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张明昆

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇紫外光电探测...
  • 5篇光电
  • 5篇光电探测
  • 5篇光电探测器
  • 3篇半导体
  • 3篇4H-SIC
  • 2篇电极
  • 2篇电特性
  • 2篇钝化层
  • 2篇氧化镓
  • 2篇增层
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇外延片
  • 2篇介质层
  • 2篇光电特性
  • 2篇半导体光电
  • 2篇半导体光电探...
  • 2篇MI

机构

  • 7篇厦门大学

作者

  • 7篇张明昆
  • 4篇蔡加法
  • 4篇吴正云
  • 3篇陈厦平
  • 2篇洪荣墩
  • 2篇郑云哲
  • 2篇杨伟锋
  • 2篇林冰金
  • 1篇张峰

传媒

  • 1篇量子电子学报

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2011
  • 1篇2010
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
郑云哲林冰金张明昆蔡加法吴正云
关键词：4H-SICP-I-N紫外光电探测器光谱响应暗电流
一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件
本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件，属于半导体器件技术领域，其包括依序层叠设置的衬底、缓冲层和沟道层，还包括：设置在沟道层上端面两侧的第一盖帽层和第二盖帽层；第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上设置有势垒...
杨伟锋帅浩张明昆
文献传递
4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究
2011年
利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性。研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小;而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大。在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近;同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小。此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应。
郑云哲林冰金张明昆蔡加法陈厦平吴正云
关键词：光电子学温度特性光电特性
双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法
双工作模式的4H-SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N<Sup>+</Sup>型4H-SiC衬底，在N<Sup>+</Sup>型4H-SiC衬底上依次设有第一N<Sup>-</Sup>型...
洪荣墩张明昆吴正云蔡加法陈厦平
一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件
本发明公开了一种常关型氧化镓基MIS‑HFET器件，属于半导体器件技术领域，其包括依序层叠设置的衬底、缓冲层和沟道层，还包括：设置在沟道层上端面两侧的第一盖帽层和第二盖帽层；第一盖帽层和第二盖帽层之间的沟道层上设置有势垒...
杨伟锋帅浩张明昆
双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法
双工作模式的4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测器件。探测器设有N<Sup>+</Sup>型4H‑SiC衬底，在N<Sup>+</Sup>型4H‑SiC衬底上依次设有第一N<Sup>‑</Sup>型...
洪荣墩张明昆吴正云蔡加法陈厦平
文献传递
一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法
一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N<Sup>+</Sup>型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；...
张峰袁萌付钊张宇宁张明昆
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