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郑一博

作品数：13 被引量：43H指数：4
供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省科技攻关计划更多>>
相关领域：理学化学工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇理学
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇水热
  • 5篇水热合成
  • 5篇热合成
  • 5篇晶体
  • 4篇导体
  • 4篇水热法
  • 4篇水热法合成
  • 4篇热法
  • 4篇热法合成
  • 4篇稀磁半导体
  • 4篇半导体
  • 4篇ZN
  • 3篇XO
  • 2篇对光
  • 2篇矿化剂
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇光电
  • 2篇光电子
  • 2篇ZNO

机构

  • 13篇河北大学
  • 1篇中央司法警官...
  • 1篇河北地质大学

作者

  • 13篇郑一博
  • 12篇韦志仁
  • 9篇葛世艳
  • 9篇林琳
  • 6篇刘超
  • 6篇李军
  • 5篇董国义
  • 5篇张华伟
  • 3篇李志强
  • 2篇田少华
  • 2篇徐丽云
  • 1篇侯志青
  • 1篇赵起
  • 1篇张蕾
  • 1篇蔡淑珍
  • 1篇赖伟东
  • 1篇王春生

传媒

  • 7篇人工晶体学报
  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2007
  • 7篇2006
  • 3篇2005
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
LiOH矿化剂对水热合成ZnO晶体形貌的影响被引量：3
2005年
本文研究了在 430℃,填充度为 35%时, 以不同浓度的LiOH为矿化剂,水热合成ZnO晶体的形貌特征。选用了 3mol/L, 5mol/LLiOH做矿化剂,所获得晶体均为 10μm以下的微晶。当矿化剂为 1mol/LLiOH和 1mol/LKBr时,所获得晶体同样为几微米的微晶,显露完整的正极面{0001}、负极面 {0001}、锥面 {1011}和柱面 {1010}。矿化剂为 3MLiOH和 3MKBr时,出现个体较大的晶体,直径超过 100μm,显露正极面 { 0001 }、正锥面 { 1011 }和柱面{1010},负极面出现缺损现象。由此说明和K+相比溶液中的Li+不利于生成大尺寸ZnO晶体。
韦志仁葛世艳窦军红李军刘超林琳郑一博董国义
关键词：OH晶体形貌水热合成正锥柱面矿化剂
ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响被引量：2
2005年
本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果。本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用。
董国义窦军红张蕾韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华
关键词：能级浅电子陷阱导带受主施主
Co掺杂对化学气相输运法合成ZnO形貌影响被引量：1
2007年
采用化学气相输运法,研究了在蓝宝石基片上大比例掺杂Co生成的ZnO晶体形貌。分别选用Co2O3与ZnO的质量比3%、5%、7%、15%、20%5种不同含量的样品,通过电子显微镜发现得到的晶体呈六棱结构,一般显露柱面m{1010}、正锥面p{1011}、负极面c{0001}和正极面c{0001},随着Co掺入量的增加得到的Zn1-xCoxO晶体表面趋于光滑,晶体六棱结构趋于不对称,锥面面积减小,极性生长特性减弱。Zn1-xCoxO晶体的X射线能谱图显示Co的掺入量与原料配比中Co的量几乎成正比,Co可以大比例掺入ZnO晶体中。
李志强徐丽云赵起郑一博韦志仁侯志青
关键词：蓝宝石
化学气相反应制备氧化物晶体
本文采用高温水解反应制备了ZnO晶体,分析了化学气相反应条件下温度和衬底种类对晶体形貌和质量的影响,实验发现500-550℃下在SiC和Al_2O_3基片衬底上生长的ZnO晶体表面光滑、形貌规则、质量较好;在ZnO和Al...
郑一博
关键词：氧化锌
文献传递
Cd与Se比例对CdSe量子点发光性能的影响
2022年
