陈定钦
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 光电子材料InP玷污的研究
- 2002年
- 文章给出了光电子材料InP的 ( 10 0 )和 ( 111)晶面质谱分析的结果 ,对 ( 10 0 )晶面做了光荧光分析。在 30 0和 77K温度下测量了 ( 10 0 )晶面的电子浓度及电子迁移率。
- 徐建成丁小平陈定钦
- 关键词：光电子材料INP光荧光电子浓度电子迁移率磷化铟
- 探测功率10^(-10)W的光电器件的计算与设计
- 1989年
- 本文计算和比较了 Ge、Si、GaAs 器件的热噪声、信号电压、信/噪比、得到了制造功率为10^(-10)W 光电探测器的有效途径和实验方案。认为采用 P^+型衬底、外延高阻 P 型 Si、或用电阻率2Ω-cm 的 P 型 Si,制作光电倍增(雪崩)二极管,可以探测最小功率为10^(-)W,此时信/噪比达到1:4,电流灵敏度可提高10倍。
- 陈定钦
- 关键词：光电器件光电探测器
- “Au—n^＋（薄）—InP”结构及界面特性分析
- 1995年
- “Ａｕ－ｎ~＋（薄）－Ｉｎｐ”结构及界面特性分析夏瑞东，陈定钦（首都师范大学物理系１０００３７）（中国科学院半导体所１０００８３）摘要采用＂ＡＥＳ＂技术分析了Ａｕ－ＩｎＰ接触在不同温度下热处理得到的结果。发现Ａｕ向Ｉｎｐ一侧内扩散，并认为正是这种高掺?..
- 夏瑞东陈定钦
- 关键词：半导体材料AUINP欧姆接触
- 光电子材料InP与金属接触的物理特性研究被引量：1
- 1998年
- 本文讨论了ＩｎＰ与金属接触时的电荷输运方式；给出了ｎ型ＩｎＰ材料掺杂浓度为（１×１０１５～１×１０１７）ｃｍ－３时电子输运（以热电子发射为主）的数学表达式；测量了国产ＩｎＰ单晶与一些金属的接触势垒；分析了“金属－ｎ＋－ＩｎＰ”结构，得到了ｎ＋区厚度和势垒高度间的关系。理论结果与实验符合，表明采用该结构，可得到一个势垒极低的金属与ＩｎＰ电极的欧姆接触。
- 徐建成陈定钦
- 关键词：欧姆接触光电子材料
- 耗尽型选择性掺杂异质结晶体管
- 1990年
- 设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm^2/v·s。测量了具有栅长1.2—1.5μm,栅宽2×180μm耗尽型异质结器件的直流特性和器件的跨导,室温下g_m=110～130ms/mm,而低温77K时,可达到200ms/mm。
- 陈定钦张晓玲熊思强高翠华周帆
- 关键词：异质结晶体管掺杂晶体管
- P型硅光电二极管的特性被引量：1
- 1989年
- 本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10^(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。
- 陈定钦
- 关键词：光电二极管硅
- InP材料的质谱分析及霍耳系数测量
- 1996年
- 本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并且对（１００）晶面做了光荧光分析。在室温和液氮条件下，测量了（１００）晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明沾污主要来自硅。
- 徐建成陈亚宁陈定钦
- 关键词：质谱分析光荧光电子浓度电子迁移率磷化铟
- 平面型Gunn器件低温SiO_2和PSG的淀积
- 1996年
- 采用“夹层结构”的方法制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料，以及低温（４２０℃～４５０℃）淀积ＳｉＯ２的原理、工艺条件和可控硅电路．
- 徐建成刘澎陈定钦
- 关键词：二氧化硅
- 平面型Gunn器件低温SiO_2淀积
- 1995年
- 采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温（４２０～４５０℃）淀积ＳｉＯ２；并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。
- 陈定钦徐建成
- 关键词：半导体器件砷化镓
- WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作
- 1996年
- 用国产ＭＢＥ调制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物（ＷＳｉ）栅的耗尽型高电子迁移率晶体管器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２～１．５μｍ和２×１６０μｍ。制作该器件的材料的电子迁移率，在３００Ｋ温度下为６０８０ｃｍ２·Ｖ－１ｓ－１，７７Ｋ时为６８０００ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１。二维电子密度（ｎｓ）为９×１０１１ｃｍ－２。源与漏的触点使用ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ通过蒸发技术制作，为减小触点电阻，在５２０℃的温度下放在氢气环境中合金３ｍｉｎ。ＷＳｉ栅器件的室温跨导为１１０～１３０ｍＡ／Ｖ。可用于通信卫星的３．８３ＧＨｚ及雷达接收机的１．５ＧＨｚ频道。它的噪声系数约为２－３ｄＢ。
- 陈定钦
- 关键词：半导体器件
