较高的短路电流密度,适合于发展成为新型结构的硅基太阳能电池.
- 何波马忠权徐静赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕殷宴庭
- 关键词：ITO薄膜I-V特性光谱响应
- HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面的研究
- 2009年
- 报道了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdT e阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,B r2-CH3OH与HgCdT e化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdT e光伏器件电学特性的影响。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTEX射线光电子能谱表面钝化
- 三维数字艺术中数字光照的艺术表现力的研究
- 本文讨论的对象是在三维数字空间中通过几何方法定义的“虚拟的‘数字光照’”，试图以此为课题研究的切入点，由重点分析数字光照在三维数字艺术创作中占据的美学地位以及它在数字技术的背景下的技术可行性，来探讨数字光照的艺术表现力与...
- 沈玲
- 关键词：艺术表现力
- 文献传递
- 新型SINP硅光电池C-V/I-V特性及光谱响应的研究被引量：2
- 2009年
- 在p型绒面晶硅上,采用磷的热扩散形成同质pn结、低温热氧化生长超薄SiO2层、射频磁控溅射沉积ITO减反射/收集电极膜成功制备了一种新型ITO/SiO2/np晶硅SINP结构光电池。高质量ITO薄膜的物相结构、光学及电学特性通过X-光衍射(XRD)、紫外-可见光透射、吸收谱(UV-VIS)以及霍尔效应(Hall effect)测量系统表征。并对新型SINP光电池C-V/I-V特性及光谱响应进行详细地分析、计算。结果表明,该器件在可见光波段具有光电转换增强的响应,适合于发展成为新型结构的太阳电池及光电探测器。
- 何波马忠权赵磊张楠生李凤沈玲沈成周呈悦于征汕吕鹏殷宴庭
- 关键词：氧化铟锡光谱响应
- 离子束刻蚀HgCdTe成结机制分析被引量：1
- 2009年
- 根据由离子束刻蚀HgCdTepn结C-V曲线,判定其为线性缓变结;由1C3-V曲线斜率可知杂质浓度分布梯度。利用泊松方程(零偏压时耗尽层宽度作为边界条件)积分计算出其电场分布、电势分布等重要结特性。并且进一步从微观理论分析讨论了离子束刻蚀HgCdTe成结机制过程。
- 何波马忠权史衍丽徐静赵磊李凤沈成沈玲
- 关键词：HGCDTE离子束刻蚀泊松方程
- 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)被引量：1
- 2009年
- 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。
- 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲
- 关键词：HGCDTE环孔PN结Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻
- 三维捕光结构与SIS高效光伏器件的研究
- 马忠权徐飞赵占霞李拥华赵磊何波李凤沈玲唐杰孟夏杰
- 该成果的主要内容体现在以下4个方面：1.采用了硅纳米线、表面等离激元、"黑硅"结构和ZnO纳米线技术，分别制备出硅基表面的四种陷光结构，表面最佳反射率低于2.0%，在硅基纳米线和黑硅材料中获得.选取不同厚度SiOx薄膜缓...
- 关键词：
- 关键词：光伏器件
- 离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)被引量：2
- 2009年
- 本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。
- 何波徐静马忠权史衍丽赵磊李凤孟夏杰沈玲
- 关键词：HGCDTE环孔PN结Ⅰ-Ⅴ特性动态电阻
- 超薄SiO_2层的化合态结构和厚度被引量：2
- 2012年
- 用快速热处理对单面抛光硅片进行初始热氧化,800℃下在晶硅基表面制备出15,30和60 min三个时间段的超薄氧化硅层。采用角分辨X射线光电子谱(AR-XPS)技术分别分析了3种初始氧化硅层的厚度和化学组态。结果表明,这些氧化硅层的主要成分为SiO_2,在过渡区存在的Si_2O_3、SiO和Si_2O不饱和态的含量均小于5%。通过控制氧气的含量,使氧化厚度只与时间有关。氧化硅层主相SiO_2的厚度随时间改变分别为(4.1±0.4)nm,(6.2±0.6)nm和(9.6±0.5)nm。根据SiO_2与基底Si的Si_(2p)峰的间距随掠射角度的变化,推断出厚度为4.1和6.2 nm的SiO_2层内的固定正电荷导致n型Si基体能带向上弯曲;而9.6 nm的SiO_2层内的固定正电荷分布随着远离界面逐渐减小,表明固定正电荷主要分布在界面区附近。
- 杜汇伟沈玲丁虎杨洁赵磊马忠权
- 关键词：无机非金属材料
- 长度可调的TiO_2纳米管制备及其DSSC性能的研究被引量：1
- 2011年
- 采用阳极氧化法在Ti片上制备高度取向的TiO2纳米管阵列。室温下,电压60V,在含有0.5%(质量分数)NH4F,1%(体积分数)HF,2%(体积分数)H2O的乙二醇电解液中,通过改变阳极氧化时间(8～20h),反应制得管长约为6.7～19.5μm,管径约为90～110nm,管壁约为20nm的TiO2纳米管阵列。利用SEM、TEM、EDS对TiO2纳米管的形貌和化学组分进行表征。采用XRD、SAED证实TiO2纳米管阵列的结构。分析不同长度纳米管阵列紫外-可见光反射率曲线,发现较长的纳米管对可见光有更强的吸收能力。将不同长度的纳米管阵列封装成染料敏化电池(DSSC),研究纳米管长度对电池性能参数的影响。
- 沈成杨洁沈玲马忠权
- 关键词：阳极氧化TIO2纳米管阵列
