徐守磊
- 作品数：23 被引量：14H指数：2
- 供职机构：广西大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西大学行健文理学院科研基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 金属氧化物掺杂对ZnO-TiO_2-Bi_2O_3-CuO基压敏陶瓷电子密度和电性能的影响
- 2013年
- 测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。
- 徐守磊王昊韩丽芳陈玉辉黄宇阳邓文
- 关键词：电子密度电性能
- 掺Ca锰氧化物微结构及其电磁运输特性研究
- 采用固相反应法制备了La1-xCaxMnO3系列陶瓷,以X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、正电子湮没寿命谱仪等表征其微结构,以综合物理性能测试系统（PPMS）测试其电磁输运特性。研究不同工艺条...
- 徐守磊
- 关键词：微结构磁化强度居里温度磁电阻
- 文献传递
- 掺Ca锰氧化物微结构及其电磁输运特性研究
- 采用固相反应法制备了 La1-xCaxMnO3系列陶瓷,以 X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、正电子湮没寿命谱仪等表征其微结构,以综合物理性能测试系统(PPMS)测试其电磁输运特性。研究不同工...
- 徐守磊
- 关键词：微结构
- 文献传递
- 一种稀土掺杂氧化锆单晶体白光固态光源及其制备方法
- 本发明公开了单晶制备生产技术领域的一种稀土掺杂氧化锆单晶体白光固态光源及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤一：称取原材料；步骤二：陶瓷料棒的制备；步骤三：晶体生长；步骤四：晶体加工；步骤五：白光固态光源封装；本发...
- 邓文潘一华武丽敏武文霞芦宇辰徐守磊熊定康黄宇阳
- 氢气氛退火对掺钛氧化锌薄膜光电性能的影响被引量：1
- 2018年
- 为研究有氧溅射和氢气氛退火对TZO薄膜的光电性能的影响,采用射频磁控溅射法,以掺钛(2 at%)氧化锌为靶材,在石英衬底上溅射掺钛氧化锌(TZO)薄膜。在溅射过程中,往溅射室通入不同流量(0,6,10,15 sccm)的氧气,再将制备的TZO薄膜在氢气氛中退火,用XRD测试薄膜的晶体结构,用紫外分光光度计测量光学透过率并计算其光学带隙,用Hall效应分析仪测试表征薄膜的电性能参数。测试结果表明,在不同流量的氧气氛下溅射的TZO薄膜其光学透过率变化较小,但其电导率随氧气流量的升高而显著下降。氢气氛退火对薄膜样品的光学和电学性能均有较大的影响。对溅射过程中通入流量为15sccm氧气所制备的TZO薄膜,比较该样品经氢气氛退火前后的光学和电学性能参数,结果发现其可见光波段(400～760 nm)的平均透过率由84.9%提高到91.6%,其电阻率由1.16×10~2Ω·cm降到7.46×10^(-2)Ω·cm,其载流子浓度和迁移率分别由-3.32×10^(16)cm^(-3)和1.63 cm^2/(V·s)增加到-2.73×10^(19)cm^(-3)和3.07 cm^2/(V·s)。
- 罗珑玲孙慧陈丹馨宋美霖徐守磊邓文
- 关键词：磁控溅射光电性能
- 光干涉法测量Fe-Ni因瓦合金热膨胀系数被引量：1
- 2014年
- 将迈克耳孙干涉仪改装成可准确并快速地测量固体长度微小变化量的仪器,并用该装置测量了不同化学成分的Fe-Ni合金在25~65℃的温度范围内的热膨胀系数。实验发现,化学成分对Fe-Ni合金的热膨胀系数有很大的影响,Fe65Ni35合金的热膨胀系数最小,偏离该成分的合金的热膨胀系数升高。
- 邓文徐守磊王昊朱彦彦张文春黄宇阳
- 关键词：热膨胀系数迈克耳孙干涉仪化学成分
- 生长速率对CuFeO_(2)晶体微结构及磁性转变的影响
- 2021年
- 采用光学浮区法生长出了纯净不含杂相的CuFeO_(2)晶体,并探究了生长速率对晶体质量的影响;由于CuFeO_(2)的不一致熔融特性,低生长速率0.5 mm/h是必要的,且为了稳定融区,生长过程中灯的功率需要仔细调整。用XRD、SEM、PPMS对晶体样品进行了表征并与高温固相法所制得的样品进行了对比。XRD结果显示,由液相冷却制备得到的晶体样品为单一的铜铁矿结构,不含杂质相;SEM图像表明,晶体样品更加致密,样品无孔隙;M-T曲线显示出,相比于陶瓷样品,晶体样品反铁磁性稳定性和磁耦合相互作用被削弱。
- 陈龙熊定康芦宇辰侯晶文徐守磊邓文
- 关键词：生长速率微结构磁性能
- Tm2O3、Yb2O3和Ho2O3掺杂氧化钇稳定氧化锆(YSZ)单晶体的制备及其发光性能研究
- ZrO2晶体因为具有熔点高(2700°)、禁带宽度宽(5.0 eV)和声子能量低(470 cm-1)等优异的物理化学性能，广泛应用于光学器件、氧敏元件、高温测温传感器、固态燃料电池电解质和航空发动机叶片涂层等领域。 将...
- 徐守磊
- 关键词：晶体结构发光性能
- 文献传递
- PVP辅助LiMn2O4包覆LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料的制备及其电化学性能被引量：5
- 2018年
- 采用湿法制备了聚乙烯吡咯烷酮（PVP）辅助尖晶石型LiMn2O4包覆LiNi0．6Co02Mn0.2O2复合正极材料（LM0@NCM）。以X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜技术对正极材料的晶体结构、形貌进行表征。采用充放电测试、电化学阻抗谱（EIS）和循环伏安法（CV）研究正极材料的电化学性能。结果表明，乙酸锰添加量为1．0％（质量分数）的LMO@NCM正极材料具有高容量、良好的倍率与循环性能。该样品0．2C首次放电容量达182．7mAh／g，在0．5C倍率下循环50次后其容量保持率为83．7％。PVP辅助的尖晶石型LiMn204包覆层提高材料的电子导电率，抑制了电极界面的副反应，进而提高了材料的电化学性能。
- 王东晨宋美霖罗珑玲资冬斌徐守磊邓文
- 关键词：聚乙烯吡咯烷酮包覆电化学性能
- 一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法
- 本发明公开了单晶薄膜技术领域的一种超高熔点稀土掺杂氧化铪光学单晶体的生长方法，所述生长方法包括以下步骤：S1、提高光学浮区炉的加热温度；S2、陶瓷料棒的制备：称量→混料→搅拌→烘干→制作料棒→抽气→等静压→烧结；S3、晶...
- 邓文武文霞张辉婷曾甯菡朱中华徐守磊熊定康黄宇阳
