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陈烽

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：南昌大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇淀积
  • 2篇银原子
  • 2篇原子
  • 2篇硅表面
  • 1篇电源
  • 1篇直流
  • 1篇直流电
  • 1篇直流电源
  • 1篇手性
  • 1篇手性识别
  • 1篇自组装
  • 1篇自组装行为
  • 1篇组装行为
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米带
  • 1篇纳米硅
  • 1篇结构相变
  • 1篇金属
  • 1篇金属表面
  • 1篇共轭

机构

  • 3篇南昌大学

作者

  • 3篇陈烽
  • 2篇张学富
  • 2篇孔惠慧
  • 2篇王立
  • 2篇欧阳洪萍
  • 1篇刘小青
  • 1篇陈秀

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
共轭分子在金属表面的吸附和自组装行为
利用超高真空扫描隧道显微镜观测到室温下无手性的酞菁锌分子在铜(100)表面上呈现出类风车状的手性特征。X射线光电子能谱测量和密度泛函理论计算结果揭示了铜(100)表面上酞菁锌单分子的手性特征来源于衬底与分子间的非对称电荷...
陈烽
关键词：手性识别结构相变共轭分子金属表面自组装行为
制备低缺陷大面积硅(100)- 2x1重构表面的方法
一种制备低缺陷大面积硅(100)-2x1重构表面的方法，其特征是方法步骤为：第一步，通过直流电源对硅（100）样品实现击穿；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四...
王立张学富欧阳洪萍陈烽孔惠慧陈秀
文献传递
单原子厚度纳米硅带的制备方法
一种单原子厚度纳米硅带的制备方法，方法步骤为：第一步，进行除气处理；第二步，实现硅表面的清洁；第三步，通过分子束淀积技术在清洁的硅表面上生长0.5纳米厚的银层；第四步，使银原子均匀的分布在硅样品的表面；第五步，将样品升温...
王立刘小青张学富欧阳洪萍陈烽孔惠慧
文献传递
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