张南红
- 作品数：9 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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- 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
- 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法，其特征在于，包括如下步骤：先将衬底升温进行高温除气，在升温过程中一直开着In炉以防止在衬底表面形成SiN<Sub>x</Sub>；再将衬底降温，关闭铟炉，开启铝炉5～30秒，在衬底表...
- 张南红王晓亮曾一平肖红领王军喜刘宏新李晋闽
- 文献传递
- Si上GaN的GSMBE生长及MSM紫外探测器的响应特性
- 作用NH<,3>源MBE在Si衬底上生长了GaN外延层并制备了MSM紫外探测器,GaN(0002)峰的双晶X射线摇摆曲线半峰宽为12.9弧分,AFM均方根粗糙度为0.88nm.加5.5V偏压,当波长小于363nm时,MS...
- 张南红王晓亮王军喜刘宏新肖红领曾一平李晋闽
- 关键词：分子束外延SI衬底紫外探测器
- 文献传递
- Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响
- 2005年
- 由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.
- 肖红领王晓亮韩勤王军喜张南红徐应强刘宏新曾一平李晋闽吴荣汉
- 关键词：INNRF-MBEXRD
- 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
- 一种生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层；降低衬底的温度，生长缓冲层；最后升高衬底的温度，生长高结晶质量的氮化铟层。
- 肖红领王晓亮王军喜张南红刘宏新曾一平
- 文献传递
- V/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE氮化铟表面形貌的影响
- 由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.本文研究了V/Ⅲ比和生长温度对...
- 肖红领王晓亮韩勤王军喜张南红徐应强刘宏新曾一平李晋闽吴荣汉
- 关键词：氮化铟表面形貌生长温度外延膜
- 文献传递
- 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
- 一种生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一衬底；在衬底上采用分子束外延法生长一层氮化层；降低衬底的温度，生长缓冲层；最后升高衬底的温度，生长高结晶质量的氮化铟层。
- 肖红领王晓亮王军喜张南红刘宏新曾一平
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- 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
- 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法，其特征在于，包括如下步骤：先将衬底升温进行高温除气，在升温过程中一直开着In炉以防止在衬底表面形成SiN<Sub>x</Sub>；再将衬底降温，关闭铟炉，开启铝炉5～30秒，在衬底表...
- 张南红王晓亮曾一平肖红领王军喜刘宏新李晋闽
- 文献传递
- 在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN被引量：1
- 2005年
- 采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γAl2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaNc面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.
- 刘喆王军喜李晋闽刘宏新王启元王俊张南红肖红领王晓亮曾一平
- 关键词：GANMBEΓ-AL2O3缓冲层
- 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长被引量：4
- 2005年
- 采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×1018cm-3,相应的电子迁移率为262cm2/(V·s).
- 肖红领王晓亮张南红王军喜刘宏新韩勤曾一平李晋闽
- 关键词：RF-MBE氮化铟
