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戴亚伟

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇电极
  • 3篇淀积
  • 3篇原子层淀积
  • 3篇栅压
  • 3篇肖特基
  • 3篇晶体管
  • 3篇GAN
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇单片集成器件
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电子束
  • 2篇堆栈
  • 2篇照明
  • 2篇智能照明
  • 2篇石墨烯纳米带
  • 2篇势垒
  • 2篇迁移率
  • 2篇驱动电流
  • 2篇鳍片

机构

  • 14篇复旦大学

作者

  • 14篇张卫
  • 14篇戴亚伟
  • 14篇孙清清
  • 11篇陈琳
  • 11篇郑亮
  • 3篇周鹏
  • 3篇王鹏飞

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法
本发明提供一种基于体GaN材料的单片集成器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底上，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极；以及Fin‑HEMT，位于所述GaN衬底上，包括多个鳍片、栅极...
陈琳郑亮戴亚伟孙清清张卫
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一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明属于晶体管技术领域，具体涉及一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明隧穿场效应晶体管包括：二维材料层；分别位于所述二维材料层两侧的金属源极和金属漏极，金属源极和金属漏极具有不同的功函数，与二维材料层形成极性相反的电...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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一种GaN基功率二极管及其制备方法
本发明属于半导体功率电子器件技术领域，具体公开了一种GaN基功率二极管及其制备方法。该GaN基功率二极管包括：GaN衬底，具有第一掺杂浓度；GaN外延层，位于所述GaN衬底上，具有第二掺杂浓度，其中，所述第二掺杂浓度小于...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin-FET器件及其制备方法
本发明属于石墨烯纳米器件技术领域，具体为一种沟道宽度可控的石墨烯纳米带Fin-FET器件及其制备方法，适合于石墨烯纳米带Fin-FET器件的大面积制备。具体制备步骤为：先利用常规电子束光刻方法在石墨烯上制备套准标记以及F...
孙清清戴亚伟王鹏飞张卫周鹏
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一种GaN基半导体器件及其制备方法
本发明公开一种面向四维集成的GaN基半导体器件及其制备方法。这种垂直堆栈集成的功率器件表现出高的驱动电流，同时也满足集成电路进一步微缩化的需求。其制备步骤包括：在绝缘GaN衬底上形成多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠...
戴亚伟陈琳郑亮孙清清张卫
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一种GaN基集成器件及其制备方法
本发明属于光电技术领域，具体为一种GaN基集成器件及其制备方法。本发明器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底的发光二极管器件区，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型GaN层和顶电极；高电子迁移率晶体...
陈琳戴亚伟郑亮孙清清张卫
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一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法
本发明属于半导体器件存储技术领域，具体为一种基于柔性衬底的具有CRS行为的阻变存储器及其制备方法。本发明依托于原有的阻变存储器三明治结构，即底部电极/阻变功能层/顶部电极结构，利用柔性衬底作为基底，采用低温原子层淀积以及...
孙清清戴亚伟王鹏飞张卫周鹏
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一种GaN基半导体器件及其制备方法
本发明公开一种面向四维集成的GaN基半导体器件及其制备方法。这种垂直堆栈集成的功率器件表现出高的驱动电流，同时也满足集成电路进一步微缩化的需求。其制备步骤包括：在绝缘GaN衬底上形成多层AlGaN势垒层/GaN层异质结叠...
戴亚伟陈琳郑亮孙清清张卫
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一种GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法
本发明属于半导体技术领域，具体为GaN基混合PIN肖特基二极管及其制备方法。本发明的GaN基混合PIN肖特基二极管包括：n型GaN衬底；n型GaN漂移层，位于所述GaN衬底上，其具有多层结构并且自下而上各层掺杂浓度依次递...
陈琳郑亮戴亚伟孙清清张卫
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一种基于体GaN材料的单片集成器件及其制备方法
本发明提供一种基于体GaN材料的单片集成器件，包括：GaN衬底；发光二极管，位于所述GaN衬底上，自下而上依次包括n型GaN层、发光层、p型 GaN层和顶电极；以及Fin‑HEMT，位于所述GaN衬底上，包括多个鳍片、栅...
陈琳郑亮戴亚伟孙清清张卫
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