邓文
- 作品数：125 被引量：215H指数：8
- 供职机构：广西大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西大学科学技术研究重点基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学电气工程更多>>
- PVP辅助LiMn2O4包覆LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正极材料的制备及其电化学性能被引量：5
- 2018年
- 采用湿法制备了聚乙烯吡咯烷酮（PVP）辅助尖晶石型LiMn2O4包覆LiNi0．6Co02Mn0.2O2复合正极材料（LM0@NCM）。以X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜技术对正极材料的晶体结构、形貌进行表征。采用充放电测试、电化学阻抗谱（EIS）和循环伏安法（CV）研究正极材料的电化学性能。结果表明，乙酸锰添加量为1．0％（质量分数）的LMO@NCM正极材料具有高容量、良好的倍率与循环性能。该样品0．2C首次放电容量达182．7mAh／g，在0．5C倍率下循环50次后其容量保持率为83．7％。PVP辅助的尖晶石型LiMn204包覆层提高材料的电子导电率，抑制了电极界面的副反应，进而提高了材料的电化学性能。
- 王东晨宋美霖罗珑玲资冬斌徐守磊邓文
- 关键词：聚乙烯吡咯烷酮包覆电化学性能
- NiTi形状记忆合金的正电子湮灭研究
- 朱洁于荣海邓文
- 关键词：铌合金湮灭时效形状记忆合金
- 热处理及灯光辐照对单晶硅太阳电池输出特性影响的相关研究被引量：1
- 2008年
- 对单晶硅太阳电池进行150℃、200℃的热处理,发现其输出特性有所提高。将单晶硅太阳电池在灯光下辐照12小时,在灯光辐照过程中,样品的转换效率随光照时间的增加而呈总体下降的态势,且下降一定程度后转换效率基本不变,对辐照过的样品分别进行150℃、200℃的热处理,热处理后的电池样品的转换效率得到了回复。
- 王宇鑫朱彦彦熊超李玉霞邓文
- 关键词：太阳电池
- 含Zn，Ag或Sc的Al－Li－Cu－Mg－Zr合金正电子寿命谱研究被引量：1
- 1996年
- 在深低温到室温的不同温度下，测量了不同时效状态的Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ合金和含Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｍｇ－Ｚｒ合金的正电子寿命谱。对ｅ＋寿命谱特征参数的分析表明：峰值时效使热空位大量回复，缺陷的数目减少。在深低温下，空位主要以单空位形式存在且随温度升高而激活并运动复合成多空位。Ｚｎ或Ａｇ的加入对空位的运动复合有束缚作用，而Ｓｃ却有助于空位的运动复合。所有实验样品低温下基体电子密度都比室温的高，δ＇相析出长大使合金基体的电子密度提高，而Ｓ＇相析出则使合金基体的电子密度降低。Ｚｎ，Ａｇ或Ｓｃ的加入都增加了基体电子密度，有利于合金强度的提高。
- 吴伟明高英俊罗里熊邓文许少杰仲夏平
- 关键词：正电子寿命谱电子密度
- 溶胶-凝胶法制备Si基ZnO薄膜的光伏特性
- 2012年
- 用溶胶-凝胶法在P型半导体Si(100)基片上生长了具有六角晶形的ZnO薄膜。SEM和XRD显示,C轴择优取向性明显,薄膜生长质量较好。ZnO薄膜的光致发光谱不仅有384.2nm的紫外波峰(FWHM=20.3nm),而且还有649.2nm的红光波峰(FWHM=214nm),两峰相对高度比为0.934。用波长为632.8nm的氦氖激光照射ZnO薄膜的表面,产生了明显的光伏效应。
- 郭晓雷赵娇玲田秦冠熊定康黄宇阳邓文
- 关键词：ZNO薄膜溶胶-凝胶法光伏特性
- 纳米TiO_2光催化材料离子掺杂的正电子湮没研究被引量：4
- 2008年
