您的位置: 专家智库 > >

鲁富翰

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇发光
  • 3篇发光器件
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇有机薄膜电致...
  • 2篇薄膜电致发光
  • 1篇低压
  • 1篇电极
  • 1篇电流效率
  • 1篇电子传输
  • 1篇修饰
  • 1篇修饰电极
  • 1篇英文
  • 1篇有机薄膜电致...
  • 1篇有机薄膜晶体...
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇有机发光
  • 1篇有机发光二极...
  • 1篇有机发光器件

机构

  • 4篇上海大学

作者

  • 4篇蒋雪茵
  • 4篇张志林
  • 4篇鲁富翰
  • 3篇徐维
  • 3篇朱文清
  • 1篇哈克
  • 1篇曹进
  • 1篇白钰
  • 1篇许少鸿

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 4篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
具有新型电子传输层的有机薄膜电致发光器件(英文)被引量:1
2008年
将8-hydroxy-quinolinato lithium(Liq)掺入4’7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为n型电子传输层(ETL),将tet-rafluro-tetracyano-quinodimethane(F4-TCNQ)掺入4,4′,4″-tris(3-methylphenylphenylamono)triphenylamine(m-MTDATA)作为p型空穴传输层(HTL),制作了p-i-n结构有机电致发光器件.为了检验传输层传导率的改善情况,制备了一系列单一空穴器件和单一电子器件.在引入BPhen:33wt%Liq作为ETL后,x%F4-TCNQ:m-MTDATA作为HTL后,器件的电流和功率效率明显改善.与控制器件(未掺杂)相比,性能最佳的掺杂器件的电流及功率效率分别提高了51%和89%,电压下降了29%.这是由于传输层传导能力的提高使得载流子在发光区域达到有效平衡.
徐维鲁富翰蒋雪茵张志林朱文清徐贵
关键词:P-I-NN型掺杂电流效率电子传输
依发光层顺序和厚度调节的多发光层白色有机发光器件被引量:1
2008年
多层结构器件中发光层顺序及厚度对光谱影响很大。文章以RBG(红蓝绿)为基色,制备了具有不同发光层组合次序及厚度的系列白色有机电致发光器件。器件结构为ITO/CuPc(12nm)/NPB(50nm)/EML/LiF(1nm)/Al(100nm)。使用的蓝色发光材料为2-t-butyl-9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(TBADN),掺杂剂为p-bis(p-N,N-diphenyl-amono-styryl)benzene(DSA-Ph),绿色发光材料为tris-[8-hydroxyquino-line]aluminum(Alq3),掺杂剂为C545,红色发光材料为tris-[8-hydroxyquinoline]aluminum(Alq3),掺杂剂为4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1,1,7,7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran(DCJTB)。通过调节各发光层的顺序和厚度,在200mA.cm-2时,得到了电流效率为5.60cd.A-1,色坐标为(0.34,0.34)的性能稳定的白光器件。当电流密度为400mA.cm-2时,最大亮度达到了20700cd.m-2。根据激子产生及扩散理论对实验结果进行了分析,建立了发光光谱与各发光层的发光效率、各层厚度及激子扩散层长度之间的关系方程,并以其计算了具有不同红层厚度的RBG结构的光谱的红蓝强度比。计算结果表明实验结果与理论相符。
徐维鲁富翰曹进朱文清蒋雪茵张志林许少鸿
关键词:有机发光二极管白色有机发光器件
具有阶梯势垒的低压有机电致发光器件被引量:2
2008年
在2-t-butyl-9,10-di-(2-naphthyl)anthracene(TBADN)/tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)界面及TBADN/4’7-diphyenyl-1,10-phenanthroline(Bphen)界面上插入Gaq薄膜作为阶梯势垒,使有机电致发光器件的电子注入得到改善。由于Gaq(2.9 eV)的LUMO(分子最低空余轨道能级)位于Alq3(3.1 eV)(或Bphen(3.0eV))的LUMO和TBADN的LUMO(2.8 eV)之间,形成了从Alq3(或Bphen)经Gaq到TBADN的势垒阶梯,提高了电子注入,进而提高了器件效率。实验表明:与没有阶梯势垒的器件相比,无论是单一电子器件还是完整器件,在相同电流密度下,具有阶梯势垒的器件的电压都有所下降。在电流密度为20 mA/cm2时,当电子传输层为Alq3时,单一电子器件的电压从7.9 V降到4.9 V,完整器件的电压从7 V降到5.8 V;当电子传输层为Bphen时,单一电子器件的电压从4.2 V降到3.1 V,完整器件的电压从6.2 V降到5.1 V。在电流密度为200mA/cm2,Alq3为电子传输层时,亮度从1 992 cd/m2升到3 281 cd/m2,最高亮度达到3 420 cd/m2,Bphen为电子传输层时,亮度从1745 cd/m2升到2876 cd/m2,最高亮度达到3176 cd/m2。本文运用能级隧穿理论对上述现象进行了解释。
徐维鲁富翰蒋雪茵张志林朱文清
关键词:有机薄膜电致发光低压
具有双绝缘层和修饰电极的薄膜场效应晶体管(英文)
2008年
研究了具有OTS/SiO2双绝缘层结构及MoO3/Al电极结构的有机薄膜晶体管.器件是以热生长的SiO2作为有机薄膜晶体管的栅绝缘层,酞菁铜作为有源层的.OTS/SiO2双绝缘层的结构提高了器件的场效应迁移率和开关电流比,降低了阈值电压.实验表明在同样的栅极电压下,具有MoO3/Al电极的器件和金电极的器件有着相似的源漏输出电流.结果显示具有OTS/SiO2双绝缘层及MoO3/Al电极结构的器件能有效改进有机薄膜晶体管的性能.
白钰哈克鲁富翰蒋雪茵张志林
关键词:有机薄膜晶体管修饰电极双绝缘层迁移率
共1页<1>
聚类工具0