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李建华

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电力电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电力晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶闸管
  • 2篇GTR
  • 1篇直流
  • 1篇直流输电
  • 1篇质子
  • 1篇质子辐照
  • 1篇少子寿命
  • 1篇输电
  • 1篇耐压
  • 1篇结终端
  • 1篇快速晶闸管
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇功率
  • 1篇国产化
  • 1篇辅助设计
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件

机构

  • 4篇西安电力电子...
  • 1篇中国原子能科...
  • 1篇韩国电气研究...

作者

  • 4篇李建华
  • 3篇王正鸣
  • 2篇陆剑秋
  • 2篇王彩琳
  • 1篇张建平
  • 1篇杨丙凡
  • 1篇胡选文
  • 1篇朱佳政
  • 1篇许长安
  • 1篇高建锋
  • 1篇刘惠玲
  • 1篇罗艳红
  • 1篇马骏
  • 1篇刘东莉
  • 1篇薛斌
  • 1篇杜凯
  • 1篇高勇

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇1997
  • 1篇1996
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
100A/1200V 方片 GTR 的研制被引量：2
1997年
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降、电流增益、开关时间之间的矛盾。在典型的电力半导体器件工艺条件下，开发出了一种类台面方片高压隔离终端，提高了生产成品率，形成了国产化的低成本ＧＴＲ方片制造技术。
王正鸣李建华王彩琳刘东莉
关键词：晶体管电力晶体管结终端
质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性
采用3.7MeV～5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制。对质子辐照在器件中的缺陷深度进行了TRIM模拟。对通态电压Vra和关断时问tq的折衷关系进行了研究,确定了最佳的质子辐照能量...
张昌利金银东金相哲宋根浩金南均王正鸣陆剑秋张建平李建华朱佳政杨丙凡胡选文
关键词：晶闸管少子寿命质子辐照
文献传递
三级达林顿GTR体耐压计算机辅助设计被引量：1
1996年
通过对三级达林顿结构ＧＴＲ的体耐压进行计算机辅助分析，讨论了影响ＧＴＲ体耐压的诸因素。提出了三级达林顿结构体耐压的一种新设计方法，并试制了样品，测试表明，计算结果与实验结果符合得很好。
王彩琳李建华高勇
关键词：CAD电力晶体管GTR
高电压大功率晶闸管国产化
陆剑秋王正鸣马骏高建锋杜凯李建华刘惠玲薛斌罗艳红王双谋许长安
该项目从ABB半导体公司引进5英吋8500V、5英吋7200V三峡直流输电（HVDC）阀体核心器件及4英吋6500V工业用大功率晶闸管的制造工艺与测试技术，进行了设备论证采购、厂房及公用设施改造具备工艺生产能力，原材料、...
关键词：
关键词：半导体器件晶闸管直流输电
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