您的位置： 专家智库 > >

任光辉

作品数：7 被引量：10H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇波导
  • 4篇调谐
  • 4篇可调
  • 4篇可调谐
  • 3篇耦合器
  • 3篇微环
  • 2篇谐振腔
  • 2篇滤波器
  • 2篇刻蚀
  • 2篇脊型光波导
  • 2篇光波
  • 2篇波长
  • 2篇衬底
  • 1篇单模
  • 1篇亚微米
  • 1篇氧化硅
  • 1篇指数型
  • 1篇热光效应
  • 1篇自然过渡
  • 1篇微米

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇任光辉
  • 7篇陈少武
  • 2篇曹彤彤
  • 2篇程勇鹏
  • 1篇樊中朝

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法
一种脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上旋涂一层光刻胶，利用光刻技术形成第一掩膜图形，该第一掩膜图形表面的一侧为矩形另一侧为锥形；步骤2：利用刻蚀技术将掩膜图形长方向两侧的衬底刻蚀掉，刻蚀...
陈少武程勇鹏任光辉
文献传递
一种热光可调谐级联微环滤波器的理论分析被引量：10
2012年
根据Vernier效应可大幅度提高滤波器自由光谱范围和调谐范围,设计了一种热光可调谐级联微环滤波器.利用传输矩阵方法和有限元方法从理论上计算了对于第一级微环半径为48μm,第二级半径为50μm的级联微环滤波器的自由光谱范围和调谐范围可以达到75.6 nm,而功耗仅为103.1 mW,这是目前为止我们所知的基于微环谐振腔的硅基热光可调谐滤波器中最大的自由光谱范围和在如此低功耗下最大的调谐范围.利用有限元方法,还计算了半径为50μm微环的热光调谐响应时间,上升沿时间为3.5μs,下降沿时间仅为0.8μs.
任光辉陈少武曹彤彤
关键词：热光效应
非直线锥形倒锥耦合器结构
本发明提供一种非直线锥形倒锥耦合器结构，包括：一硅衬底；一埋氧层，该埋氧层制作在衬底上，该埋氧层的材料为二氧化硅；一顶层硅，该顶层硅制作在埋氧层上，可以有效的防止光泄漏到衬底中，该顶层硅的一端为条形波导，另一端为倒锥耦合...
任光辉陈少武
文献传递
一种可调谐三环级联滤波器
本发明公开了一种可调谐三环级联滤波器，包括：输入波导(10)，其为第一级微环谐振腔滤波器(20)的输入波导；一第一级微环谐振腔滤波器(20)，其与所述输入波导在同一平面内耦合；第二级微环谐振腔滤波器(21)，其与所述第一...
任光辉陈少武
文献传递
热光可调谐级联微环滤波器的理论分析
设计了一种基于Vernier效应，可以大幅度提高滤波器自由光谱范围和调谐范围的热光可调谐级联微环滤波器。利用传输矩阵方法和有限元方法从理论上计算了对于第一级微环半径为48μm，第二级半径为50μm的级联微环滤波器的自由光...
任光辉陈少武曹彤彤
关键词：滤波器
SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法
一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化...
陈少武程勇鹏任光辉樊中朝
文献传递
一种可调谐级联微环滤波器
本发明公开了一种可调谐级联微环滤波器，包括：输入波导，其为第一级微环谐振腔的输入波导；第一级微环谐振腔；第一加热器，其位于第一级微环谐振腔上；连接波导，其为第一级微环谐振腔和第二级微环谐振腔之间的连接波导；第二级微环谐振...
陈少武任光辉
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0