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哈克

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供职机构：上海大学材料科学与工程学院更多>>
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电极
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  • 1篇修饰电极
  • 1篇英文
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  • 1篇双绝缘层
  • 1篇迁移
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  • 1篇薄膜晶体管

机构

  • 1篇上海大学

作者

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  • 1篇哈克
  • 1篇张志林
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传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
具有双绝缘层和修饰电极的薄膜场效应晶体管(英文)
2008年
研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.OTS/SiO2双绝缘层的结构提高了器件的场效应迁移率和开关电流比,降低了阈值电压.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.
白钰哈克鲁富翰蒋雪茵张志林
关键词：有机薄膜晶体管修饰电极双绝缘层迁移率
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