孙同年
- 作品数：127 被引量：55H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺机械工程更多>>
- 利用承载气体进行磷化物原位注入合成的系统
- 本实用新型公开了一种利用承载气体进行磷化物原位注入合成的系统，涉及一种半导体晶体的合成装置，包括炉体、设置在所述炉体的炉腔内的坩埚、坩埚加热装置、设置在炉体和坩埚加热装置间的保温装置、设置在坩埚上方的磷源炉，其特征在于：...
- 孙聂枫王书杰刘惠生孙同年
- 文献传递
- 利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法
- 本发明公开了一种利用承载气体进行磷化物原位注入合成的方法，涉及半导体晶体的合成方法，步骤A、通过承载气体进气管向炉体内通入惰性保护气体；步骤B、对炉体内的坩埚进行加热使坩埚内预合成的原料熔化；步骤C、通过承载气体进气管向...
- 孙聂枫王书杰刘惠生孙同年
- 文献传递
- 太阳电池用多晶硅铸锭中非金属夹杂物的研究进展被引量：1
- 2020年
- 多晶硅广泛应用于太阳电池领域。多晶硅铸锭的结晶质量决定了后续晶锭的加工和光伏组件的性能及寿命。碳化硅和氮化硅是多晶硅铸锭中最常见的两种非金属夹杂物。系统概述了多晶硅铸锭中氮化硅及碳化硅的形貌特征、微观分布形态及宏观分布规律等研究进展,介绍了两种夹杂物的伴生过程。根据多晶硅铸锭的生长条件,探讨了其中的碳和氮元素的来源及碳化硅和氮化硅夹杂物对多晶硅铸锭加工过程的影响。最后,从生长条件及工艺方法等方面分析了关于抑制和消除碳化硅和氮化硅夹杂物的研究进展情况。
- 周瑞王书杰王书杰孙聂枫邵会民刘惠生邵会民
- 关键词：晶体生长太阳电池半导体材料
- LEC法生长高质量6英寸InP单晶被引量：3
- 2020年
- 制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场优化设计,调节各段加热器功率,降低了大尺寸热场温度梯度,提高了热场的对称性和稳定性,获得了平坦的固液界面,同时采用平缓放肩工艺抑制孪晶的形成。重复生长出约9.5 kg的6英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶,直径6英寸以上的单晶部分长度大于67 mm。测试结果表明,单晶片位错密度小于1×104 cm-2,电阻率大于107Ω·cm。从晶体生长和测试结果可以看出,合适的温度梯度可以使固液界面比较平坦,有效降低InP晶体的位错密度,电阻率片内均匀性为8.7%。
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- 关键词：INP单晶位错密度
- 一种半导体磷化物注入合成系统的控制方法
- 一种半导体磷化物注入合成系统的控制方法，属于半导体磷化物的制备技术领域，基于半导体磷化物注入合成系统来实现，所述半导体磷化物注入合成系统包括炉体、设置在炉体上方的屏蔽承载箱、设置在屏蔽承载箱内的磷源承载器、设置在磷源承载...
- 孙聂枫王书杰刘惠生孙同年
- 文献传递
- 一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统
- 本实用新型一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的系统，本实用新型属于半导体技术领域，包括真空系统、充放气系统、温度与压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、称重系统和炉体，炉体上设置有坩埚杆旋转升降机构和籽晶杆升降机构，关...
- 孙聂枫王书杰史艳磊邵会民付莉杰李晓岚王阳徐森锋刘惠生孙同年
- 高纯InP多晶的合成技术
- 2020年
- 采用原位磷注入法合成了不同化学配比的磷化铟(InP)多晶。分析了熔体温度、磷泡压力和环境压力对合成速率的影响;对不同化学配比的多晶样品进行霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,分析了影响InP多晶纯度的因素。结果表明,合成时熔体温度为1353~1370 K时,熔体呈富磷或者化学配比状态,熔体温度高于1370 K或低于1353 K时,熔体呈富铟状态;合成过程中,通过调节源炉升温的速度来控制磷泡内压力与环境压力,避免熔体倒吸堵住注入口引起炸泡,并最大程度地减少磷的损失;合成时熔体温度高于1370 K会造成合成的多晶呈富铟状态、合成时间较长,且石英坩埚中的Si元素长时间在高温下会对熔体造成沾污,从而降低多晶纯度。
- 付莉杰张晓丹张鑫康永王书杰刘惠生孙同年孙聂枫
- 关键词：熔体温度
- InP中的深能级杂质与缺陷(续)被引量：1
- 2008年
- 孙聂枫赵有文孙同年
- 一种籽晶杆的可调式稳定装置
- 本发明一种籽晶杆的可调式稳定装置，套装于晶体生长炉内的籽晶杆上，关键在于：包括套装在籽晶杆上的胀紧套，胀紧套外周面上均布有3‑6根螺杆，每个螺杆上螺纹连接有旋套，旋套的顶端设置有滚珠，滚珠与圆筒形炉腔内壁接触形成籽晶杆的...
- 姜剑孙聂枫孙同年史艳磊王书杰
- 一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置
- 本发明提供一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，属于半导体晶体合成与生长装置领域，采用的技术方案是一种化合物晶体合成后旋转垂直温度梯度晶体生长装置，包括炉体、定位在炉腔内的合成与晶体生长系统及其配套的加热系统...
- 王书杰孙聂枫刘惠生孙同年史艳磊邵会民李晓岚王阳付莉杰
