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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导带
  • 1篇对光
  • 1篇施主
  • 1篇受主
  • 1篇能级
  • 1篇浅电子陷阱

机构

  • 1篇河北大学
  • 1篇中央司法警官...

作者

  • 1篇张蕾
  • 1篇董国义
  • 1篇郑一博
  • 1篇田少华
  • 1篇葛世艳
  • 1篇林琳
  • 1篇韦志仁

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2005
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响被引量:2
2005年
本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果。本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用。
董国义窦军红张蕾韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华
关键词:能级浅电子陷阱导带受主施主
共1页<1>
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