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万明芳

作品数：15 被引量：28H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 7篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇纳米硅
  • 3篇砷化镓
  • 3篇纳米硅薄膜
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 2篇电子能态
  • 2篇多量子阱
  • 2篇荧光
  • 2篇能态
  • 2篇量子
  • 2篇控制系统
  • 2篇光谱
  • 2篇分形
  • 2篇SUB
  • 2篇GAAS/A...
  • 2篇表面形貌
  • 2篇测量控制系统
  • 1篇电致发光
  • 1篇电子波

机构

  • 12篇中国科学院
  • 4篇大连理工大学
  • 2篇北京航空航天...
  • 1篇南京大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 15篇万明芳
  • 11篇陆卫
  • 11篇陈效双
  • 11篇沈学础
  • 10篇刘兴权
  • 6篇穆耀明
  • 4篇乔怡敏
  • 4篇魏希文
  • 4篇窦红飞
  • 4篇何宇亮
  • 3篇李宁
  • 3篇严立平
  • 3篇查访星
  • 2篇史国良
  • 2篇吴小平
  • 2篇袁凯华
  • 2篇戎霭伦
  • 2篇杜捷
  • 1篇黄绮
  • 1篇余明斌

传媒

  • 4篇红外与毫米波...
  • 3篇Journa...
  • 2篇量子电子学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇大连理工大学...
  • 1篇自然科学进展...

年份

  • 1篇2002
  • 7篇1998
  • 3篇1997
  • 1篇1996
  • 3篇1995
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究被引量：3
1997年
本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测，通过（00）级条纹的RHEED强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程，得到了从C（4×4）到α（2×4）的连续相变过程，进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况．
刘兴权陆卫马朝晖陈效双乔怡敏万明芳沈学础
关键词：砷化镓分子束外延
一种原位检测直接带隙AlxGa<Sub>1-x</Sub>As分子束外延薄膜材料组分方法和装置
本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>As组分检测技术,它把分子束外延系统的超高真空条件,与调制光谱系统有机地结合起来,形成了一个测量Al<Sub>x<...
陆卫刘兴权穆耀明杜捷查访星乔怡敏史国良严立平欧海疆万明芳陈效双吴小平沈学础
文献传递
一种原位检测直接带隙Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>As分子束外延薄膜材料组分方法和装置
本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As组分检测技术，它把分子束外延系统的超高真空条件，与调制光谱系统有机地结合起来，形成了一个测量Al<Sub>x<...
陆卫刘兴权穆耀明杜捷查访星乔怡敏史国良严立平欧海疆万明芳陈效双吴小平沈学础
文献传递
量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究
1998年
介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点的方法，并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性，从理论上给出量子点的尺寸分布，并结合多量子阱阱宽的涨落，分析了荧光峰的线型和展宽机制．
刘兴权万明芳陈效双张波陆卫沈学础
关键词：量子点湿法腐蚀荧光光谱砷化镓
纳米硅薄膜表面形貌分形特征的STM研究被引量：3
1995年
利用扫描隧道显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＴｕｎｎｅｌｉｎｇＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，简称ＳＴＭ）对纳米硅薄膜在纳米尺度上的表面微观形貌进行了研究，结合分形理论，计算出样品表面形貌的分形维数Ｄ，从而得出Ｄ与有关样品微结构参数之间的关系．ＳＴＭ结合图象处理和傅利叶分析法可以很好地研究薄膜材料表面形貌的分形特征．纳米硅薄膜的表面在纳米尺度上的微观形貌呈现出分形特征．
万明芳魏希文李建军邹赫麟袁凯华何宇亮
关键词：纳米硅薄膜表面形貌分形STM
纳米硅簿膜制备工艺的研究被引量：4
1995年
采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术，在超高真空系统中，使用大量氢稀释的硅烷作为反应气体，利用Ｒ．Ｆ．＋Ｄ．Ｃ．双重功率源激励，通过低温下硅在氢等离子体放电中的化学输运直接淀积纳米硅薄膜。根据对薄膜样品结构的测定及其制各工艺条件，分析讨论了各工艺参数对淀积后薄膜的影响，从而使纳米硅簿膜的制备工艺趋于完善。
万明芳魏希文何宇亮
关键词：硅PECVD纳米硅
一维薛定谔方程的传递矩阵法求解被引量：3
1998年
报道应用传递矩阵方法直接在数值上确定任意一维势结构中的束缚态与准束缚态．通过对２×２矩阵乘积过程中的数据分解处理，使该方法可直接应用于实际器件尺度的异质结构系统。
陆卫穆耀明万明芳陈效双陈效双窦红飞刘兴权沈学础
关键词：传递矩阵薛定谔方程电子能态半导体
阳极氧化对GaAs/AlGaAs量子线荧光的影响
1998年
本文报道脉冲阳极氧化对低压金属有机化学气相沉积自组织生长的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子线荧光的影响．通过比较阳极氧化和无阳极氧化且均快速退火样品的荧光谱获得互扩散减少直接生长样品存在的缺陷和无序等，从而减小量子线非辐射复合；另一方面，无序等涨落的消除减小槽边量子阱对光生载流子的局域化，导致大量的光生载流子从槽边量子阱输运到量子线中产生相对于无阳极氧化非常增强的荧光信号．考虑量子线横向宽度的变化作为微扰。
陈效双万明芳刘兴权窦红飞陆卫沈学础
关键词：砷化镓阳极氧化量子线荧光
超薄层AlGaAs样品的光调制反射谱研究
1997年
用调制光谱的方法对分子束外延（ＭＢＥ）生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的一组超薄层本征型ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层进行了原位的研究．对厚度在３５ｎｍ以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰，而对厚度在１００ｎｍ的样品只观察到了一个跃迁峰．观察到的各峰随厚度的改变而变化．
刘兴权陆卫穆耀明乔怡敏乔怡敏万明芳陈效双严立平万明芳
关键词：铝镓砷MBE
128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面的红外成像被引量：10
1998年
研制成功了１２８×１元ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱扫描型红外焦平面（ＦＰＡｓ），器件的响应率达到ＲＰ＝２．０２×１０６Ｖ／Ｗ，截止波长为λｃ＝８．６μｍ．根据常规的黑体探测率定义，得到器件的黑体探测率为Ｄｂ＊＝２．３７×１０９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，并最终获得了清晰的室温物体残留热像图．
万明芳欧海疆陆卫刘兴权刘兴权李宁陈效双沈学础李宁黄绮李娜
关键词：多量子阱红外焦平面红外探测器成像
全文增补中
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共2页<12>
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