硒化镉(CdSe)量子点具有荧光量子产率高、稳定性好以及光谱易于调节等优点,在发光二极管、太阳能电池及荧光标记等领域有着广阔的应用前景,而研究不同工艺条件对其性能的影响具有重要意义.以金属氯化物为Cd和Se源,以巯基丙酸(3-MPA)为包覆剂利用水相回流反应法在100℃下反应120 min制备了系列CdSe量子点,并讨论了不同Cd与Se比例时样品的形貌、带隙及光学性能的变化.CdSe量子点的尺度在2.19~2.57 nm,最强激发峰位于431 nm,发射峰位于561 nm,吸收光谱带边从460 nm蓝移到450 nm,表明样品在合成过程中,Cd与Se比例对样品的性能有一定的影响.
丁亚楠郑一博赖伟东赖伟东韦志仁韦志仁李志强
关键词：CDSE巯基丙酸发光性质
ZnO:Zn荧光材料的光电子时间分辨谱和荧光光谱被引量：1
2005年
采用微波吸收法,测量了ZnO及ZnO:Zn荧光粉末材料受到超短激光脉冲激发后其导带电子的衰减过程,并测量了室温下荧光材料的吸收光谱和发射光谱。发现ZnO材料的光电子寿命为64 ns,而ZnO:Zn荧光材料的的光电子寿命为401 ns。分析认为ZnO:Zn寿命的延长是由于材料中缺陷结构的增加导致电子在导带上的弛豫时间变长。
董国义窦军红葛世艳林琳郑一博韦志仁
关键词：微波吸收光电子
Cu对Zn_(1-x)Fe_xO稀磁半导体磁性的影响被引量：10
2006年
采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol·L-1KOH,前驱物为添加适量的FeCl2·6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xFexO和Zn1-xFexO:Cu稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的FeCl2·6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂Fe的Zn1-xFexO多种形态晶体混合物,其个体较大的晶体中的Fe原子百分比含量为0·49%—0·52%.采用超导量子干涉磁强计测量了材料的磁性,晶体的磁化强度随温度下降而减小.在前驱物中同时加入适量比例的Cu化合物,合成了共掺杂Cu的Zn1-xFexO:Cu,和Zn1-xFexO相比,其室温下的磁化强度有明显的提高,且在室温下具有铁磁性.
韦志仁李军刘超林琳郑一博葛世艳张华伟董国义窦军红
关键词：水热稀磁半导体
ZnS中电子陷阱能级对光生电子弛豫过程的影响被引量：1
2006年
采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。
董国义窦军红韦志仁葛世艳郑一博林琳田少华
关键词：ZNS热释光光电子
水热法合成Zn_(1-x)Ni_xO稀磁半导体被引量：10
2006年
本文采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol/L KOH,前驱物为添加适量N iC l2.6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xN ixO稀磁半导体晶体。当在Zn(OH)2中添加一定量的N iC l2.6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂N i的多种形态ZnO混合晶体,对其个体较大的晶体中进行电子探针测量表明,前驱物中的添加量和晶体中实际掺入量有很大的差异,只有少量的N i离子掺入ZnO,最大N i原子分数含量为0.62%。采用超导量子干涉磁强计测量材料的磁性,发现在室温以下,晶体的磁化强度不随温度升高而下降。在室温下,存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,说明具有室温下的铁磁性。
韦志仁李军刘超林琳郑一博葛世艳张华伟窦军红
关键词：水热合成稀磁半导体
水热法合成Zn_(1-x)Co_xO室温稀磁半导体被引量：4
2006年
本文采用水热法,在430℃,填充度为35%,3mol/L KOH作为矿化剂,反应时间为24h,合成了Zn1-xCoxO晶体。当在Zn(OH)2中添加一定量的CoC l2.6H2O为前驱物时,水热反应产物中,可以获得多晶体形态的掺杂Zn1-xCoxO晶体。电子探针测量表明,随着前驱物中CoC l2.6H2O添加量的增加,晶体中的Co实际掺入量也随着增加。采用超导量子干涉磁强仪测量材料的磁性,发现在室温以下,水热法合成的Zn1-xCoxO晶体的磁化强度随温度变化很小,在300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温下铁磁性。
韦志仁刘超李军林琳郑一博葛世艳张华伟窦军红
关键词：水热合成矿化剂稀磁半导体晶体
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