公共文化服务平台

一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置: 本发明提供一种半导体晶体生长及原位退火的方法及装置，涉及半导体晶体制备技术领域。该半导体晶体生长及原位退火的方法，包括以下过程：S1.首先将坩埚盖焊接或烧结至坩埚上，然后向坩埚内部放置固体氧化硼和固体磷化铟，然后将坩埚放...; 王书杰孙聂枫邵会民徐森锋顾占彪张文雅史艳磊李晓岚王阳

太阳电池用多晶硅铸锭中非金属夹杂物的研究进展被引量：1: 2020年; 多晶硅广泛应用于太阳电池领域。多晶硅铸锭的结晶质量决定了后续晶锭的加工和光伏组件的性能及寿命。碳化硅和氮化硅是多晶硅铸锭中最常见的两种非金属夹杂物。系统概述了多晶硅铸锭中氮化硅及碳化硅的形貌特征、微观分布形态及宏观分布规律等研究进展,介绍了两种夹杂物的伴生过程。根据多晶硅铸锭的生长条件,探讨了其中的碳和氮元素的来源及碳化硅和氮化硅夹杂物对多晶硅铸锭加工过程的影响。最后,从生长条件及工艺方法等方面分析了关于抑制和消除碳化硅和氮化硅夹杂物的研究进展情况。; 周瑞王书杰王书杰孙聂枫邵会民刘惠生邵会民; 关键词：晶体生长太阳电池半导体材料

一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法: 一种超重力下通过熔体迁移制备化合物晶体的方法，涉及半导体制备领域，所述方法包括：将分子式为AxBy的化合物半导体多晶、A元素的单质、籽晶依次紧密接触放置于坩埚中，并将坩埚水平放置在离心旋转设备上，加热坩埚至T<Sub>0...; 王书杰孙聂枫怀俊彦徐森锋史艳磊邵会民刘峥党冀萍李晓岚王阳刘惠生

LEC法生长高质量6英寸InP单晶被引量：3: 2020年; 制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶。采用液封直拉(LEC)技术,通过多温区热场优化设计,调节各段加热器功率,降低了大尺寸热场温度梯度,提高了热场的对称性和稳定性,获得了平坦的固液界面,同时采用平缓放肩工艺抑制孪晶的形成。重复生长出约9.5 kg的6英寸(1英寸=2.54 cm)InP单晶,直径6英寸以上的单晶部分长度大于67 mm。测试结果表明,单晶片位错密度小于1×104 cm-2,电阻率大于107Ω·cm。从晶体生长和测试结果可以看出,合适的温度梯度可以使固液界面比较平坦,有效降低InP晶体的位错密度,电阻率片内均匀性为8.7%。; 邵会民孙聂枫孙聂枫王书杰刘惠生孙同年王书杰; 关键词：INP单晶位错密度

用于辐射探测器的低Fe掺杂半绝缘InP材料被引量：2: 2019年; 基于半绝缘InP衬底的辐射探测器在X射线成像领域有着广阔的应用前景。半绝缘InP衬底中Fe的掺杂量对InP基辐射探测器的性能有一定的影响。通过液封直拉(LEC)法和垂直梯度凝固(VGF)法生长了掺Fe半绝缘InP单晶,并对普通Fe掺杂(0.3 g/kg)和低Fe掺杂的InP单晶的电参数特性、光学特性及辐射特性等方面进行了研究。测试数据表明VGF生长的InP单晶的位错密度小于500 cm-2,缺陷非常少。但VGF必须使用多晶InP作为原料,Fe的掺杂量不能低于0.3 g/kg,造成晶体中的杂质含量较高。低Fe掺杂LEC生长的InP单晶的掺杂量只有普通掺杂的一半,经过退火,低Fe掺杂LEC生长的InP的电阻率达到4.9×107Ω·cm,迁移率达到4410 cm2·V-1·s-1,位错密度小于1×104 cm-2,显示出了较好的半绝缘特性且晶体质量良好。使用低Fe掺杂半绝缘InP制成的辐射探测器显示出了良好的性能。; 王丽陈春梅田树盛黄子鹏邵会民王阳付莉杰; 关键词：FE掺杂半绝缘辐射探测器

注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法: 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法，包括步骤A、将制备化合物的系统抽真空并充入惰性气体；步骤B、加热使合成坩埚内的金属原料和氧化硼Ⅰ熔化；步骤C、加热使氧化硼Ⅱ熔化，合成注入系统向...; 王书杰孙聂枫卜爱民付莉杰邵会民刘峥徐森锋史艳磊李晓岚王阳孙同年; 文献传递

一种磷化铟半导体的加工方法及装置: 本发明提供一种磷化铟半导体的加工方法及装置，涉及半导体材料加工技术领域。该磷化铟半导体的加工方法，包括以下步骤：步骤1.先将磷化铟晶棒进行夹紧固定；步骤2.然后接通电源，通过电源给加热丝加热；步骤3.再通过红外测温仪测试...; 王书杰孙聂枫李贺斌史艳磊邵会民李晓岚王阳

高压原位合成多功能晶体生长系统: 本实用新型公开了一种高压原位合成多功能晶体生长系统，涉及晶体生长装置技术领域。所述晶体生长系统包括压力控制系统、电气控制系统、冷却循环系统、速度控制系统、炉内件清洗系统、磁场系统、真空密封系统、真空系统和炉体，所述炉体包...; 孙聂枫孙同年王书杰刘惠生史艳磊邵会民李晓岚王阳付莉杰; 文献传递

一种化合物低温连续合成装置及合成方法: 一种化合物低温连续合成装置及合成方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、旋转飞轮系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气...; 史艳磊孙聂枫王书杰刘峥付莉杰徐成彦秦敬凯邵会民王阳李晓岚刘惠生张晓丹张鑫李亚旗赵红飞康永谷伟侠吴中超吴畏高鹏王赫

高温高压容器内熔体温度测量用红外测温装置: 本实用新型公开了一种高温高压容器内熔体温度测量用红外测温装置，包括连接在压力容器的容器孔上的连接管、沿连接管的轴向在连接管内由内向外依次设置的第一密封垫、石英窗口片、第二密封垫、环形压盖和红外测温装置，所述环形压盖与连接...; 邵会民孙聂枫王书杰史艳磊李晓岚王阳付莉杰刘惠生孙同年; 文献传递

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

邵会民