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蒋春生

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇源区
  • 2篇电流
  • 2篇驱动电流
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基接触
  • 2篇结型
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 2篇衬底
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿电流
  • 1篇漏极
  • 1篇晶体管
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 4篇清华大学

作者

  • 4篇梁仁荣
  • 4篇蒋春生
  • 4篇许军
  • 2篇王敬
  • 2篇刘立滨

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法
本发明提出了超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法。该超陡亚阈值摆幅器件包括：衬底，包括阱区、源区、漏区和口袋区，其中，源区和漏区分别设置在阱区的一侧，口袋区设置在源区远离阱区并靠近漏区的一侧；绝缘介质层，覆盖源区和漏区；界面氧...
程为军梁仁荣许军蒋春生
无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种无结型隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬垫层，衬垫层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于衬垫层之上，包括位于中间的沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区，其中，沟道区、源区和漏区的掺杂类型相同；源极，源极包覆源区的上...
刘立滨蒋春生梁仁荣王敬许军
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无结型隧穿场效应晶体管及其形成方法
本发明提出一种无结型隧穿场效应晶体管，包括：衬底；衬垫层，衬垫层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于衬垫层之上，包括位于中间的沟道区和位于沟道区两侧的源区和漏区，其中，沟道区、源区和漏区的掺杂类型相同；源极，源极包覆源区的上...
刘立滨蒋春生梁仁荣王敬许军
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超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法
本发明提出了超陡亚阈值摆幅器件及其制备方法。该超陡亚阈值摆幅器件包括：衬底，包括阱区、源区、漏区和口袋区，其中，源区和漏区分别设置在阱区的一侧，口袋区设置在源区远离阱区并靠近漏区的一侧；绝缘介质层，覆盖源区和漏区；界面氧...
程为军梁仁荣许军蒋春生
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