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刘兴权

作品数：36 被引量：42H指数：3
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 27篇期刊文章
  • 4篇专利
  • 3篇会议论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 22篇电子电信
  • 9篇理学
  • 3篇机械工程

主题

  • 14篇砷化镓
  • 9篇红外
  • 9篇GAAS/A...
  • 8篇光谱
  • 8篇红外探测
  • 7篇分子束
  • 7篇GAAS
  • 6篇探测器
  • 6篇红外探测器
  • 6篇分子束外延
  • 6篇ALGAAS
  • 5篇量子
  • 5篇半导体
  • 4篇光学
  • 4篇GAAS/A...
  • 4篇GAAS量子...
  • 3篇单晶
  • 3篇单晶薄膜
  • 3篇荧光
  • 3篇退火

机构

  • 36篇中国科学院
  • 2篇复旦大学
  • 1篇常熟高等专科...
  • 1篇北京大学
  • 1篇吉林大学

作者

  • 36篇陆卫
  • 36篇刘兴权
  • 29篇沈学础
  • 20篇陈效双
  • 13篇李宁
  • 10篇万明芳
  • 10篇窦红飞
  • 9篇穆耀明
  • 7篇乔怡敏
  • 7篇陈益栋
  • 7篇李娜
  • 5篇马朝晖
  • 5篇史国良
  • 3篇李志锋
  • 3篇严立平
  • 3篇查访星
  • 2篇黄绮
  • 2篇徐文兰
  • 2篇吴小平
  • 2篇袁先漳

传媒

  • 10篇红外与毫米波...
  • 7篇Journa...
  • 4篇量子电子学报
  • 4篇物理学报
  • 3篇第五届全国分...
  • 1篇科学通报
  • 1篇计算物理

年份

  • 4篇2002
  • 8篇2000
  • 7篇1999
  • 9篇1998
  • 5篇1997
  • 3篇1994
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较被引量：9
2000年
用金属有机物化学气相沉积法 ( MOCVD)生长 Ga As/Al Ga As量子阱材料 ,并制成红外探测器 .测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性 ,峰值波长7.9μm,响应率达到 6× 1 0 3V/W,与分子束外延法 ( MBE)生长的材料和相关器件进行了比较 ,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求 .
李娜李宁陆卫窦红飞陈张海刘兴权沈学础H.H.TanLanFuC.JagadishM.B.JohnstonM.Gal
关键词：ALGAAS红外探测器MOCVD
无分立像元光学读出的量子阱红外焦平面芯片
本发明提供了一种无分立象元光学读出的量子阱红外焦平面芯片的设计。它可以把在芯片上的红外图像直接转换成可见光图象，从而把红外探测技术转换到可见光探测技术，使对红外目标成像的芯片在空间分辨上达到可见光成像的水平。还介绍了该芯...
陆卫陈效双刘兴权李宁李娜陈益栋刘平窦红飞付英W·马格纳斯
文献传递
光调制反射光谱中的高斯线形被引量：1
1997年
本文报出了一种用于拟会计算光调制反射光谱的高斯约型表达式．通过对具体的St－8＄杂的光谱拟会计算并与常用的洛仑兹线形的计算进行的比较，显示了在非均匀展宽起重要作用情况下采用高斯线型对实际光调制反射光谱分析是十分必要的．
陆卫刘兴权陈效双穆耀明万明芳沈学础
关键词：光谱分析
GaAs/SrTiO_3 MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究被引量：1
2000年
利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了 Ga As/ Sr Ti O3外延单晶薄膜样品 ,研究了这种新型异质结构的晶格振动光学特性 .实验结果表明 :在钙钛矿型结构的 Sr Ti O3衬底上外延生长的 Ga As薄膜具有单晶结构 ,有与 Ga
陈益栋刘兴权李志锋陆卫沈学础
关键词：钛酸锶单晶薄膜晶格振动
单量子阱线的Raman谱
2000年
利用显微Ｒａｍａｎ谱测量了Ｖ型槽量子阱线，观察和指认了来自单根量子阱线的Ｒａｍａｎ谱，它们是位于２２３和２４３ｃｍ的无序激活峰，位于２６７ｃｍ的量子阱线的ＧａＡｓ限制纵光学模，以及位于４８８和７０７ｃｍ的无序激活峰的二阶和频和三阶组合Ｒａｍａｎ峰。
李乐愚张树霖李志峰刘兴权陆卫沈学础
关键词：量子阱线RAMAN光谱砷化镓
一种原位检测直接带隙Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>As分子束外延薄膜材料组分方法和装置
本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As组分检测技术，它把分子束外延系统的超高真空条件，与调制光谱系统有机地结合起来，形成了一个测量Al<Sub>x<...
陆卫刘兴权穆耀明杜捷查访星乔怡敏史国良严立平欧海疆万明芳陈效双吴小平沈学础
文献传递
GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究被引量：2
2000年
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化.
陈益栋刘兴权陆卫乔怡敏王贤仁
关键词：分子束外延砷化镓半导体ALGAAS
GaAs／GaAlAs量子阱红外探测器实用性探讨被引量：1
1994年
通过长波ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡＳ量子阱红外探测器线列在红外像机上的应用演示及其成像效果与传统ＨｇＣｄＴｅ探测器的比较，直接地显示了ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ量子阱红外探测器在红外焦平面应用领域具有很强的竟争力．
陆卫欧海江陈敏辉马朝晖刘兴权黄醒良茅惠兴蒋伟沈学础顾勇华叶礼斌
关键词：多量子阱红外探测器红外成象
GaAs/AlGaAs近表面单量子阱的光调制光谱研究
1998年
我们利用光调制反射光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近．通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中电子态影响发生变化，由于量子阱中电子态所受的约束的加强，我们观察到了价带到导带的跃迁明显的蓝移（ＨＨ１到Ｅ１，ＬＨ１到Ｅ１）．这种蓝移的现象可以用方势阱加真空势垒及内建电场的模型来解释．
刘兴权陆卫徐文兰穆耀明陈效双马朝晖沈学础
关键词：砷化镓镓铝砷化合物
量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究
1998年
介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点的方法，并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性，从理论上给出量子点的尺寸分布，并结合多量子阱阱宽的涨落，分析了荧光峰的线型和展宽机制．
刘兴权万明芳陈效双张波陆卫沈学础
关键词：量子点湿法腐蚀荧光光谱砷化镓
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