- 采用正电子湮没技术研究了13种金属离子掺杂对纳米TiO2光催化材料缺陷的影响,并讨论了离子掺杂对TiO2光催化材料平均电子密度和光催化活性的影响。结果表明,纳米TiO2光催化材料的缺陷主要是氧空位、孪晶界、位错和金属空位等。正电子湮没谱的分析表明,Fe3+、W6+和La3+高价态离子的掺杂降低纳米TiO2的平均电子密度,低价态的Zn2+、Cu2+、Pb2+、Mn2+、Co2+和Ag+掺杂增大了纳米TiO2的平均电子密度,Al3+、V5+、Ni2+和Cr3+的掺杂对纳米TiO2平均电子密度没有影响。纳米TiO2的离子掺杂寿命谱与光催化活性之间关系分析表明,Pb2+、La3+、Cr3+和Co2+掺杂时,材料中自由体积缺陷的形成不利于TiO2光催化活性的提高,而Fe3+、W6+、La3+、Cu2+、Mn2+、Ag+、Al3+、V5+和Ni2+掺杂时,则有利于TiO2光催化活性的提高。
- 陈建华邓文
- 关键词：催化化学离子掺杂纳米TIO2正电子湮没光催化
- 工业纯α－Ti氢处理产生的微观缺陷及其作用被引量：1
- 1995年
- 用正电子湮没、ＴＥＭ和金相方法研究了不同程度氢处理的工业纯α－Ｔｉ产生的微观缺陷及其作用。实验结果表明：渗氢后材料内缺陷数量远大于除氢后材料内的缺陷数量，当渗氢量为０．５８％时，渗氢后材料内的缺陷主要是位错；随氢含量增加，单空位的数量也随之增加；当氢含量达２．１１％时，其缺陷主要是单空位，或者是其自由体积相当于单空位的点缺陷（如晶界、相界上存在的严重畸变区）。ＴＥＭ和金相观察表明，渗氢后位错存在于α－Ｔｉ基体中。除氢后晶粒明显细化。适当的渗氢量引进的微观缺陷，在除氢后可使晶粒细化而且等轴性高。
- 康强赖祖涵张彩碚邓文熊良钺
- 关键词：正电子湮没渗氢钛
- 用正电子湮没技术研究硼在Ni_3Al中的存在形式
- 1992年
- 本文用正电子湮没技术(PAT)研究了不同硼含量的单晶和多晶Ni_3Al中硼原子的存在形式。在Ni_3Al合金中加入少量硼(≤1.37％)时,一部分硼原子以间隙方式溶解到基体中,使晶格发生畸变,导致基体中正电子寿命(τ)增长;另一部分硼偏聚到空位型缺陷上,产生“填充效应”,导致平均寿命■和S参数下降。硼量为2.22at.-％时,缺陷态的τ显著增长,■和S参数增大,表明在晶界成晶内析出硼化物,诱发了较多的自由体积较大的缺陷。
- 邓文熊良钺龙期威王淑荷郭建亭
- 关键词：NI3AL正电子湮没硼含量
- Ce:YAG荧光晶体的制备及其光学性能研究
- 2016年
- 以固相反应法制备了致密的不同Ce含量的Ce:YAG陶瓷料棒,再用光学浮区法将这些Ce:YAG陶瓷料棒生长成Ce:YAG晶体。XRD结果表明,Ce:YAG陶瓷料棒主相为YAG相,同时存在部分YAP相;而光学浮区法生长的Ce:YAG晶体完全形成了YAG相,没有其他杂峰的出现,衍射峰尖锐,半峰宽窄,即光学浮区法生长的YAG晶体质量较高。Ce:YAG晶体的光学均匀性较好,在500-800nm区间,其平均透过率为90%-93%。Ce:YAG晶体的吸收光谱中心波长在456 nm具有较大的吸收系数。以波长为460 nm的单色光为光源激发Ce:YAG晶体测得其荧光光谱,其中,含1 at.%Ce的Ce:YAG晶体在黄绿光区域有较强的发光强度。
- 孟炎魏厚前曹秀清黄文华邓文
- 关键词：透过率吸收光谱荧光光谱
- 溅射压强对掺钛氧化锌纳米薄膜微结构和光电性能的影响被引量：4
- 2015年
- 采用射频磁控溅射法,采用不同的溅射压强将同一掺钛氧化锌靶材在普通玻璃衬底上溅射出八个TZO(掺钛氧化锌)薄膜样品,测试其微结构和光电性能,分析其薄膜性能与溅射压强之间的微观机理,从而获得制备性能优越的TZO薄膜所需的最佳溅射压强。结果表明:所有样品均为具有c轴择优取向的六角铅锌矿多晶纳米薄膜;溅射压强对薄膜微结构和光电性能有显著的影响;溅射功率为150 W,氩气流量为25 sccm,衬底温度为150℃,压强为0.5 Pa时制备的薄膜光电性能较好,具有较大晶粒尺寸,在可见光区(400~760 nm)有较高的平均透过率达91.48%,较低电阻率4.13×10^(-4)Ω·cm,较高的载流子浓度和较大迁移率。
- 陈真英黄文华李丽夏黄宇阳邓文
- 关键词：磁控溅射溅射压强光电性能
